「hexagonal system」を含む例文一覧(111)
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六方晶系という結晶系 - EDR日英対訳辞書 - HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
六方晶系ウルツ鉱型単結晶、その製造方法、および六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板 - 特許庁 - HEXAGONAL SYSTEM Z TYPE BARIUM FERRITE AND ITS MANUFACTURE
六方晶系Ｚ型バリウムフェライトとその製造方法 - 特許庁 - HEXAGONAL SYSTEM Z-TYPE FERRITE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
六方晶系Ｚ型フェライトおよびその製造方法 - 特許庁 - The crystal system of a unit cell of the organometallic complex belongs to a hexagonal crystal system.
この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。 - 特許庁 - A crystal system of a unit cell of the organometallic complex belongs to a hexagonal system.
この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。 - 特許庁 - Crystal system (crystal structure) of the sodium cobaltate is hexagonal system, monoclinic system, or orthorhombic system.
また、上記コバルト酸ナトリウムの結晶系（結晶構造）は、六方晶系、単斜晶系または斜方晶系である。 - 特許庁 - HEXAGONAL SYSTEM WURTZITE TYPE COMPOUND SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME
六方晶系ウルツ鉱型化合物単結晶及びその製造方法 - 特許庁 - HEXAGONAL-CELL HONEYCOMB CATALYST BODY, AND EXHAUST EMISSION CONTROL SYSTEM USING THE SAME
六角セルハニカム触媒体及びそれを用いた排ガス浄化装置 - 特許庁 - The support base 13 of the light emitting diode 11a consists of a hexagonal system GaN.
発光ダイオード１１ａの支持基体１３は、六方晶系ＧａＮからなる。 - 特許庁 - SOLID SOLUTION SYSTEM Y-TYPE HEXAGONAL FERRITE MATERIAL AND MOLDED PRODUCT USING THE SAME
固溶系Ｙ型六方晶フェライト材料及び該材料を用いた成型体 - 特許庁 - From such a viewpoint, the boron nitride is preferably a hexagonal system boron nitride.
なお、かかる観点から、窒化ホウ素は、六方晶系の窒化ホウ素であるのが好ましい。 - 特許庁 - A parallelogram semiconductor layer (12) is formed on a substrate (11) of a hexagonal system.
六方晶系の基板（１１）上に、平行四辺形の半導体層（１２）を形成する。 - 特許庁 - The apparatus and system form a hexagonal and exposed spot grid on a substrate 214.
基板２１４上に六角形の露光されたスポット・グリッドを形成する装置及びシステムである。 - 特許庁 - FERRITE MAGNET POWDER, METHOD FOR MANUFACTURING FERRITE MAGNET, AND METHOD OF FORMING HEXAGONAL SYSTEM W TYPE FERRITE PHASE
フェライト磁石粉末、フェライト磁石の製造方法及び六方晶Ｗ型フェライト相の生成方法 - 特許庁 - To provide a high purity and uniform hexagonal system wurtzite type single crystal useful as a substrate for various devices.
各種デバイス用基板として有用な高純度で均一な六方晶系ウルツ鉱型単結晶を提供する。 - 特許庁 - The insulating layer 7 is enhanced in thermal conductivity through a heat treatment, or has a hexagonal system crystal structure.
この絶縁層７は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。 - 特許庁 - When a (0001) hexagonal system wafer is used, respective edges of the dies are arranged along {10-10} plane.
（０００１）六方晶系のウエハを使用する場合、ダイのそれぞれのエッジが｛１０バー１０｝平面に沿って配置される。 - 特許庁 - The fluorescent material is a red light fluorescent material when having a structure of a tetragonal system, and is a green light fluorescent material when having a structure of a hexagonal system.
蛍光材料が正方晶系の構造である場合、赤光蛍光材料であり、六方晶系の構造である場合、緑光蛍光材料である。 - 特許庁 - Further, on the boundary surface of at least the Mg crystal grain and the grain-boundary crystallized material, a relative angle α between the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the Mg crystallized grain and the normal line vector at the base surface of hexagonal-system of the grain-boundary crystallized material, is 88-92°.
また、少なくともＭｇ結晶粒と粒界晶出物との界面において、Ｍｇ結晶粒の六方晶系底面の法線ベクトルと粒界晶出物の六方晶系底面の法線ベクトルとの相対角度αが８８°〜９２°である。 - 特許庁 - In the semiconductor element 10 provided with the boron phosphide-based semiconductor layer 102; the semiconductor layer 102 consists of a hexagonal system, and an electrode 109 is provided on the surface of the semiconductor layer 102 having the hexagonal system.
本発明は、燐化硼素系半導体層１０２を備える半導体素子１０において、燐化硼素系半導体層１０２は六方晶からなり、その六方晶の燐化硼素系半導体層１０２の表面に電極１０９を設けたものである。 - 特許庁 - The surface thin film layer 14 is a heteroepitaxial film produced through heteroepitaxial growth of 4H-Si of hexagonal system.
表面薄膜層１４は六方晶系の４Ｈ−ＳｉＣをヘテロエピタキシャル成長させて製膜したヘテロエピタキシャル膜である。 - 特許庁 - The negative electrode material for the lithium-ion battery is made from hexagonal system lithium vanadium complex oxide wherein an average oxidation number of vanadium is +3.15 to +3.35.
バナジウムの平均酸化数が＋３．１５〜＋３．３５である六方晶系のリチウムバナジウム複合酸化物からなるようにした。 - 特許庁 - The ingot 3 formed of a hexagonal-system group III nitride crystal is cut using the wire series 21 consisting of wires 22.
ワイヤ２２によって構成されたワイヤ列２１を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット３を切断する。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING (0001) EPITAXIAL THIN FILM OF HEXAGONAL SYSTEM SUBSTANCE SUCH AS ZINC OXIDE USING OXIDE CUBIC SYSTEM (111) SUBSTRATE AND THE THIN FILM OBTAINED BY THE SAME
酸化物立方晶系（１１１）基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の（０００１）エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜 - 特許庁 - When referring to an orthogonal coordinate system Cr, the c-coordinate axis is oriented to the c-axis of the hexagonal n-type gallium nitride of the substrate 13.
直交座標系Ｃｒを参照すると、ｃ座標軸は、基板１３の六方晶系のｎ型窒化ガリウムのｃ軸に向いている。 - 特許庁 - The resultant crystal is confirmed to be the single crystal of a hexagonal system having a bore of 51 mm and height of about 6 mm.
得られた結晶の口径は５１ｍｍで、高さは６ｍｍ程度であり、六方晶系の単結晶であることが確認された。 - 特許庁 - The weight percentage of Ba atoms to Fe atoms of hexagonal system Ba ferrite is set to 0.15-0.21, and the integrated intensity ratio (surface Ba/surface Fe) of Ba3d_5/2 spectrum to Fe2p_3/2 spectrum obtained by ESCA measurement of the surface of the hexagonal system Ba ferrite powder is set to 0.45-0.70.
六方晶系Ｂａフェライト粉末のＢａ原子／Ｆｅ原子を重量比で０．１５〜０．２１とし、かつ六方晶系Ｂａフェライト粉末表面のＥＳＣＡにより測定されるＢａ３ｄ_5/2 スペクトルとＦｅ２ｐ_3/2スペクトルとの積分強度比（表面Ｂａ／表面Ｆｅ）を０．４５〜０．７０とする。 - 特許庁 - After a substrate body 1 having a crystal 2 consisting of a hexagonal system gallium nitride semiconductor and a marker structure 3 is prepared, the substrate body 1 is cut along a plane intersecting the marker structure 3 to form a hexagonal system gallium nitride semiconductor wafer 5 having a first marker 7.
六方晶系窒化ガリウム半導体からなる結晶体２とマーカー構造物３とを有する基板体１を準備した後に、マーカー構造物３に交差する平面に沿って基板体１を切断して、第１のマーカー７を有する六方晶系窒化ガリウム半導体ウエハ５を形成する。 - 特許庁 - A substrate 11 and a device layer 12 are provided, and the substrate 11 consists of a first nitride semiconductor belonging to a hexagonal system, and the device layer 12 consists of a second nitride semiconductor belonging to a hexagonal system for forming a semiconductor device, formed through growth on the main surface of the substrate 11.
六方晶系に属する第１の窒化物半導体からなる基板１１と、該基板１１の主面上に成長により形成され、半導体素子を形成するための六方晶系に属する第２の窒化物半導体からなる素子層１２とを有している。 - 特許庁 - Then, a magnetic layer, containing the hexagonal system Ba ferrite magnetic powder, is formed on a non-magnetic support body for making a magnetic recording medium.
そして、非磁性支持体上に該六方晶系Ｂａフェライト粉末磁性粉末を含有する磁性層を設けて磁気記録媒体とする。 - 特許庁 - The lithium secondary battery has aggregate particles comprising a hexagonal system lithium-containing cobalt composite oxide simultaneously satisfying following physical properties (1) to (3).
下記物性（１）〜（３）を同時に満たす六方晶系のリチウム含有コバルト複合酸化物からなる凝集粒子を備えたリチウム二次電池とする。 - 特許庁 - To provide a process for manufacturing a W type ferrite compound with which a spinel compound does not coexist when an anisotropic W type hexagonal system ferrite is manufactured.
異方性のＷ型６方晶フェライトを製造するさいに，スピネル化合物が共存しないＷ型フェライト化合物を製造する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ferrite magnet which can improve coercive force of a hexagonal system W type ferrite magnet.
六方晶Ｗ型フェライト磁石の保磁力を向上することのできるフェライト磁石の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the carbonaceous material for electrode active substances for the electric double-layer capacitor, the ratio of a rhombic crystal system to a hexagonal system structure existing in a crystal structure is 20% or higher.
結晶構造中に存在する六方晶系構造に対する菱面体晶系構造の割合が20％以上である、電気二重層キャパシタの電極活物質用炭素質材料。 - 特許庁 - A sample for TEM observation employing fringes of equal thickness is obtained even in hexagonal system or orthorhombic system by setting the incident direction of an electron beam normal to face M or A.
電子線の入射方向をM面あるいはA面に垂直方向とする事により、六方晶や斜方晶においても等厚干渉縞を用いたTEM観察用試料を得る。 - 特許庁 - The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.
上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁 - The oxide sintered compact contains a hexagonal system layered compound expressed by formula: (ZnO)_m(In_2O_3), wherein, m is an integer of 1-19, and Ce.
（ＺｎＯ）_ｍ（Ｉｎ_２Ｏ_３ｍは、１〜１９の整数である。）で表される六方晶層状化合物及びＣｅを含有する酸化物焼結体。 - 特許庁 - To provide a hexagonal-cell honeycomb catalyst body capable of effectively cleaning especially HC in the exhaust gas, and an exhaust emission control system using the same.
特に排ガス中のＨＣを効率よく浄化することができる六角セルハニカム触媒体及びそれを用いた排ガス浄化装置を提供すること。 - 特許庁 - A substrate layer which is composed of a (002)-oriented hexagonal crystal system metal and an antiferromagnetic layer, which is formed on the substrate layer constitute this direction of magnetization controlled film.
（００２）配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。 - 特許庁 - A c-axis vector VC of hexagonal system GaN of a support substrate 13 is inclined in the X-axis direction with respect to a normal axis Nx of a main surface 13a.
支持基体１３の六方晶系ＧａＮのｃ軸ベクトルＶＣは主面１３ａの法線軸Ｎｘに対してＸ軸方向に傾斜する。 - 特許庁 - The variable resistance layer 15 is made of a rhombohedral perovskite oxide, and it is oriented in priority in the direction of (001) plane of the hexagonal system.
可変抵抗層１５は菱面体晶であるペロブスカイト型酸化物であり、かつ六方晶表記で（００１）面方向に優先配向している。 - 特許庁 - In a wafer having a hexagonal system or zinc blend crystal structure, multiple semiconductor optoelectronic devices are formed in an array of nonrectangular dies.
六方晶系または閃亜鉛鉱結晶構造をもつウエハにおいて、数多くの半導体光電子装置が非長方形のダイのアレイに形成される。 - 特許庁 - The casing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising transition metal or alloy of transition metal.
燃料電池用ケーシング部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁 - The additive for the polyester resin contains an inorganic compound that has a crystal system selected from hexagonal system, isometric system, tetragonal system, trigonal system, and rhombic system; and at least one of the lattice constants of 7 to 15 angstroms in the axes a, b, and c; the polyester resin, the polyester resin composition containing the additive, and the method for producing the composition are contained in this invention.
結晶系が六方晶系、立方晶系、正方晶系、三方晶系または斜方晶系のいずれかであり、ａ軸、ｂ軸、ｃ軸の少なくとも１つの格子定数が７〜１５オングストロームである無機化合物を含有するポリエステル樹脂用添加剤、並びにポリエステル樹脂、及び該添加剤を含有するポリエステル樹脂組成物及びその製造法。 - 特許庁 - To obtain a compound semiconductor element such as an LED which is superior in characteristics such as light emitting intensity, by constituting a laminated structure constituted of a group III nitride semiconductor crystal layer in which crystal system is regulated in hexagonal system on a cubic system substrate, such as Si single crystal.
Ｓｉ単結晶等の立方晶基板上に、結晶系が六方晶系に統制されたIII族窒化物半導体結晶層からなる積層構造体を構築し、発光強度等の特性に優れたＬＥＤ等の化合物半導体素子を得る。 - 特許庁 - The invention relates to the blue fluorescent substance for display device comprising zinc sulfide fluorescent substance having a hexagonal crystal system and 1.0-4.0 μm of average particle diameter and having silver and aluminum as activator.
本発明の表示装置用青色発光蛍光体は、平均粒径が１．０〜４．０μｍの銀およびアルミニウムを付活剤とする六方晶系硫化亜鉛蛍光体からなる。 - 特許庁 - The powder particles formed by spraying has magnetoplumbite type hexagonal system crystal structure whose basic composition is expressed by SrO.nFe2O3 (5.0≤n≤6.5), and exhibit superior magnetic characteristics.
噴霧によって生成される粉末粒子は、その基本組成がＳｒＯ・ｎＦｅ_2Ｏ_3（５．０≦ｎ≦６．５）で表現されるマグネトプランバイト型六方晶構造を有しており、優れた磁気特性を発揮する。 - 特許庁 - The fluid passing member for the fuel cell has a nitrided layer Ms having hexagonal system crystal structure on the surface of a substrate M comprising a transition metal or a transition metal alloy.
燃料電池用流体通過部材は、遷移金属又は遷移金属の合金からなる基材Ｍの表面に、立方晶の結晶構造を有する窒化層Ｍｓを備える。 - 特許庁 - The content of the zirconium in the hexagonal system lithium cobaltate is preferable to be 0.01-1.0 mol% to cobalt, and the content of zinc is preferable to be 0.01-5.0 mol% to cobalt.
この六方晶系コバルト酸リチウムのジルコニウム含有量はコバルトに対し０．０１〜１．０モル％であり、亜鉛含有量はコバルトに対し０．０１〜５．０モル％であることが好ましい。 - 特許庁
- 特許庁
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