「initial layer」を含む例文一覧(557)

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  • An initial oxynitride layer having an initial physical thickness is formed on a substrate.
    基板材料上に、初期物理厚を有する初期酸窒化物層を形成することを含む。 - 特許庁
  • The actuator is generated by settling in an electrode layer of an initial layer.
    アクチュエータは初期層の電極層に沈着することによって生成される。 - 特許庁
  • As for a method for forming the underlayer 2, the initial layer part is deposited at a low gas pressure, and the surface layer is deposited at a higher gas pressure than the initial layer part.
    下地層２の形成方法としては、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する。 - 特許庁
  • As a forming method of the underlayer 2, the initial layer part is film-deposited by a lower gas pressure and the surface layer is film-deposited by a gas pressure higher than that of the initial layer part.
    下地層２の形成方法としては、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する。 - 特許庁
  • An initial host layer image generating circuit 1 generates an initial host image from a received original image.
    初期上位階層画像生成回路１は、入力された原画像から初期上位画像を生成する。 - 特許庁
  • Furthermore, the refractive index of the intermediate layer 1 is made to be same as a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth.
    さらに中間層１の屈折率は再成長の初期に生じる再成長初期層の屈折率と同じになるようにした。 - 特許庁
  • A compound semiconductor device comprises: a substrate 1; an initial layer 2 formed on the substrate 1; and a core layer 3 that is formed on the initial layer 2 and contains a group III-V compound semiconductor.
    基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。 - 特許庁
  • A V/III ratio is made higher in the formation of the composite layer 111 than in the formation of the initial layer 110.
    複合層１１１形成時のＶ／III 比は、初期層１１０形成時よりも高くしている。 - 特許庁
  • Besides a direction forming 90° angle with the initial alignment direction of the first alignment layer 9Aa is made to be the initial alignment direction of the second alignment layer 9Ab.
    そして、第１配向層９Ａａの初期配向方位と９０度をなす角度を第２配向層９Ａｂの初期配向方位とする。 - 特許庁
  • The initial layer 53 is formed at a thickness of 5 nm with low oxygen partial pressure.
    初期層５３は、低酸素分圧にて５ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁
  • The initial layer 2 is formed as a layer composed of a group III element of the group III-V compound semiconductor contained in the core layer 3.
    初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 - 特許庁
  • An initial layer or initial nucleuses are grown into an atomic layer at a first temperature, at which the initial layer or the initial nucleuses are hardly crystallized, prior to the growth of the perovskite oxide ferroelectric thin film, then the initial layer or the initial nucleuses are heated up to a second temperature higher than the first temperature so as to be crystallized, and then the objective perovskite oxide ferroelectric thin film is grown.
    目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜の成長に先立って初期層もしくは初期核が結晶化しない第１の温度で初期層もしくは初期核を原子層成長させ、引き続いて第１の温度より高い第２の温度に昇温して初期層もしくは初期核を結晶化した後、目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜を成長する。 - 特許庁
  • An initial layer (16) formed of a conductive film is formed on a surface of a master (26) on which a pattern of minute protrusions/recesses is formed, and then a magnetic layer (principal layer) (14) is formed on the initial layer (16), and then, a metal layer (28) is formed by means of electroforming.
    微細な凹凸状パターンが形成された原盤(26)の表面に、導電膜による初期層(16)を形成し、次いでこの初期層(16)の上に磁性層（主層)（14)を形成した後、電鋳法により金属層(28)を形成する。 - 特許庁
  • In the initial stage of the film deposition, an initial layer is deposited on the wafer W in an atmosphere containing oxygen in an amount lower than the proper value.
    成膜の初期段階で、適正量より酸素が欠乏した雰囲気で、基板Ｗ上に初期層を形成する。 - 特許庁
  • Subsequently, an initial nuclear layer made of Sb and In is formed (B region).
    引き続いて、ＳｂとＩｎとからなる初期核層を形成する（Ｂ領域）。 - 特許庁
  • Next, at least a portion of the initial oxide layer (104), overlying the heavily-doped N+ layer, is removed.
    次に、濃くドープされたＮ＋層の上層の初期の酸化物層（１０４）の少なくとも一部分が取除かれる。 - 特許庁
  • Thickness of the refractory layer on the furnace shell side is set in the range of 1/3-1/2 of the initial thickness of the entire refractory layer.
    炉殻側耐火物層の厚みは全耐火物層の初期厚みの１／３〜１／２とすることが好ましい。 - 特許庁
  • The insulating layer 45 has high fluidity at the initial stage of the circuit board jointing process.
    絶縁層４５は、回路基板接合の初期に高い流動性を備えている。 - 特許庁
  • METHOD FOR AUTOMATICALLY CONTROLLING WELDING IN INITIAL LAYER PENETRATION WELDING OF MULTILAYER FILL ARC WELDING
    多層盛りアーク溶接の初層裏波溶接における自動溶接制御方法 - 特許庁
  • An integrated duplicated disk (30) having at least two layers, the initial layer (16) and the metal layer (28), is peeled from the master disk (26) and, the master disk for transfer that is the duplicate disk (30) with the initial layer (16) formed on the rugged surface of the metal layer (28) is obtained.
    こうして、少なくとも初期層(16)と金属層(28)の２層を有して一体となった複版(30)を原盤(26)から剥離し、金属層(28)の凹凸面に初期層(16)が積層形成された複版(30)である転写用原盤を得る。 - 特許庁
  • To provide improve the orientability of a magnetic recording layer, to reduce the initial growth at the magnetic recording layer and to decrease the crystal grain sizes of the magnetic recording layer.
    磁気記録層の配向性を改善し、磁気記録層における初期成長を低減し、磁気記録層の結晶粒径を低減すること。 - 特許庁
  • The electric double layer capacitor 2 bears input and output at the initial stage of high-rate charge and discharge.
    高率充放電時の初期に電気二重層キャパシタ２が入出力を担う。 - 特許庁
  • Next, the size L1 of the initial pattern on the resist layer 4a is measured in a step S5.
    次に、ステップＳ５にてレジスト層４ａの初期パターンの寸法Ｌ１を計測する。 - 特許庁
  • Mumei Toshiro, a short sword with no inscription, also has a thick initial layer that measures over seven millimeters.
    無銘の名物、無銘藤四郎（むめいとうしろう、短刀）も元重ね厚く7mm強ある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the pressing, the density is intensively improved at the surface layer portion 18 to form the decarburized surface layer portion 18 whose density is higher than the initial forming density and close to the true density, and whose carbon concentration is lower than the initial value, and an inner portion whose density is substantially the initial forming density, and whose concentration is the initial carbon concentration.
    加圧処理において、密度の向上は表層部１８で集中的に生じ、初期成形密度より高く真密度に近い密度で初期炭素濃度より低い炭素濃度の脱炭表層部１８と実質的に初期成形密度で初期炭素濃度の内部が形成される。 - 特許庁
  • A buffer layer 11 formed on the Si substrate 10 has a structure in which an initial layer 110 and a composite layer 111 of ≥4 μm in thickness are laminated.
    Ｓｉ基板１０上に形成されたバッファ層１１は、初期層１１０と厚さ４μｍ以上の複合層１１１が積層された構造である。 - 特許庁
  • The method is provided with a cleaning stage where an Si substrate is subjected to heating cleaning; an initial layer forming stage where an initial layer consisting of β-FeSi_2 is formed on the Si substrate at a first temperature; and a growing stage where the initial layer is grown at a second temperature higher than the first temperature.
    この発明の方法は、Ｓｉ基板を加熱クリーニングするクリーニング工程と、β−ＦｅＳｉ_２からなる初期層を第１の温度でＳｉ基板上に形成する初期層形成工程と、初期層を第１の温度より高い第２の温度で成長させる成長工程とを備える。 - 特許庁
  • An initial focusing layer where a laser beam is focused first is one information layer different from the reference information layer, and after the initial focusing layer is focused once, the information is recorded and/or reproduced after layer moving to the reference information layer.
    基準情報層と初期合焦層を異ならしめることにより、光情報記録媒体の表面から基準情報層までの厚みと中間層の厚みの大きくし、光学ヘッドの設定上の最小収差位置と情報層との位置関係を調整することによって、層間クロストークの影響を軽減する。 - 特許庁
  • The nitride semiconductor element comprises a distortion suppression layer 110 formed on a silicon substrate 101 via an initial layer 102 and an operation layer 120 formed on the distortion suppression layer.
    窒化物半導体素子は、シリコン基板１０１の上に初期層１０２を介して形成された歪み抑制層１１０と、歪み抑制層の上に形成された動作層１２０とを備えている。 - 特許庁
  • The plasma treatment layer 45 can be formed in such a way that the surface of the fixation layer 44, the film-formation initial layer of the antiferromagnetic layer 46 or several atomic layers of both are exposed to an argon ion plasma.
    プラズマ処理層４５は固定層４４の表面、反強磁性層４６の成膜初期層、又は双方の数原子層をアルゴンイオンプラズマに曝すことで形成することができる。 - 特許庁
  • An image of the imaged lacrimal fluid layer is processed to measure the expansion initial speed H' of the lacrimal fluid layer at a point of time when an eyelid opens.
    撮像された涙液油層の画像を処理して開瞼時点での涙液油層の伸展初速度Ｈ’を測定する。 - 特許庁
  • The layer 3 is formed on the layer 2 as a continuous film from the initial period of growth.
    Ｍｇ−ＧａＮ第１高温バッファ層３は成長初期から連続膜としてＡｌＧａＮ低温バッファ層２上に形成される。 - 特許庁
  • INITIAL SETTING METHOD OF ELECTROSTATIC CHARGING CONDITION IN ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE USING ORGANIC SINGLE-LAYER PHOTORECEPTOR
    有機単層感光体を用いた電子写真装置における帯電条件の初期設定方法 - 特許庁
  • Therefore, the chrome thin film 22 is etched along the initial pattern of the resist layer 23.
    従って、本発明によれば、クロム薄膜２２はレジスト層２３の初期パターンに沿ってエッチングされる。 - 特許庁
  • In steps S1-S4, a resist layer 4a of an initial pattern is formed on the surface of a substrate 2.
    ステップＳ１〜Ｓ４にて、基板２の表面に初期パターンのレジスト層４ａを形成する。 - 特許庁
  • To improve cutting sharpeness of initial grinding, and improve holding force for super-abrasive grain in an abrasive grain layer.
    初期研削の切れ味を向上し、砥粒層での超砥粒の保持力を向上する。 - 特許庁
  • The corners of the trench are rounded by the initial molding and removal of a sacrificial oxide layer.
    トレンチの角には、最初の成形及び犠牲酸化物層の除去によって丸みが与えられる。 - 特許庁
  • The method includes forming an assembly of the initial substrate (1) with one face (25) of a silicone polymer layer (20), this face having been treated under an ultraviolet radiation, and processing the initial substrate (1) to form the thin layer (5) on the silicone polymer layer (20).
    シリコン型ポリマー層（２０）の一面（２５）に前記初期基板（１）を接合させ、前記一面には紫外線処理が施されており、前記初期基板（１）を薄化することで前記シリコン型ポリマー層（２０）上に薄層（５）を形成する。 - 特許庁
  • In a third processing step, a part of the photoresist layer 9 is removed by development such that an initial surface pattern having sacrificial layer regions 25 is obtained.
    第３処理ステップにて、フォトレジスト層９の一部を現像除去し、犠牲層領域２５を有する初期表面パターンを得る。 - 特許庁
  • Then a plasma nitride forming treatment is applied for the initial oxynitride layer, and the final oxynitride layer having the final physical thickness is formed.
    次いで初期酸窒化物層にプラズマ窒化物形成を行い、それによって、最終物理厚を有する最終酸窒化物層が得られる。 - 特許庁
  • The electron potential energy of the lower-part diode impurity layer 41 in an initial state is higher than that of the floating diffusion layer 43.
    下部ダイオード不純物層４１の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層４３の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。 - 特許庁
  • To provide an electrocatalyst layer for a fuel cell which is excellent in the initial performance and the durability.
    初期性能および耐久性の双方に優れる燃料電池用電極触媒層を提供する。 - 特許庁
  • To improve magnetic characteristics and electric-to-magnetic conversion by reducing an initial grown layer on a magnetic layer by applying a positive bias.
    正バイアス印加を行うことにより、磁気記録層に存在する初期成長層を低減し、磁気特性・電磁変換特性を向上させること。 - 特許庁
  • The sintered parts are decarburized to form a decarburized surface layer portion 18 in which the carbon concentration is lower than the initial value only for the surface layer portion.
    その焼結部品が脱炭処理され、表層部のみ初期炭素濃度より低い炭素濃度の脱炭表層部１８が形成される。 - 特許庁
  • In its manufacturing method, after the initial crystalizing inducing layer 32 is formed, the phase change recording material layer 31 is formed.
    その製造方法は、初期結晶化誘起層３２を成膜した後に相変化記録材料層３１を成膜することを特徴としている。 - 特許庁
  • A focusing search for a first layer 11 is performed from an initial position where an optical pickup 13 is descended and a focusing servo for a second layer 12 is performed from an initial position where the optical pickup 13 is ascended by a servo controlling device 16.
    サーボ制御手段１６は、第１層１１のフォーカスサーチは光ピックアップ１３を下降させた初期位置から行い、第２層１２のフォーカスサーボは光ピックアップ１３を上昇させた初期位置から行う。 - 特許庁
  • In a method for manufacturing the near-field light generator, an initial cladding layer is formed on the waveguide 14, and then the initial cladding layer is taper-etched by RIE to form a recess that does not reach a top surface of the waveguide 14.
    近接場光発生器の製造方法では、導波路１４の上に初期クラッド層を形成した後、ＲＩＥを用いて初期クラッド層をテーパーエッチングして、導波路１４の上面に達しない凹部を形成する。 - 特許庁
  • On a base film 51, a lower electrode 52 formed of Ir, an initial layer 53 of a PZT film, a core layer 54, a termination layer 55 and an upper electrode 56 formed of IrO_2 are formed.
    下地膜５１上に、Ｉｒからなる下部電極５２、ＰＺＴ膜の初期層５３、コア層５４及び終端層５５、並びにＩｒＯ_2からなる上部電極５６を形成する。 - 特許庁
  • In a fifth processing step, energy is applied to the initial surface pattern in order to destabilize the sacrificial layer regions 25.
    第５処理ステップにて、犠牲層領域２５を不安定化させるため初期表面パターンにエネルギーを適用。 - 特許庁
  • THROW-AWY CUTTING TIP MADE OF SURFACE SHEATHED SUPER HARD ALLOY EXHIBITING EXCELLENT INITIAL TIPPING RESISTANT PROPERTY AT ITS HARD COATED LAYER
    硬質被覆層がすぐれた耐初期チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製スローアウエイ切削チップ - 特許庁
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