「interband」を含む例文一覧(14)
- GENERATING METHOD AND DETECTING METHOD OF INTERBAND PHASE DIFFERENCE SOLITON, AND INTERBAND PHASE DIFFERENCE SOLITON CIRCUIT
バンド間位相差ソリトンの発生方法と検出方法，及びバンド間位相差ソリトン回路 - 特許庁 - Plasmon excitation does not involve interband transitions of the fast electron.
プラズモン励起は、高速電子のバンド内遷移を伴わない。 - 科学技術論文動詞集 - To provide a semiconductor device having a tunnel transistor that has a structure in which interband tunnelling is generated in a lateral direction, and has a large region where the interband tunnelling is generated.
バンド間トンネリングが横方向に起こる構造を有し、バンド間トンネリングが起こる領域が大きいトンネルトランジスタを備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The low-loss region with energy losses below 50 eV contains the plasmon losses and interband transitions.
エネルギー損失50eV未満の低損失領域は、プラズモンロスとバンド間遷移を含んでいる。 - 科学技術論文動詞集 - A interband width W of the adjacent platinum film band in the temperature sensing resistance 2 is 40 μm or more.
感温性抵抗体２の隣接する白金薄膜帯の帯間幅Ｗが４０μｍ以上である。 - 特許庁 - Since diffraction contrast is mainly due to interband scattering, plasmon scattering can be neglected in contrast theories.
回折コントラストは、主にインターバンド散乱によるものなので、プラズモン散乱はコントラスト理論において無視できる。 - 科学技術論文動詞集 - To selectively suppress the occurrence of interband tunnels using a simple convenient method, when a MOS transistor is scaled down.
ＭＯＳトランジスタが微細化した場合に、バンド間トンネルを簡便な方法で選択的に抑制できるようにする。 - 特許庁 - The symmetry (type) of Bloch waves is changed in an interband transition and preserved in an intraband transition.
ブロッホ波の対称性(の型)はインターバンド・トランジションにおいては変化し、イントラバンド・トランジションにおいては保持される。 - 科学技術論文動詞集 - To provide a method for erasing a nonvolatile TFT memory at low voltage by making it possible to erase it through interband tunneling by controlling a body electric potential.
不揮発性ＴＦＴメモリにおいて、ボディの電位を制御することによってバンド間トンネリングによる消去を可能にし、低電圧で消去する方法を提供する。 - 特許庁 - The at least one laser device (104) is one of a quantum cascade laser, a tunable diode laser, a vertical resonance type surface emitting laser and an interband cascade laser.
また、前記少なくとも１つのレーザー装置（１０４）は、量子カスケードレーザー、チューナブルダイオードレーザー、垂直共振型面発光レーザー及びバンド間カスケードレーザーのうちの１つである。 - 特許庁 - Thereby, in comparison with a writing method using conventional interband hot-electron injection, writing efficiency is improved, and achieved in large capacity by the three-dimensional structure and a multiple-stage laminating structure.
これにより従来のバンド間ホットエレクトロン注入を用いた書き込み方式に比べ書き込み効率が向上し、３次元化、多段積層化により大容量化を実現する。 - 特許庁 - An electron in a high-energy Bloch wave state in a crystal makes a transition to one of lower energy with the simultaneous emission of a quantum of radiation. This necessitates an interband transition of the fast electron.
結晶中の高エネルギーのブロッホ波状態にある電子は、放射量子の同時放出によって低エネルギーのブロッホ状態にある電子に遷移する。この過程は、高速電子のバンド内遷移を必要とする。 - 科学技術論文動詞集 - The memory cell of the nonvolatile semiconductor memory is formed into a three-dimensional structure, and hot electrons caused by interband tunneling are generated near a drain, and further, the hot electrons are so injected into a charge accumulating layer disposed at a large solid angle with respect to to the end of its drain by the three-dimensional structure as to perform data writing.
メモリセルを３次元構造化し、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを３次元化によりドレイン端に対して大きな立体角で配置される電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行う。 - 特許庁 - This multiband superconductor having the domain structure with the thin domain wall is provided by making a potential fluctuated at a period of 2π of an interband phase difference compete with a potential fluctuated at a period of π or less, and by generating thereby breakage of time symmetry in the multiband superconductor.
バンド間位相差の２πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。 - 特許庁
- Copyright(C)1996-2026 JEOL Ltd., All Rights Reserved.
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
