「include memory」を含む例文一覧(247)

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  • A plurality of memory blocks include redundant memory blocks.
    複数のメモリブロックは、冗長メモリブロックを含む。 - 特許庁
  • The first and second memory chips each include main memory and buffer memory.
    第１及び第２メモリチップのそれぞれはメインメモリとバッファメモリを備える。 - 特許庁
  • Each page in the memory may include a plurality of lines of memory.
    メモリの各ページは複数のメモリのラインを有することができる。 - 特許庁
  • The CPU node may include a cache memory.
    ＣＰＵノードはキャッシュメモリを含むことがある。 - 特許庁
  • The memory transactions 33 include a plurality of memory write command types.
    メモリ・トランザクション３３は、複数のメモリ書き込みコマンド・タイプを含む。 - 特許庁
  • The system may include a memory, an interface, and a processor.
    このシステムは、メモリ、インタフェースおよびプロセッサを含むとよい。 - 特許庁
  • Magnetic Random Access Memory (MRAM) element (812) can include an array of these memory cells (10).
    磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子(812)は、これらのメモリセル(10)のアレイを含むことができる。 - 特許庁
  • An embodiment of the memory system includes a semiconductor memory constituted to include a multiplicity of memory segments.
    メモリシステムの一実施形態は、複数のメモリセグメントを含むべく構成された半導体メモリを含む。 - 特許庁
  • These delay elements include analog random access memory elements, respectively.
    この遅延素子は、アナログのランダムアクセスメモリ素子を含んでいる。 - 特許庁
  • The memory module is configured to be able to include a plurality of the flash memory chips.
    前記メモリモジュールは、複数の前記フラッシュメモリチップを含むことが可能な構成である。 - 特許庁
  • The plurality of memory cell groups include first or second memory cells which are connected in series.
    複数のメモリセル群は、直列接続された第一乃至第二のメモリセルを有する。 - 特許庁
  • A memory system in which the access speed can be adjusted may include a memory and a memory controller 104.
    アクセス速度が調節されることができるメモリ・システムは、メモリ及びメモリ・コントローラ１０４を含むことができる。 - 特許庁
  • The trim DAC may include a programmable Read Only Memory (ROM) or other suitable memory device.
    トリムＤＡＣは、プログラマブル読出専用メモリ（ＲＯＭ）または他の好適なメモリ装置を含み得る。 - 特許庁
  • The first and second memory strings include: first and second memory cell groups having a plurality of memory cells; and first and second selection gates.
    第１、第２メモリストリングは、複数のメモリセルを有する第１、第２メモリセル群と、第１、第２選択ゲートと、を有する。 - 特許庁
  • The first memory pool and the second memory pool respectively include a memory part marked for the first thread and the second thread by the system memory.
    第１メモリ・プールおよび第２メモリ・プールはそれぞれ、システム・メモリによって第１スレッドおよび第２スレッドのためにマークされたメモリ部分を含む。 - 特許庁
  • A plurality of memory cell groups (G0 to G11) include a plurality of reading object groups (memory cell groups G0 to G6 or memory cell groups G7 to G11).
    複数のメモリセル群（Ｇ０〜Ｇ１１）は複数の読出対象群（メモリセル群Ｇ０〜Ｇ６またはメモリセル群Ｇ７〜Ｇ１１）を含む。 - 特許庁
  • The book can further include a memory, a power source, a control function, and communication.
    上記ブックはさらに、メモリ、電源、コントロール機能および通信を含み得る。 - 特許庁
  • The memory cell includes a magnetoresistive sensor that comprises layers that include a free layer.
    メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。 - 特許庁
  • The book may additionally include a memory, a power supply, control functions and communication means.
    上記ブックはさらに、メモリ、電源、コントロール機能および通信を含み得る。 - 特許庁
  • The memory backup system, also, can include a plurality of nonvolatile memory cells connected to the first memory cell.
    メモリバックアップシステムは、また、複数の第１のメモリセルと、この第１のメモリセルに接続された複数の不揮発性メモリセルを含むことができる。 - 特許庁
  • Memory cells 10, 11 include a read port having a reading transistor QN5.
    メモリセル１０，１１は、リード用トランジスタＱＮ５を有するリードポートを備えている。 - 特許庁
  • Home receivers 4 and 6 include memory devices 41 and 61 for recording voice.
    戸別受信機４，６は、音声を録音可能なメモリ装置４１，６１を含む。 - 特許庁
  • Public-address receivers 3 and 5 include memory devices 31 and 51 for recoding voice.
    拡声受信装置３，５は、音声を録音可能なメモリ装置３１，５１を含む。 - 特許庁
  • The binary data include information bits whose number is equal to the number of the plurality of memory cells.
    上記バイナリデータは、複数のメモリセルの数と等しい数の情報ビットを含む。 - 特許庁
  • The memory sections (23, 24) include: a first memory section (23); a second memory section (24) driven independently from the first memory section (23); and a reset drain (26) resetting a charge supplied to the second memory section (24).
    そのメモリ部（２３、２４）は、第１メモリ部（２３）と、第１メモリ部（２３）と独立に駆動される第２メモリ部（２４）と、第２メモリ部（２４）に供給される電荷をリセットするリセットドレイン（２６）とを備えるものとする。 - 特許庁
  • To provide methods and apparatus for controlling a cache memory which may include an L1 cache memory, an L2 cache memory and/or further lower level cache memories.
    Ｌ１キャッシュメモリ、Ｌ２キャッシュメモリおよび／またはより下位のレベルキャッシュメモリを備え得るキャッシュメモリを制御するための方法ならびに装置を提供する。 - 特許庁
  • The plural memory modules include at least one memory module for data, at least one memory module for data correction and at least one hot spare module.
    複数のメモリモジュールは、少なくとも一つのデータ用のメモリモジュールと、少なくとも一つのデータ訂正用のメモリモジュールと、少なくとも一つのホットスペアモジュールとを含む。 - 特許庁
  • The flight management system may include a processor and a memory accessible from the processor.
    この飛行管理システムは、プロセッサと、プロセッサからアクセス可能なメモリとを含むことができる。 - 特許庁
  • A second data structure may include a plurality of internal memory units for validating individual address designation.
    第２データ構造は、複数の個別アドレス指定可能内部メモリユニットを含んでよい。 - 特許庁
  • The first and the second banks include at least a train of one fixed code injection memory cell.
    第１及び第２のバンクは少なくとも１つの固定コード注入メモリセルの列を含む。 - 特許庁
  • Memory cells 1 to 8 include an soft magnetic layer, a tunnel resistive layer, and a hard magnetic layer.
    メモリセル１〜８は、軟質磁性層、トンネル抵抗層および硬質磁性層を含む。 - 特許庁
  • The data stored in a memory 50 include the information on the output level.
    このため、メモリ５０に記憶されているデータは、出力レベルについての情報も含んでいる。 - 特許庁
  • The memory device may include an output port and/or a removable storage medium.
    記憶装置は、出力ポートおよび／または取外し可能な記憶媒体も含むことができる。 - 特許庁
  • The system 100 may include a plurality of storage devices 102 and a memory virtualization device 204.
    システム１００は、複数のストレージ装置１０２と記憶仮想化装置２０４とを含む。 - 特許庁
  • The gate electrodes MG, SG and PG of a NAND flash memory include a cobalt silicide film 4.
    ＮＡＮＤフラッシュメモリのゲート電極ＭＧ、ＳＧ、ＰＧにコバルトシリサイド膜４を設ける。 - 特許庁
  • A plurality of memory slots are connected to the memory bus, adapter ports are related to at least some of the plurality of memory slots, and the respective adapter ports include related memory resources.
    複数のメモリスロットがメモリバスと接続され、アダプタポートが複数のメモリスロットのうちの少なくとも一部と関連付けられ、アダプタポートの各々は、関連付けられたメモリリソースを含む。 - 特許庁
  • The plurality of program states include program states whose number is equal to two times the number of memory cells in the plurality of memory cells.
    上記複数のプログラム状態は、上記複数のメモリセルにおけるメモリセルの数の２倍と等しい数のプログラム状態を含む。 - 特許庁
  • IC memory devices include a memory cell array that is configured to output data bits in parallel at a first data transfer rate and an output circuit.
    第１データ転送速度で並列にデータビットを出力するメモリセルアレイと出力回路とを含む半導体装置である。 - 特許庁
  • The row address code is designed to determine the memory blocks to be simultaneously refreshed out of the memory blocks so that the memory blocks including the sub-standard memory cells which should be refreshed in a shorter cycle than other memory cells can be simultaneously refreshed and the memory blocks which do not include the sub-standard memory cell can be simultaneously refreshed.
    ロウアドレスコードはメモリブロックのうち同時にリフレッシュされるメモリブロックを決定し、他のメモリセルよりさらに短い周期でリフレッシュするべきサブスタンダードメモリセルを含むメモリブロックが同時にリフレッシュでき、サブスタンダ−ドメモリセルを含まないメモリブロックが同時にリフレッシュできるように設計される。 - 特許庁
  • The RF tag 106 can include a memory for storing data of the target device 38.
    ＲＦタグ１０６はまた、対象装置３８のデータを格納するためのメモリを含むことができる。 - 特許庁
  • The memory positions (56, 58) each include a non-magnetic layer (60, 64) and a switchable magnetic layer (62, 66).
    各メモリ位置（５６，５８）は非磁気層（６０，６４）と切替え可能な磁気層（６２，６６）とを含む。 - 特許庁
  • The executable program can include at least one function that writes to a memory of the client.
    実行可能プログラムは、クライアントのメモリに書き込む少なくとも１つの関数を含むことができる。 - 特許庁
  • The resistance memory cells (170 and 175) may include a magnetic tunnel joint and a thin film diode (260).
    抵抗性メモリセル（１７０，１７５）は、磁気トンネル接合と薄膜ダイオード（２６０）を含むことができる。 - 特許庁
  • The memory is sized to include a plurality of lines for storing a band of an image and additional lines.
    メモリは画像のバンドと追加のラインを蓄積するために複数のラインを含むサイズを有する。 - 特許庁
  • Memory arrays ARY0, ARY1 respectively include a normal area 108 and a spare area 110.
    メモリアレイＡＲＹ０、ＡＲＹ１は、それぞれ正規領域１０８と予備領域１１０を含む。 - 特許庁
  • This circuit can include a monitor random access memory(RAM) (120) and a monitor circuit (130).
    この回路はモニタランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）（１２０）、およびモニタ回路（１３０）を含むことができる。 - 特許庁
  • The required circuit sections include the telephone number memory 13 and a display section 7 displaying the telephone number.
    必要回路部分は、電話番号メモリ１３と電話番号を表示する表示部７を含む。 - 特許庁
  • The reference layers (40) of the plurality of memory cells (12') include permanent magnets having a high coercivity.
    複数のメモリセル（１２´）それぞれの基準層（４０）は、高保磁力の永久磁石を含む。 - 特許庁
  • symptoms include loss of memory, confusion, difficulty thinking, and changes in language, behavior, and personality.
    症状としては、記憶障害、混乱、思考困難、話し方や行動、人格の変化などがみられる。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • Important features include multifunctionality, good design, fast response, PC connectivity and memory capacity.
    重視する機能は、多機能性、デザインの良さ、反応の速さ、ＰＣとの連動性、メモリの容量など。 - 経済産業省
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