「fram」を含む例文一覧(40)

  • I heard well about you fram mariachan.
    マリアちゃんから よく 話は聞いてますよ。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • LONG SIZE LEAD FRAM CARRYING MECHANISM IN PLATING APPARATUS
    メッキ装置における長尺リードフレーム搬送機構 - 特許庁
  • BARIUM TITANATE CRYSTAL, CONDENSER, OPTICAL SWITCH AND FRAM
    チタン酸バリウム結晶、コンデンサ、光スイッチおよびＦＲＡＭ - 特許庁
  • HIGH-TEMPERATURE ELECTRODE AND BARRIER STRUCTURE USED FOR FRAM AND DRAM
    ＦＲＡＭおよびＤＲＡＭ用途のための高温電極およびバリア構造物 - 特許庁
  • Fe-Ni BASE ALLOY FOR LEAD FRAME AND METHOD OF MANUFACTURING LEAD FRAM
    リードフレーム用Ｆｅ−Ｎｉ系合金材料、及びリードフレームの製造方法 - 特許庁
  • The IP address management device is designed that the FRAM is replaceable and the IP address can be taken over by using the original FRAM when the package is replaced on the occurrence of a fault.
    ＦＲＡＭを交換可能とし、障害等でパッケージを交換したとき元のＦＲＡＭを使用することで、ＩＰアドレスを継承できる。 - 特許庁
  • FRAM combines the advantages of SRAM - writing is roughly as fast as reading, and EPROM - non-volatility and in-circuit programmability.
    FRAM（強誘電体RAM）はSRAMとEPROMの長所を併せ持つ.前者は書き込みが読み出しと概略同じくらい速く, 後者は不揮発性とインサーキット・プログラマブルであることである. - コンピューター用語辞典
  • Skew information for each color component is prestored in a storage section such as an FRAM.
    各色成分ごとのスキュー情報を予めＦＲＡＭなどの記憶部に記憶させておく。 - 特許庁
  • Meantime, a replacement flag is set aside in an FRAM provided separately as a replacement component.
    一方、交換用部品として別途用意されたＦＲＡＭでは交換フラグがセットされている。 - 特許庁
  • Skew information of each color component is stored in a storage part such as an FRAM beforehand.
    各色成分ごとのスキュー情報を予めＦＲＡＭなどの記憶部に記憶させておく。 - 特許庁
  • To simultaneously obtain high speed in a DRAM mode by BL capacity reduction and a sufficient BL capacitance in an FRAM mode by separately setting a capacitance on a BL depending on whether the mode is the DRAM mode or the FRAM mode.
    ＤＲＡＭモードとＦＲＡＭモードとでＢＬ上の容量を別個に設定することで、ＤＲＡＭモードでのＢＬ容量軽減化による高速化と、ＦＲＡＭモードでのＢＬ容量確保を両立する。 - 特許庁
  • The flash memory system 1 including the flash memory 2 comprises an FRAM 4 of overwritable nonvolatile memory, and management information used in management for access to the flash memory 2 is stored in the FRAM 4.
    フラッシュメモリ２を備えるフラッシュメモリシステム１に、重ね書き可能な不揮発性メモリのＦＲＡＭ４を設け、フラッシュメモリ２のアクセスの管理で用いる管理情報をＦＲＡＭ４に保存している。 - 特許庁
  • When the replacement flag of the FRAM of the apparatus body is set, the manage information stored in a separately provided memory, rather than information stored in the FRAM, is read and supplied for the life management.
    装置本体側では、ＦＲＡＭの交換フラグがセットされている場合には、当該ＦＲＡＭに記憶された情報ではなく、別途設けたメモリに記憶された管理情報を読み出して寿命管理に供する。 - 特許庁
  • In a non-printing operation mode in which the current consumption of the 24V power source is low, the information is not written in the FRAM.
    ２４Ｖ電源の消費電流が少ない非印字動作モードではＦＲＡＭへの書き込みをしない。 - 特許庁
  • One detector like this uses memory elements with lower energy request such as FRAM and similarly operates without external energy.
    １つのこうした検出器は、ＦＲＡＭなどのエネルギー要求が低いメモリ要素を使用し、同様に外部エネルギーなしで動作する。 - 特許庁
  • To prevent the problem of abnormality of display and breakdown of an IC to be caused by the high level of an FRAM being lengthened.
    ＦＲＡＭのハイレベル期間が長くなることによって引き起こされる表示異常およびＩＣ破壊の問題を防ぐ。 - 特許庁
  • In an FRAM mounted on the apparatus body, the replacement flag is cleared and management information is updated and stored as required.
    装置本体に装着されているＦＲＡＭではこの交換フラグはクリアされており、管理情報が随時更新記憶されている。 - 特許庁
  • An address conversion table for converting a logic address given from a host system 20 and a physical address on the flash memory 2 is stored in the FRAM 4, whereby rewrite of a part of the address conversion table on the FRAM 4 is just needed, and the access time to the flash memory 2 is never lengthened.
    ホストシステム２０から与えられる論理アドレスとフラッシュメモリ２上の物理アドレスとを変換するアドレス変換テーブルをＦＲＡＭ４に保存することにより、ＦＲＡＭ４上のアドレス変換テーブルの一部を書替えるだけでよくなり、フラッシュメモリ２のアクセス時間が長くならない。 - 特許庁
  • To suppress the generation of problem of imprint of an FRAM cell and prevent soft errors from occurring by introducing a refreshing operation for a memory cell of the FRW.
    ＦＲＡＭのメモリセルに対するリフレッシュ動作を導入することにより、ＦＲＡＭセルのインプリントを抑制し、ソフトエラーの発生を防止する。 - 特許庁
  • The first FRAM cell selecting transistor Q0 and the first SRAM cell selecting transistor Q6 are accessed by the same bit line BL0.
    第１のＦＲＡＭセル選択トランジスタＱ０と第１のＳＲＡＭセル選択トランジスタＱ６とは、同一のビット線ＢＬ０によりアクセスされる。 - 特許庁
  • To reduce inter-bit line noise and array noise, a sense amplifier area, and power consumption of an array during an operation without increasing a memory cell block size in an FRAM.
    ＦＲＡＭにおいて、メモリセルブロックサイズを大きくせずに、ビット線間ノイズとアレイノイズ、センスアンプ面積、動作時のアレイの消費電力を低減する。 - 特許庁
  • To provide a ferroelectric memory device in which an FRAM chip normally operates even the driving voltage is not boosted and under a condition of more than critical voltage.
    駆動電圧をブーストしなくなり、臨界電圧以上の条件でもＦＲＡＭチップが正常に動作することのできる強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To form a dense ferroelectric film having high reliability in the case of manufacturing an FRAM using a ferroelectric substance as an insulating film of an information storage capacitor.
    情報記憶用キャパシタの絶縁膜に強誘電体を用いたＦＲＡＭセルを製造する際に、緻密で信頼性が高い強誘電体膜を形成する - 特許庁
  • An FRAM 15 is provided in a VBR sending out device 100 and the value of operation parameters for specifying an arbitrary number of ES becoming the object of sending out among inputted TS is prestored.
    ＶＢＲ送出装置１００にＦＲＡＭ１５を設け、入力されるＴＳのうち送出対象とする任意個数のＥＳを指定する動作パラメータの値を予め記憶しておく。 - 特許庁
  • When an image signal is input from an external device, the light beams for forming a latent image are scanned on a photoreceptor in a scanning direction corresponding to the skew information stored in the FRAM.
    そして、外部装置から画像信号が入力されると、ＦＲＡＭに記憶されたスキュー情報に対応した走査方向で潜像形成用光ビームを感光体上に走査させる。 - 特許庁
  • When an image signal is inputted from an external device, light beams for latent image formation are scanned on a photoreceptor by a scanning direction corresponding to the skew information stored in the FRAM.
    そして、外部装置から画像信号が入力されると、ＦＲＡＭに記憶されたスキュー情報に対応した走査方向で潜像形成用光ビームを感光体上に走査させる。 - 特許庁
  • To prevent the oxidization of a W film embedded in a groove as an alignment mark even if a ferroelectric material is heat-treated in an oxygen atmosphere when forming a ferroelectric capacitive element of an FRAM.
    ＦＲＡＭの強誘電体容量素子を形成する際に強誘電体を酸素雰囲気中で熱処理しても位置合わせマークの溝に埋設するＷ膜の酸化を防止することができる - 特許庁
  • When a rear frame 07 is moved around a rotary shaft 21, the rear frame is connected to a main fram-rear part 03 at a position at which the respective front and rear parts of a body are symmetrical with respect to a dividing plane (A in Fig.) of a hinge, or a symmetry plane.
    リアフレーム０７は、回転軸２１を軸として移動させると車体の前後各部がヒンジの分割面（図中Ａ）を対称面として対称形となるような位置でメインフレーム後部０３に結合する。 - 特許庁
  • Upon the receipt of an authentication reply of an assignment performance from the ISP authentication server 6, the CPU 2 reads an IP address from an FRAM 3 storing the IP address in advance and assigns it to a user terminal.
    また、ＣＰＵ２は、ＩＳＰ認証サーバー６からの割り付け許可の認証応答を受信すると、予めＩＰアドレスが記憶されているＦＲＡＭ３からＩＰアドレスを読み出してユーザー端末に割り付ける。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor integrated circuit device to enable setting of a ROM area and a RAM area by a user of an FRAM to be combined with a CPU and to enable setting and changing of the setting in a data writing operation.
    ＣＰＵと組み合わされるＦＲＡＭのユーザーによるＲＯＭ領域とＲＡＭ領域の設定が可能でありしかも、その設定や設定変更をデータ書き込み動作の中で可能とした半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁
  • When the printing head 72 is closed by oscillating the head fram 76 clockwise from such a state that the printing head 72 is opened, the pin 104 falls and the lever 98 is revolved counterclockwise under its own wt. and the recessed part 98A is engaged with the pin 102.
    印字ヘッド７２が開いた状態から、ヘッドフレーム７６を時計方向に揺動させ印字ヘッド７２を閉じると、ピン１０４の下降と共にレバー９８が反時計方向に自重で回動し、凹部９８Ａがピン１０２に係合する。 - 特許庁
  • To provide a memory having a contact plug of ruthenium material, and its fabricating method, for improving the contact arrangement between a storage node and a device zone in the dynamic RAM (DRAM) and the ferroelectric RAM (FRAM (trade mark)) of a memory device, for example.
    メモリーデバイスの例えばダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）と強誘電性ＲＡＭ（ＦＲＡＭ（登録商標））における、記憶ノードとデバイスゾーンとの間の接点構成を改良するための、ルテニウム材からなるコンタクトプラグを有するメモリー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Under control of a control section 11, an input processing section 12 takes out a TS packet constituting each ES from the inputted TS based on the value of operation parameters stored in the FRAM 15, and detects input/noninput of the TS packet constituting each ES.
    入力処理部１２は、制御部１１の制御の下、ＦＲＡＭ１５に記憶された動作パラメータの値に基づいて、入力されるＴＳから各ＥＳを構成するＴＳパケットを取り出すと共に、各ＥＳを構成するＴＳパケットの入力の有無を検出する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device whose level of integration is high by a method wherein Ir (IrO_2) can be deposited on a desired position and further worked in a desired shape, and realize an FRAM (registered trademark) which is fine and has large storage capacity by constituting an electrode structure of high aspect ratio by using IrO_2 especially.
    Ｉｒ（ＩｒＯ_2）を所望部位に、しかも所望形状に加工することを可能として、集積度の高い半導体装置を実現し、特にＩｒＯ_2を用いてアスペクト比の高い電極構造を構成して、微細で且つ大記憶容量のＦＲＡＭ（登録商標）を実現する。 - 特許庁
  • To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM.
    ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。 - 特許庁
  • In a CVD method, a selective deposition phenomenon wherein IrO_2 is deposited only on Ir (IrO_2) and hardly deposited on material like SiO_2 in a condition range is used, and the FRAM which is provided with a memory capacitor having an electrode of three-dimensional structure is constituted.
    ＣＶＤ法において、ある条件範囲では、Ｉｒ（ＩｒＯ_2）上にのみＩｒＯ_2が堆積し、ＳｉＯ_2等の材料上ではほとんどＩｒＯ_2は堆積しないという選択的堆積現象を利用して、立体構造の電極を有するメモリキャパシタを備えたＦＲＡＭを構成する。 - 特許庁
  • In addition, the stream processing part 23 associates a detected bitstream storage position of the intra-frame encoded image in the storing part 24 with a PCR (program clock reference) included in bitstreams that are received when the bitstreams of the intra-fram encoded image are detected to be position and time information and uses the position and time information to generate index information.
    また、ストリーム処理部２３は、記憶部２４における検出したフレーム内符号化画像のビットストリーム記憶位置と、このフレーム内符号化画像のビットストリームを検出したとき受信したビットストリームに含まれていたＰＣＲとを関係付けて位置時間情報とし、この位置時間情報を用いてインデックス情報を生成する。 - 特許庁
  • To quantitatively and correctly recognize by using a sample for analysis an impact to a semiconductor device or the like given by hydrogen generated in manufacturing the semiconductor device or the like, for example various impacts by the hydrogen which are affected to a ferroelectric film, that is, a capacitor film in manufacturing an FRAM and are weak points of the ferroelectric film.
    半導体装置等の製造において発生する水素が、当該半導体装置等に与える影響、例えばＦＲＡＭの製造においてキャパシタ膜である強誘電体膜に及ぼされる、当該強誘電体膜の弱点である水素による様々な影響を、分析用試料を用いて定量的に正確に把握することを可能とする。 - 特許庁
  • This nonvolatile ferroelectric memory control device is composed of a dump mode control circuit, and FRAM code cells so as to normally process internal memory data in a normal mode and in a dump mode, and is so structured that all the internal addresses can normally use ports in the dump mode by processing them by allotting the entire external memory region to the internal memory region.
    本発明に係る不揮発性強誘電体メモリ制御装置は、ノマルモード及びダンプモード時内部メモリデータを正常的に処理できるようにするため、ダンプモード制御回路ＦＲＡＭコードセルで構成し、外部メモリ領域を全て内部メモリ領域に割り当てて処理することでダンプモード時全内部アドレスがポートを正常的に使用できるようにする。 - 特許庁
  • On the other hand, if the fram received by a PON processing unit 21 is a multicast frame, the frame is decoded by the cipher processing unit 23 of ONU2 by using an encryption key corresponding to the added identifier of the encryption key, so that only the optical subscriber line terminating device belonging to the multicast group can decode the frame, and the multicast communication can be realized.
    一方、ＯＮＵ２の暗号処理部２３は、ＰＯＮ処理部２１によって受信されたフレームがマルチキャストフレームであれば、付加された暗号キー識別子に対応する暗号キーを用いてフレームを復号するので、マルチキャストグループに属する光加入者線終端装置のみがフレームを復号することができ、マルチキャスト通信を実現することが可能となる。 - 特許庁

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