To reduce shape defects such as crack and chipping of a side surface of a group III nitride light emitting diode having a light emitting layer etc., provided on a nonpolar principal surface of a support base made of hexagonal group III nitride. 六方晶系III族窒化物からなる支持基体の非極性主面上に設けられた発光層等を有するIII族窒化物発光ダイオードにおいて、側面における欠けやチッピングといった形状不良を低減する。 - 特許庁