「implanted electrode」を含む例文一覧(173)
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生体植設用電極リード - 特許庁 - MEASURING ELECTRODE SECTION IMPLANTED IN OLFACTORY BULB OF LABORATORY ANIMAL
実験動物の嗅球に埋め込まれる測定電極部 - 特許庁 - This implanted nerve cuff is equipped with an electrode 14.
この埋め込まれた神経カフは、電極１４を備える。 - 特許庁 - IMPLANTED TYPE ELECTRODE DEVICE, AND ELECTRODE IMPLANTING METHOD AND DEVICE
埋め込み型電極装置及び電極埋め込み方法、電極埋め込み装置 - 特許庁 - Indium ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask for the formation of an amorphous layer, and arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask.
ゲート電極１０２をマスクとしてインジウムをイオン注入してアモルファス層を形成した後、ゲート電極１０２をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁 - Then phosphorous ions are implanted into the gate electrode 7a on the side of an MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor).
そしてｎチャネルＭＩＳＦＥＴ側のゲート電極７ａにリンをイオン注入する。 - 特許庁 - With a gate electrode 4 and an element isolation insulation film 2 as a mask, boron ions 5 are implanted to form a high concentration ion implanted layer 6 for extension.
ゲート電極４及び素子分離絶縁膜２をマスクとして、ボロンイオン５をイオン注入して、高濃度エクステンション用イオン注入層６を形成する。 - 特許庁 - To provide an ion implantation method which enables a reduction of an amount of ions implanted under a conductive film of an electrode or the like and variations in the implanted position independently of employment of oblique ion implantation.
斜めイオン注入を行うにも拘わらず、電極等の導電膜下に注入されるイオンの量や注入位置のばらつきを低減する。 - 特許庁 - ION IMPLANTATION METHOD OF TITANIA PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING ION IMPLANTED TITANIA THIN FILM ELECTRODE
チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 - 特許庁 - The electrode formation region is implanted with ion such as phosphorus as impurity ion injection regions 22 to 25.
電極形成領域にリン等をイオン注入し、不純物イオン注入領域２２〜２５とする。 - 特許庁 - Ions are implanted into the semiconductor layer on both sides of the gate electrode to form drain/source regions.
半導体層のゲート電極を挟む位置にイオン注入してドレイン／ソース領域を形成する。 - 特許庁 - Ions are implanted into the semiconductor substrate to form lightly doped areas using the gate electrode as a mask.
電極をマスクとして基板中にイオンを注入し、低濃度にドープした領域を形成する。 - 特許庁 - In order to form an N source 5a, arsenic ions are implanted into the gate electrode 3a from its edge.
また、Ｎソース５ａを形成するために、ゲート電極３ａのエッジからヒ素を注入する。 - 特許庁 - Thus, the ions are not implanted into the silicon substrate 1 by penetrating through the gage electrode 3.
よって、イオンがゲート電極３を突き抜けてシリコン基板１内に注入されることはない。 - 特許庁 - The electrostimulator includes an electrode block implanted inside a living body, and a stimulation signal generating block outside the body to be connected to the electrode block.
生体内に植え込まれる電極ブロックと、該電極ブロックに接続する体外の刺激信号生成ブロックとを含むものである。 - 特許庁 - Then, ion is implanted for source/drain formation, with the insulating layer 16 left on the emitter electrode 17 and the gate electrode 18.
次に、エミッタ電極１７とゲート電極１８の上に絶縁膜１６を残存させたままソース、ドレイン形成用のイオン注入を行う。 - 特許庁 - An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.
保護膜１１から露出したパッド電極９ａの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁 - A thickness of the emitter electrode 50 is set so that a boron implanted to the emitter electrode 50 does not reach the emitter-base junction due to boron diffusion into the emitter electrode 50.
エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁 - The thickness of the emitter electrode is set in such a manner that boron implanted in the emitter electrode 50 does not diffuse in the emitter electrode 50 to reach an emitter-base joint.
エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。 - 特許庁 - A dynamic focus electrode and at least one electrode G4 placed adjacent to the dynamic focus electrode has at least a metal oxide films 100 formed on the surface of an implanted part G4P which is implanted in a insulating supporting member 21.
ダイナミックフォーカス電極、及び、ダイナミックフォーカス電極に隣接して配置された電極の少なくとも１つＧ４は、少なくとも絶縁支持体２１に植設される植設部Ｇ４Ｐの表面に形成された金属酸化膜１００を備えている。 - 特許庁 - In the electrode structure for the semiconductor device, an electrode layer comprising a region into which p-type impurities are implanted, and another region into which n-type impurities are implanted, and an impurities poured layer formed on the surfaces of these regions and into which the p-type or the n-type impurities are implanted, are formed.
半導体装置の電極構造において、ｐ型の不純物を注入した領域と、ｎ型の不純物を注入した領域とを含む電極層と、これらの領域の表面に形成され、かつ、ｐ型、あるいは、ｎ型の不純物を注入した不純物注入層を形成する。 - 特許庁 - Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.
ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁 - After forming a gate insulation film 14 and a gate electrode 15, by using the gate electrode 15 as a mask, an n-type impurity is implanted into the film 13 to form LDD regions.
ゲート絶縁膜１４，ゲート電極１５を形成後、ゲート電極１５をマスクとしてＬＤＤ領域を形成するためｎ型不純物を注入する。 - 特許庁 - Then a sidewall 12 is formed on the side surface of the gate electrode 11, and As is ion-implanted by using the gate electrode 11 and the sidewall 12 as masks.
その後、ゲート電極１１側面にサイドウォール１２を形成した後、ゲート電極１１及びサイドウォール１２をマスクにＡｓをイオン注入する。 - 特許庁 - For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon.
例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。 - 特許庁 - To keep holding a stimulation electrode at a desired position while an electrostimulator body is implanted in a living body.
装置本体が生体内に植え込まれた状態において、刺激電極を所望の位置で保持し続けるようにする。 - 特許庁 - A gate insulating film and a gate electrode are formed on a substrate, and ions are implanted into the substrate for the formation of a diffused layer.
基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成した後、イオン注入をおこない拡散層を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, impurity ions are implanted with this gate electrode 15 as a mask, thereby forming a source/drain diffusion layer 16.
その後、このゲート電極１５をマスクに不純物イオン注入することにより、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁 - Fluorine ions are implanted into the surface of a silicon substrate 1 around a gate electrode in a PMOS forming region.
ｐＭＯＳ形成領域におけるゲート電極周辺のシリコン基板１表面にフッ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁 - Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode.
そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。 - 特許庁 - Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22.
そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。 - 特許庁 - Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.
その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁 - An opening is formed in the protective layer for exposing the implanted region of the semiconductor layer, and an electrode is formed in the opening.
半導体層の注入領域を露出させるために、保護層に開口が形成され、開口内に電極が形成される。 - 特許庁 - A current is implanted from the p electrode 113 to the DBR area 103, thereby controlling an oscillation wavelength.
ＤＢＲ領域１０３に対してｐ電極１１３から電流を注入することにより、発振波長の制御が行われる。 - 特許庁 - Ions are densely implanted 10 through contact holes 9 bored in an insulating layer 8 covering the gate electrode and the oxide film.
高濃度イオン・インプランテーション１０をゲート電極と酸化膜とを覆う絶縁層８に開けたコンタクト穴９を用いて行う。 - 特許庁 - After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.
ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁 - The electric stimulator to be implanted into the living body via tubular lead-in tool includes: the stimulation electrode to be implanted into the living body to electrically stimulate nerves or muscles; an electronic circuit electrically connected to the stimulation electrode to apply stimulation signals; and a support body for supporting the implantation position of the stimulation electrode inside the living body.
管状導入具を介して生体内に植え込まれる電気刺激装置であって、生体内に植え込まれて神経または筋肉を電気的に刺激する刺激電極と、刺激電極と電気的に結合して刺激信号を印加する電子回路と、刺激電極の生体内の植え込み位置を保持する支持体を備える。 - 特許庁 - After the lower electrode 106a of the capacitor is formed, a thermal oxidation process is performed so that impurity ions implanted into the lower electrode 106a of the capacitor are isolated on the upper surface of the lower electrode of the capacitor.
キャパシター下部電極１０６ａが形成された後、キャパシター下部電極１０６ａに注入された不純物イオンがキャパシター下部電極の上部表面に隔離させるために熱酸化工程を遂行する。 - 特許庁 - Next, impurities are implanted into the semiconductor layer under the exposed gate electrode using the interlayer dielectric and the gate electrodes as masks.
その後、層間絶縁膜及びゲイト電極をマスクとして、前記露呈されたゲイト電極の下の半導体層に不純物を注入する。 - 特許庁 - Impurity ions are implanted onto both sides of the electrode 4 on the surface of the substrate 1 to form a source and a drain.
半導体基板１の表面中であって、ゲート電極４の両側にソース／ドレインを形成するための不純物イオンを注入する。 - 特許庁 - With the gate electrode 12 being the mask, a second conductivity type impurity is ion-implanted in the silicon layer 3 to form source/drain regions 14.
ゲート電極１２をマスクとしてシリコン層３に第２導電型の不純物をイオン注入しソース／ドレイン領域１４を形成する。 - 特許庁 - The surface impurity concentration of the lower implanted layer 12a can be easily set at a certain value suitable for forming a Schottky electrode or an ohmic electrode, and the upper implanted layer 12b containing many defects is removed, so that the surface region of the substrate 11 can be improved in crystallinity.
この下部注入層１２ａの表面の濃度を、ショットキー電極やオーミック電極を形成するのに適した不純物濃度に制御することが容易であり、かつ、欠陥の多い上部注入層１２ｂを除去することで、基板の表面領域の結晶性も向上する。 - 特許庁 - Electrons emitted from the negative electrode 10 side are accelerated as ballistic electrons by the electric field in the MgO layer 30 and implanted into the p-type semiconductor layer 40.
陰極１０側から放たれた電子をＭｇＯ層３０内の電界で加速して弾道電子とし、ｐ型半導体層４０に打ち込む。 - 特許庁 - After boron ions are implanted into another part of the polysilicon film, the resulting polysilicon film is patterned to form a gate electrode 8 and a resistor film 13.
ポリシリコン膜の他部にボロンのイオン注入を行なってから、ポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極８，抵抗体膜１３を形成する。 - 特許庁 - The ions are implanted to a substrate without changing the surface finishing of the wire electrode, by which the triboelectrostatic charge characteristic or electro-negativity of the wire is changed.
ワイヤ電極の表面仕上げを変えることなく、基板にイオンを注入し、ワイヤの摩擦帯電特性または電気陰性度を変化させる。 - 特許庁 - n-type impurities are implanted from above the substrate 1, and the gate electrode 4, a source region 6 and a drain region 7 are formed.
そして、基板１の上方からｎ型の不純物を注入することで、ゲート電極４や、ソース領域６、ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁 - Successively, the impurities are ion-implanted in the semiconductor substrate 4 in a state where the mask film 30 is arranged on the surface of the second gate electrode 28.
続いて、第２ゲート電極２８の表面にマスク膜３０を配置した状態で不純物を半導体基板４にイオン注入する。 - 特許庁 - After a gate electrode is formed, a first-conductivity-type dopant is ion-implanted with high concentration, heat treatment is made, a second-conductivity-type dopant is ion-implanted, a sidewall is formed on a gate side, the first-conductivity-type dopant is ion-implanted, and then heat treatment is made for manufacturing the field effect transistor.
ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁 - In the positive electrode for a lithium ion battery in which a Li_2NiPO_4F-based positive electrode active material is carried by a positive electrode current collector, the Li_2NiPO_4F-based positive electrode active material is implanted into the positive electrode current collector by a physical impact force.
本発明のリチウムイオン電池用正極は、Ｌｉ_２ＮｉＰＯ_４Ｆ系正極活物質が正極用集電体に担持されているリチウムイオン電池用正極であって、前記Ｌｉ_２ＮｉＰＯ_４Ｆ系正極活物質が物理的な衝撃力によって前記正極用集電体に打ち込まれていることを特徴とする。 - 特許庁 - Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.
また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁
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