「gettering effect」を含む例文一覧(53)
＜前へ 1 2- To provide a method for manufacturing a high-resistivity CZ silicon wafer which can prevent deterioration of resistivity due to development of a oxyfen donor and has a high gettering-effect, the high-resistivity CZ silicon wafer manufactured by its method, a SOI wafer used with the high-resistivity CZ wafer as a base wafer.
酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率ＣＺシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率ＣＺシリコンウエーハならびに、この高抵抗率ＣＺウエーハをベースウエーハとして用いて得られるＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁 - In the piezoelectric device wherein a piezoelectric vibration chip 32 is housed inside a package 36 and a cover 39 hermetically seals the package 36, a configuration member 40 comprising a material such as a brazing member and a substrate used for sealing the package 36 with the cover 39 is characterized in to adopt a member 44 with a gettering effect such as Ti (titanium).
パッケージ３６の内側に圧電振動片３２を収容して、蓋体３９により前記パッケージ３６を気密に封止するようにした圧電デバイスであって、前記蓋体３９で前記パッケージ３６を封止するための例えばロウ材や下地などでなる構成部材４０に、Ｔｉ（チタン）等のゲッタリング効果を有する部材４４が用いられていることを特徴とする圧電デバイス。 - 特許庁 - To provide a heat treatment method, which can prevent occurrence of slip dislocation and sufficiently eliminate grown-in defects in the vicinity of the surface even when a CZ silicon monocrystal wafer having a diameter of 300 mm or larger is mainly subjected to a high heat treatment, and an annealed wafer having a DZ layer in the wafer surface layer and containing high-density oxygen precipitates capable of achieving a high gettering effect in a bulk.
主に直径が３００ｍｍ以上のＣＺシリコン単結晶ウェーハに高温熱処理を行なってもスリップ転位の発生を抑制し、表面近傍のGrown-in欠陥を十分に消滅させることのできる熱処理方法を提供し、及びウェーハ表層部にＤＺ層を有し、かつバルク中に高いゲッタリング効果が得られる高密度の酸素析出物を有するアニールウェーハを提供する。 - 特許庁
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