「indium phosphide」を含む例文一覧(29)
- INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE, AND INDIUM PHOSPHIDE CRYSTAL
燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 - 特許庁 - METHOD OF DIRECTLY SYNTHESIZING INDIUM PHOSPHIDE
リン化インジウムの直接合成法 - 特許庁 - INDIUM NITRIDE/INDIUM PHOSPHIDE/TITANIUM DIOXIDE PHOTOSENSITIZED ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩｎＮ／ＩｎＰ／ＴｉＯ２光感作電極およびその製造方法 - 特許庁 - ZINC SOLID PHASE DIFFUSION METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE (InP) SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT AND INDIUM PHOSPHIDE SYSTEM LIGHT RECEIVING ELEMENT
ＩｎＰ系受光素子の亜鉛固相拡散方法とＩｎＰ系受光素子 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF INDIUM NITRIDE NANOWIRE COVERED WITH INDIUM PHOSPHIDE
リン化インジウムで被覆された窒化インジウムナノワイヤーの製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE NANO STRUCTURE
リン化インジウムナノ構造物の製造方法 - 特許庁 - To provide a method of directly synthesizing indium phosphide.
リン化インジウムを直接合成する方法。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE NANO-TUBE
リン化インジウムナノチューブの製造方法 - 特許庁 - To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost.
ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。 - 特許庁 - INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法 - 特許庁 - When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.
燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁 - PROCESS FOR FORMING INDIUM PHOSPHIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE
シリコン基板上にリン化インジウム層を形成する方法 - 特許庁 - ① IARC classified indium phosphide as Group 2A (probable) human carcinogen.
①IARCではリン化インジウムとしての発がん性はグループ2Aと分類した。 - 厚生労働省 - Zinc sulfide, gallium nitride, gallium phosphide or indium phosphide is employed as the matrix, and terbium, europium, etc., are used as the activator.
発光母体として硫化亜鉛又は、窒化ガリウム又は、燐化ガリウム又は、燐化インジウム、付活剤としてテルビウム、ユーロピウム等を使用する。 - 特許庁 - Indium phosphide nanowires are synthesized by heating a mixture 4 of an indium phosphide powder and an indium powder at 950-1,050°C for 0.5-0.8 h in an inert gas stream.
リン化インジウム粉末とインジウム粉末の混合物４を不活性ガス気流中で９５０℃〜１０５０℃に０．５時間〜０．８時間加熱してリン化インジウムナノワイヤーを合成する。 - 特許庁 - Thereafter, each indium phosphide nanowire is covered with the carbon film by depositing the carbon film on the surface of each indium phosphide nanowire by subsequently heating the indium phosphide nanowires at 950-1,050°C for 10-30 min while making an inert gas and methane gas flow.
その後不活性ガス及びメタンガスを流しながら、引き続き、９５０℃〜１０５０℃に１０分〜３０分間加熱することにより、リン化インジウムナノワイヤーの表面に炭素膜を堆積させることで、リン化インジウムナノワイヤーを炭素膜で被覆する。 - 特許庁 - The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide.
また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。 - 特許庁 - Carcinogenicity of other compounds than indium phosphide is unknown but is thought indium as cause of carcinogen.
リン化インジウム以外のインジウム化合物の発がん性は不明であるが、発がん性はインジウムに起因していると考えられる。 - 厚生労働省 - To solve the problems inherent to a conventional process for growing a high-quality indium phosphide thin film on a indium phosphide substrate, such as smallness of a wafer and brittleness and expensiveness of the substrate.
従来のリン化インジウム基板上における高品質リン化インジウム薄膜成長による方法の特徴であるウエハサイズが小さく、脆く、且つ高価であるという固有の問題点を克服すること。 - 特許庁 - A process for forming the high-quality epitaxial indium phosphide layer on a silicon substrate can generate the relatively large (e.g. maximum diameter of 300 mm), high-quality indium phosphide film equipped with a relatively high mechanical stability provided by the silicon substrate.
本発明は、シリコン基板上に高品質のエピタキシャルリン化インジウム層を形成する方法とこの方法によって形成された半導体デバイスを提供するものである。 - 特許庁 - The carbon film can prevent the deterioration of the properties of the indium phosphide nanowires by preventing the oxidation of them since it is chemically stable.
炭素膜は化学的に安定なので、リン化インジウムナノワイヤーの酸化を防止して、性状が劣化することを防ぐ。 - 特許庁 - A passivation layer 14 is formed on a sub-collector layer 12 where silicon of high concentration is doped in an indium phosphide material.
リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。 - 特許庁 - The mixture of zinc sulfide powder and indium phosphide powder is put in a graphite-made vessel and heated at 1,250±50°C for 50±20 minutes while making an inert gas flow in the graphite-made vessel to produce the zinc phosphide nanoribbon having the branch-shaped part of the zinc sulfide nanowire.
硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。 - 特許庁 - To obtain an indium phosphide single crystal in a high yield with good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method, or a horizontal boat method.
液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で燐化インジウム単結晶を得ることを可能にする。 - 特許庁 - Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).
なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁 - A first loop circuit is implemented using CMOS gates, and a second loop circuit and the tuning circuit are implemented using indium phosphide gates.
第１ループ回路は、ＣＭＯＳゲートを用いて実施され、第２ループ回路およびチューニング回路は、燐化インジウム・ゲートを用いて実施されている。 - 特許庁 - To provide indium phosphide nanowires each covered with a chemically inert carbon film, which are useful as a material for a high-speed electronic device or an optical device, and a method for producing the same.
高速電子デバイスや光学デバイス用材料として有用な化学的に不活性な、炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor light element on an InP (indium phosphide) substrate having an active layer constituted of an Al series material reduced in oxidization of an Al containing layer while improving heat dissipating property.
放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。 - 特許庁 - The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains.
０．０５〜０．３重量％のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、１〜２５０ｐｐｍのリンに相当する量のガリウム燐化物および／またはインジウム燐化物、および／または１〜２重量％のＴｉおよび１〜２重量％のＢを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。 - 特許庁
