Furthermore, bump electrodes or barrier metal is used for semiconductor device interconnect lines in addition to aluminum interconnect lines. さらに、半導体装置の配線をアルミ配線だけでなく、バンプ電極あるいは、バリアメタルを用いた。 - 特許庁
Similarly, permittivity is equalized in the other first interconnect 44 and second interconnect 45. 同様に、他方の第1配線44および第2配線45で同様に誘電率は均一化される。 - 特許庁
The longest interconnect and the shortest interconnect are adjacently arranged (step S11). 最長の配線と最短の配線とが隣り合うように配置する(ステップS11)。 - 特許庁
To provide an interconnect structure of a leadframe, and to provide an interconnect method of the leadframe. リードフレームの内部接続構造、及び、その接続方法を提供する。 - 特許庁
Permittivity is thereby equalized in the first interconnect 34 and the second interconnect 35. こうして第1配線34および第2配線35で誘電率は均一化される。 - 特許庁
Interconnect 6w to be electrically connected to the exposed interconnect 5w is formed further ((G)step). 露出した配線5wに電気的に接続する配線6wがさらに形成される((G)工程)。 - 特許庁
An interconnect circuit includes a drive circuit and receiving circuit. 相互接続回路は、駆動回路と受信回路を含む。 - 特許庁
To provide an interconnect circuit for communicating data. データを伝達するための相互接続回路を提供する。 - 特許庁
The interconnect structure includes a collection of synchronizing elements. 相互接続構造は同期化素子の集まりを含む。 - 特許庁
The signal wire 4a is of the global signal interconnect. 信号配線4aはグローバル信号配線である。 - 特許庁
COPPER INTERCONNECT 銅配線 - 特許庁
OPTICAL INTERCONNECT DEVICE 光インタコネクト装置 - 特許庁
INTERCONNECT SUBSTRATE インターコネクト基板 - 特許庁
METAL MATERIAL FOR SUBSTRATE INTERCONNECT 基板配線用金属材 - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE OF LEADFRAME, AND INTERCONNECT METHOD OF LEADFRAME リードフレームの内部接続構造、及び、その接続方法 - 特許庁
INTERCONNECT SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING INTERCONNECT SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE 配線基板、配線基板の製造方法、半導体装置 - 特許庁
INTERCONNECT SUBSTRATE AND ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE 配線基板および電子回路装置 - 特許庁
COPPER INTERCONNECT OF AIR GAP エアギャップの銅のインタコネクト - 特許庁
PROCESS AND EQUIPMENT FOR FORMING INTERCONNECT LINE 配線形成方法及び装置 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT INTERCONNECT SYSTEM 集積回路の相互接続システム - 特許庁
BATCH FABRICATED 3D INTERCONNECT バッチ製作された3D相互接続 - 特許庁
FLEXIBLE INTERCONNECT CIRCUIT フレキシブル相互接続回路 - 特許庁
METHOD FOR FORMING INTERCONNECT STRUCTURE, AND INTERCONNECT STRUCTURE 相互接続構造を形成するための方法および相互接続構造 - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURE (FORMATION OF OXIDATION-RESISTANT SEED LAYER FOR INTERCONNECT USAGE) 相互接続構造体、半導体構造体および相互接続構造体の形成方法(相互接続用途のための耐酸化性シード層の形成) - 特許庁
METHOD OF FORMING MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE AND WAFER IN WHICH MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE IS FORMED 多層配線構造の形成方法及び多層配線構造が形成されたウエハ - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, BUS INTERCONNECT, DATA TRANSFER METHOD OF BUS INTERCONNECT 半導体装置、バスインターコネクトおよびバスインターコネクトのデータ転送方法 - 特許庁
The interconnect substrate 10 has an insulated resin layer 12 (base material), an interconnect 14 and the electrode pad 16. 配線基板10は、絶縁樹脂層12(基材)、配線14、および電極パッド16を有している。 - 特許庁
The first layer interconnect line and the second layer interconnect line are connected together through Via at intersections. また、第1層の配線と第2層の配線は直交部でViaで接続する。 - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE WITH BARRIER-REDUNDANCY CONSTITUENT, AND METHOD OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURE 障壁冗長構成要素を有する相互接続構造体および相互接続構造体を形成する方法 - 特許庁
EASILY ALTERABLE INTERCONNECT STRUCTURE, DESIGN OF INTERCONNECT STRUCTURE, AND METHOD OF ITS ALTERATION DESIGN 容易に変更することができる配線構造体、前記配線構造体の設計及び変更方法 - 特許庁
A lower layer Cu interconnect line 21 and an upper layer Cu interconnect line 41 are arranged through an interlayer dielectric 1. 層間絶縁膜1を介して下層Cu配線21と上層Cu配線41とを配置する。 - 特許庁
CASSETTE FOR CABLE INTERCONNECT SYSTEM ケーブル相互接続システム用カセット - 特許庁
HIGH DENSITY MULTILAYER INTERCONNECT FOR PRINT HEAD プリントヘッドの高密度多層配線方法 - 特許庁
ULTRASOUND SYSTEM WITH THROUGH VIA INTERCONNECT STRUCTURE 貫通ビア相互接続構造を有する超音波システム - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LOCAL INTERCONNECT ローカルインタコネクトを備えた半導体装置 - 特許庁
The second node includes a local interconnect, a node controller coupled between the local interconnect and the node interconnect, and a controller coupled to the local interconnect. 第2のノードが、ローカル相互接続と、ローカル相互接続とノード相互接続との間に結合されるノード制御装置と、ローカル相互接続に結合される制御装置とを含む。 - 特許庁
METHOD OF ALIGNING PARALLEL OPTICS INTERCONNECT DEVICE パラレル光学系接続装置用の位置決め方法 - 特許庁
CONTROLLED SURFACE OXIDATION OF ALUMINUM INTERCONNECT アルミニウム相互接続部の制御された表面酸化 - 特許庁
HIGH SPEED INTERCONNECT CIRCUIT TEST METHOD AND APPARATUS 高速相互接続回路テスト方法並びに装置 - 特許庁
THICK FILM CAPACITOR ON CERAMIC INTERCONNECT SUBSTRATE セラミックインターコネクト基板上の厚膜コンデンサ - 特許庁
To provide metal interconnect connection of high reliability. 信頼性の高い金属インタコネクト接続を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING COPPER INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE 半導体素子の銅配線の形成方法 - 特許庁
INTERCONNECT LOGIC FOR DATA PROCESSING APPARATUS データ処理装置のための相互接続論理 - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE 配線構造及びその形成方法、並びに半導体装置 - 特許庁
INTERCONNECT FOR TIGHTLY PACKED ARRAYS WITH FLEX CIRCUIT 密集したアレイとフレックス回路との相互接続 - 特許庁
RECHARGEABLE BATTERY ASSEMBLY AND INTERCONNECT SYSTEM 充電式バッテリーアセンブリおよび相互接続システム - 特許庁
INTERCONNECT STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREFOR 相互接続構造およびその形成方法 - 特許庁
A seating 10 is provided on a substrate 5 where a first interconnect line 20 is formed, a second interconnect line 25 is formed on the seating 10, and the second interconnect line 25 is connected with the first interconnect line 20 on the substrate 5. 第1の配線20が形成された基板5上に台座10が設けられ、台座10上に第2の配線25が形成され、第2の配線25は第1の配線20と基板5上で接続している。 - 特許庁
COPPER INTERCONNECT SEED LAYER TREATMENT METHOD AND APPARATUS FOR TREATING THE SAME 銅結線のシード層の処理方法および処理装置 - 特許庁