「interface defects」を含む例文一覧(66)
＜前へ 1 2- To obtain a resist material having no coating defects and excellent wetting property with an alkali developer by incorporating a specified fluorine- based surfactant which decreases the contact angle of the interface with water or the like on the resist material surface applied on a substrate with an increase of the added amt of the surfactant.
基板に塗布されたレジスト材料表面と水若しくはアルカリ現像液との界面の接触角を、添加量を増加させるに従って低下させるフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。 - 特許庁 - In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.
こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently, stably forming an epitaxially grown cubic silicon carbide (3C-SiC) crystal film on the surface of a silicon substrate without generating defects such as voids in the interface between the substrate and the crystal film, which is useful as a material for power devices or high-frequency devices.
パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。 - 特許庁 - Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.
そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁 - To provide an apparatus for producing a crystal with which a good single crystal can be grown while introduction of crystal defects is suppressed by providing a means for stirring impurities segregated in the vicinity of an interface in the apparatus for producing the crystal used for growing a fluoride single crystal.
弗化物単結晶の育成に使用する結晶製造装置において界面付近に偏析した不純物を攪拌する手段を設けることで、以って結晶欠陥の導入を抑制しつつ良好に単結晶を育成可能な結晶製造装置を提供すること。 - 特許庁 - Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.
次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁 - A method for the inspection is provided, in which a semiconductor wafer is inspected, and a defect image detected by the inspection is displayed on a screen, and an input interface is employed, capable of selecting any one from defects whose image is displayed, and the inspection is carried out after adjusting the inspection condition such that the ability for detecting the defect taught by a user rises.
半導体ウェハを検査し、検査で検出した欠陥の画像を画面に表示し、画像を表示された欠陥から任意の欠陥を選択可能な入力インターフェースを設け、ユーザによって教示された欠陥の検出性能が高くなるように検査条件を調整し、検査を行う。 - 特許庁 - Since etching removal is carried out while the periphery region of the surface is covered entirely with the rinsing liquid, adhesion of the chemical to a side of the non-treatment region NTR2 and rinse defects can be prevented and the interface of the treatment region TR and the non-treatment region NTR2 is favorably formed in the periphery region of the surface.
このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 - 特許庁 - The silicon single crystal ingot having a desired oxygen concentration and suppressed in defects is produced by independently controlling the temperature distribution and the oxygen concentration distribution of a silicon melt by applying an unbalanced magnetic field to the silicon melt so that the magnetic field intensity of an oxygen gushing region is different from that of a solid-liquid interface region.
シリコン融液に不均衡磁場(Unbalanced Magnetic)を印加することにより、酸素湧出部位と固液界面部位の磁場の強さを互いに異なるように制御し、シリコン融液の温度分布とシリコン融液の酸素濃度分布を独立的に制御することによって、希望する酸素濃度で、かつ欠陥の抑制されたれたシリコン単結晶インゴットを製造する。 - 特許庁 - In the method of reducing the stress of the oxide film formed on the silicon substrate, radical atoms are irradiated on the oxide film to be mixed in atoms deviated from the radical atoms evenly into the entire oxide film, selectively eliminating defects existent inside the oxide film or in an interface between the oxide film and the silicon substrate and consequently reducing the stress of the oxide film.
シリコン基板上に設けられる酸化膜のストレスを緩和する方法であって、酸化膜に対してラジカル原子を照射し酸化膜全体にラジカル原子由来の原子を均一に混入することによって、酸化膜内部あるいは酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、酸化膜のストレスを緩和する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an insulated gate semiconductor device in which hysteresis transistors and non-hysteresis transistors can be mounted on the same substrate in mixture by using an insulating film of the same material while maintaining a favorable substrate interface with less defects and a smaller risk of impurity incorporation when the non-hysteresis transistors and the hysteresis transistors are mounted in mixture.
非ヒステリシストランジスタとヒステリシストランジスタとを混載する場合において、欠陥や不純物混入リスクの少ない良好な基板界面を保ったまま、同一材料の絶縁膜を用いて、ヒステリシストランジスタと非ヒステリシストランジスタとを同一基板上に混載することができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a propylene-based resin composition having excellent flexibility, transparency and strength (drop resistance and low-temperature impact resistance), exhibiting good moldability of hardly causing appearance defects such as rough interface, and thickness change at multilayer molding, and having excellent effects for inhibiting the phenomena of flowing a melted resin to thin the thickness at the secondary processing such as heat sealing, and to provide a multilayer sheet using the resin composition.
柔軟性、透明性、強度（耐落下性、耐低温衝撃性）に優れ、且つ、多層成形時に界面荒れ等の外観不良、厚み変動が発生しにくい成形性に富み、又、ヒートシール等の２次加工時に溶融樹脂が流れ、薄肉化する現象に対する抑制効果に優れるプロピレン系樹脂組成物およびそれを用いた多層シートの提供。 - 特許庁 - The use of silicon oxide containing excessive oxygen can release oxygen from the insulation layer and decrease oxygen defects in the oxide semiconductor layer and interface state density between the base insulation layer or the protective insulation layer and the oxide semiconductor layer; thus, a semiconductor device with less variation in electrical characteristics and high reliability can be manufactured.
酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁 - The interface system, which can be a stand alone item, provides a tool for use by a surgeon or the like which allows a surgeon to input his expertise in the development of a clinical ablation profile that is well suited for the eye characteristics, review and also simulate a wide variety of potential surgical alternatives for a wide variety of corneal defects including irregular eye shapes and corneal surface irregularities.
自立型のものとすることができるインタフェース装置は、眼の形の不整形や角膜表面の凹凸等を含めた広範囲の角膜欠陥に対する広範囲な潜在的外科的代替処置を調べて、シミュレートもできるようにする角膜の眼の諸特性に良く適合する臨床除去プロフィ−ルの開発に外科医等が自己の専門知識を入力できるようにする、外科医等が使用する手段を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum-ceramic joined substrate capable of suppressing generation of minute joining defects (voids) at an interface between a metal member and a ceramic substrate when joining the metal member formed of aluminum or aluminum alloy to the ceramic substrate in a melt joining method and capable of easily removing a step caused at a surface of a metal plate when the metal member is the metal plate, and also to provide a manufacturing method for the same.
溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.
ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁
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