The memory elements are formed on parts of word lines 1104 formed as gate electrodes on a semiconductor substrate 1101 through gate insulating films 1103 and on the lateral sides of the gate electrodes; and contain memory function groups 1105a and 1105b having charge holding functions, channel regions 1110 disposed under the gate insulating films 1103, and diffusion regions 1107 disposed on both sides of the channel regions 1110. メモリ素子は、半導体基板1101上にゲート絶縁膜1103を介して形成されたゲート電極としてのワード線1104の一部と、このゲート電極の側方に形成され、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体1105a,1105bと、ゲート絶縁膜1103下に配置されたチャネル領域1110と、チャネル領域の両側に配置された拡散領域1107とを含んでいる。 - 特許庁