「indium antimonide」を含む例文一覧(2)

  • iii. Focal plane arrays which use indium antimonide or lead selenide with less than 256 elements
    ３　アンチモン化インジウム又はセレン化鉛を用いたものであって、素子の数が二五六未満のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).
    なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

例文データの著作権について