「gettering」を含む例文一覧(468)
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ゲッタリング層形成装置 - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING GETTERING CAPABILITY
ゲッタリング能力の評価方法 - 特許庁 - PLASMA GETTERING METHOD AND SYSTEM THEREOF
プラズマゲッタリング方法及びそのシステム - 特許庁 - RESIN FILM GETTERING CAPABILITY EVALUATION METHOD
樹脂膜のゲッタリング性能評価方法 - 特許庁 - LASER GETTERING METHOD AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
レーザゲッタリング方法及び半導体基板 - 特許庁 - Thereby, a high gettering effect is provided.
これにより、高いゲッタリング効果が得られる。 - 特許庁 - METHOD OF GETTERING AND WAFER USING THE SAME
ゲッタリング方法およびこれを使用するウェハ - 特許庁 - Heat treatment is performed thereon to perform gettering of a metal element in the semiconductor layer with the gettering site layer.
加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。 - 特許庁 - At this point, the gettering effect is auxiliarily enhanced.
このとき、補助的にゲッタリング効果が高まる。 - 特許庁 - METHOD FOR EVALUATING GETTERING EFFICIENCY OF SILICON WAFER
シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 - 特許庁 - When gettering is performed under a high temperature, a diffusion process is accelerated but the gettering efficiency is low.
しかし、高温でゲッタリングを行なうと、拡散プロセスの速度は促進されるが、ゲッタリング効率は低い。 - 特許庁 - METHOD OF GETTERING Cu IMPURITY IN SILICON CRYSTAL
シリコン結晶中のＣｕ不純物のゲッタリング方法 - 特許庁 - Proximity gettering is performed by forming gettering sites 1220 and 1221 through active utilization of the ridge.
このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイト１２２０,１２２１を形成することにより近接ゲッタリングを行う。 - 特許庁 - THERMALLY-ANNEALED WAFER WITH IMPROVED INTERNAL GETTERING PROPERTY
内部ゲッタリング性の改良された熱アニーリングされたウエハ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR CHIP HAVING GETTERING LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD
ゲッタリング層を有する半導体チップとその製造方法 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS OF ADDING GETTERING LAYER TO WAFER
ウエーハへのゲッタリング層付与方法およびゲッタリング層付与装置 - 特許庁 - METHOD OF GETTERING TRANSITION METAL IMPURITY IN SILICON CRYSTAL
シリコン結晶中の遷移金属不純物のゲッタリング方法 - 特許庁 - To request a gettering layer to generate sufficient gettering effect when the gettering layer consisting of a polycystalline silicon layer and a silicon nitride layer is formed on the rear side of a polished semiconductor wafer.
研磨された半導体ウェーハの裏面に多結晶シリコン層やシリコン窒化層からなるゲッタリング層を形成する場合において、ゲッタリング層に十分なゲッタリング効果を生じさせる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device and a gettering device by which the contraction of a substrate can be suppressed even when gettering is performed.
ゲッタリングを行っても基板の縮みを抑制できる半導体装置の作製方法及びゲッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - SILICON WAFER HAVING GETTERING CAPABILITY, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
ゲッタリング能力を有するシリコンウェーハ、およびデバイスの製造方法 - 特許庁 - GETTERING OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE DIELECTRICS DEFECT USING DOPANT
ドーパントを用いる高誘電率ゲート誘電体欠陥のゲッタリング - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING GETTERING SITE LAYER AND MANUFACTURE THEREOF
ゲッタリングサイト層を有する半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - The silicon layer 3 includes a gettering region that is in the amorphous state.
シリコン層３は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含む。 - 特許庁 - The gettering region 165, 165' includes a plurality of gettering sites 170, 170', and at least one gettering site includes one of a precipitate, a dispersoid, an interface with the dispersoid, a stacking fault and a dislocation.
ゲッタリング領域１６５，１６５´は、複数のゲッタリングサイト１７０、１７０´を含み、少なくとも一つのゲッタリングサイトは、沈殿物、分散質、前記分散質との界面、積層欠陥及び転移のうち一つを含む。 - 特許庁 - A 2nd trench 6 is formed outside the gettering layer 7.
ゲッタリング層７の外側には第２のトレンチ６が形成されている。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device for forming a gettering site allowing conventional gettering effects to be obtained easily inexpensively.
容易にかつ低コストで従来のようなゲッタリング効果を得られるゲッタリングサイトを形成する半導体装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To surely and easily add a gettering layer with which a gettering effect of the same performance can be stably obtained even to an extremely thin wafer.
きわめて薄いウエーハであっても、同一性能のゲッタリング効果を安定して得ることができるゲッタリング層を、確実、かつ容易に付与する。 - 特許庁 - Based upon the analysis results, gettering efficiency of the 1st wafer is evaluated.
分析結果から第１ウェーハにおけるゲッタリング効率を評価する。 - 特許庁 - HETERO-EPITAXIAL SEMICONDUCTOR SUBJECTED TO INTERNAL GETTERING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
内部ゲッタリングされたヘテロエピタキシャル半導体ウエハ及びその製造方法 - 特許庁 - SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER HAVING GETTERING CAPABILITY AND ITS MANUFACTURING METHOD
ゲッタリング能力を有するシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD OF GETTERING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
半導体集積回路のゲッタリング方法及び半導体集積回路 - 特許庁 - INDIRECT QUALITY EVALUATION METHOD FOR GETTERING LAYER FORMED ON WAFER BACKSIDE
ウェーハ裏面に形成されるゲッタリング層の良否の間接評価方法 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer having excellent crystallinity and an IG (internal gettering) capability.
優れた結晶性とＩＧ能力を有するエピタキシャルウエーハを提供する。 - 特許庁 - To suppress change of a frequency of a piezoelectric vibration piece and thereafter to perform gettering.
圧電振動片の周波数の変化を抑制した上でゲッタリングすること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing SOI substrates and semiconductor devices by which a gettering layer for efficient gettering with a small area can be easily manufactured.
小面積で効果的なゲッタリング能力を有するゲッタ層の製造が容易なＳＯＩ基板及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - GETTERING MATERIAL, FLAT DISPLAY PANEL AND THEIR MANUFACTURING METHODS
ゲッター材料ならびにそれを用いたフラットディスプレイパネルおよびその製造方法 - 特許庁 - To provide a method which can simply evaluate gettering capability of a resin film applied to a chip for adding gettering capability to a semiconductor chip.
半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method which can simply evaluate gettering capability of a resin film applied to a chip for adding gettering capability to a semiconductor chip.
半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an SOI substrate for effectively performing gettering.
効果的にゲッタリングが行えるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an SOI wafer of high gettering capacity and its manufacture.
ゲッタリング能力の高いＳＯＩウエハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a low defect epitaxial semiconductor substrate with a gettering function.
ゲッタリング機能を有する低欠陥エピタキシャル半導体基板を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING IMAGE IN RESIST, TOPCOAT LAYER MATERIAL (IMMERSION LITHOGRAPHY CONTAMINATION GETTERING LAYER)
レジストの画像形成方法、上塗り層材料（液浸リソグラフィ汚染ゲッタリング層） - 特許庁 - To assure the reliability of gettering capability in n/n+/n substrates, and improve it.
ｎ／ｎ＋／ｎ基板でのゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of SOI structure capable of effectively carrying out gettering.
効果的にゲッタリングが行えるＳＯＩ構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.
さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁 - To provide a method for heat-treating a silicon wafer to improve an internal gettering property.
シリコンウエハを熱処理して内部ゲッタリング性を改良する方法を提供する。 - 特許庁 - This region 4 is turned into a gettering layer, and a leakage current in the memory cell is reduced.
このn型領域４がゲッタリング層となり、メモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an SOI substrate in which a gettering site is formed on an active layer substrate with a simple method to provide a gettering function to the SOI substrate through the site.
ＳＯＩ基板において、簡易な方法で活性層基板にゲッタリングサイトを形成し当該サイトにてゲッタリング機能を持たせたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink.
ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon substrate which assures and improves a gettering capability to be adaptable to the thinning of thickness.
薄厚化に対応しゲッタリング能力の確実性とその向上を図る。 - 特許庁
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