「interface formation」を含む例文一覧(183)
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金属界面反応層の形成方法 - 特許庁 - INTERFACE CONTROL DEVICE, IMAGE FORMATION APPARATUS, INTERFACE CONTROL METHOD, COMPUTER PROGRAM AND RECORDING MEDIUM
インターフェイス制御装置、画像形成装置、インターフェイス制御方法、コンピュータプログラム及び記録媒体 - 特許庁 - To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.
ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁 - To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.
ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁 - To easily customize a user interface screen of an image formation device.
画像形成装置のユーザインタフェース画面を簡単にカスタマイズ可能とする。 - 特許庁 - IMAGE FORMING APPARATUS AND INTERFACE API PROGRAM FOR IMAGE FORMATION CONTROL
画像形成装置および画像形成制御用のインターフェースＡＰＩプログラム - 特許庁 - ANODE SIDE HYDROGEN OXYGEN INTERFACE FORMATION SUPPRESSING STRUCTURE OF FUEL CELL ELECTRIC VEHICLE
燃料電池車両のアノード側水素、酸素界面形成抑制構造 - 特許庁 - To provide an image formation device for enhancing user response for a graphical user interface.
グラフィカルユーザインターフェイスのユーザ応答を向上させる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem in which when a vendor providing an interface changes a specification of an interface for their convenience, a device vendor providing an image formation device has to change the implementation of the image formation device implementing the interface.
インターフェースを提供しているベンダーの都合によりインターフェースの仕様が変更された場合、画像形成装置を提供しているデバイスベンダーは、このインターフェースを実装している画像形成装置の実装を変更しなくてはいけない。 - 特許庁 - The element formation layer 11 is deformed via the supporting base material 13 to generate peeling on an interface between the element formation layer 11 and the peeling layer 12.
支持基材１３を介して、素子形成層１１を変形させ、素子形成層１１と剥離層１２の界面で剥離を生じさせる。 - 特許庁 - To provide a circuit pattern formation method capable of effectively preventing exfoliation of film at the film interface, and to provide a circuit pattern formation device.
膜の界面における膜剥がれの発生が効果的に防止できる、回路パターン形成方法及び回路パターン形成装置を提供する。 - 特許庁 - The element formation layer 11 is transformed via the support base material 13 to generate peeling at an interface between the element formation layer 11 and the release layer 12.
支持基材１３を介して、素子形成層１１を変形させ、素子形成層１１と剥離層１２の界面で剥離を生じさせる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of reducing the formation of gaps at a bonding interface between substrates.
基板間の接合界面の間隙の発生を低減することができる半導体装置を得ること。 - 特許庁 - At the stage of the formation, the rodlike polymerizable liquid crystal compound undergoes a tilt alignment at the interface of the vertical alignment film.
このとき、上記棒状重合性液晶化合物は、垂直配向膜界面において、傾斜配向する。 - 特許庁 - To provide a film electrode diffusion layer junction having an integrated structure in which interface formation between each layer is prevented.
各層間の界面形成が防止された一体的な構造の膜電極拡散層接合体を実現する。 - 特許庁 - To increase a three-phase interface formation part for improving a function as an electrode for a fuel cell.
三相界面が形成される部位を多くして燃料電池用の電極としての性能を向上させる。 - 特許庁 - Moreover, the interface of a solid electrolyte layer 20 becomes easy to be adhered, and the formation of an ion conductive path becomes dense.
また固体電解質層２０はその界面が密着し易くなり、イオン伝導パスの形成が密となる。 - 特許庁 - To realize a simple interface for users by incorporating a hub in an image formation apparatus in which built-in two or more units have a network interface.
内蔵される複数のユニットがネットワークインターフェイスを有する画像形成装置において、ハブを内蔵させることで、ユーザにとって簡潔なインターフェイスを実現することである。 - 特許庁 - INTERFACE BINDER, RESIST COMPOSITION CONTAINING INTERFACE BINDER, LAMINATE FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM FORMATION HAVING LAYER OF INTERFACE BINDER, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING INTERFACE BINDER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURED BY MANUFACTURING METHOD
界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体 - 特許庁 - To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity in the interface direction under low temperatures, and to provide a thin film formation device and a program.
低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - To suppress formation of a solid layer near an interface and to enhance treatment capacity.
界面の付近に固形物層が形成されるのを抑制することができ、処理能力を高くすることができるようにする。 - 特許庁 - To parameterize a measuring device with neither special formation of an interface nor additional wiring.
本発明の課題は、測定装置のパラメタ化をインタフェースの特別な形成も付加的な配線もなく可能にすることである。 - 特許庁 - Therefore, the surface is never oxidized even it is left in open air, and excellent adherence can be obtained in the interface of Cu/Si3N4 even when Si3N4 film formation is followed thereon.
このため、その後にＳｉ_3 Ｎ_4 膜を成膜しても、Ｃｕ／Ｓｉ_3 Ｎ_4 界面の良好な密着性が得られる。 - 特許庁 - DATA TRANSFER METHOD, AND INTERFACE CONTROL MODULE, DEVICE CONTROL MODULE, AND IMAGE FORMATION DEVICE USING THE DATA TRANSFER METHOD
データ転送方法およびそのデータ転送方法を利用するインターフェース制御モジュール，デバイス制御モジュール，画像形成装置 - 特許庁 - With this structure, formation of a depletion layer at an interface between the sulfide particle and a positive electrode active material can be restrained, and thus, formation of a depletion layer in the vicinity of an interface between the positive electrode layer and the solid electrolyte layer can also be restrained.
この構成により、硫化物粒子と正極活物質との界面における空乏層の形成を抑制することができ、もって、正極層と固体電解質層との界面近傍における空乏層の形成をも抑制することができる。 - 特許庁 - A MOS interface at a low interface order density is formed by an oxygen radical processing, and further a formation of an insulation film by a SiO deposition with lower damages is continued during an oxygen radical ambience.
酸素ラジカル処理により低界面順位密度のＭＯＳ界面を形成し、更に低ダメージなＳｉＯ蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう。 - 特許庁 - To perform image formation utilizing multifunction device specific functions or server application function, according to the setting from a user interface screen, by constructing the user interface picture corresponding to the purpose of use of a user.
ユーザの用途に応じたユーザインタフェース画面を構築し、ユーザインタフェース画面からの設定によりマルチファンクション機器固有の機能やサーバアプリケーションの機能を利用した画像形成を行うこと。 - 特許庁 - The network device connected to the network comprises a first interface, a request receiving part, an answer formation part, and an answer transmitting part.
ネットワークに接続されるネットワークデバイスは、第１のインターフェースと要求受信部と応答作成部と応答送信部とを備える。 - 特許庁 - To connect an image input device and an image formation device together without using a parallel interface and to shorten a fast copy time.
画像入力装置と画像形成装置とをパラレルインタフェースを使用せずに接続し、かつ、ファーストコピー時間の短縮を図る。 - 特許庁 - To prevent the formation of an interface which acts as a low dielectric layer and to obtain an insulating metal oxide film having a stoichiometric composition.
低誘電率層となる界面層の形成を抑えて、化学量論組成を持つ絶縁性金属酸化物膜を得られるようにする。 - 特許庁 - Thereby, formation of a high resistance layer is prevented in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.
これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁 - Reflection layers 50 and 52 are formed on the interface between the n-type GaN layer 12 and the AlGaN cladding layer 14, and on the interface between the AlGaN cladding layer 18 and the p-type GaN electrode formation layer 20 respectively.
ｎ型ＧａＮ層１２とＡｌＧａＮクラッド層１４との界面及びＡｌＧａＮクラッド層１８とｐ型ＧａＮ電極形成層２０との界面に反射層５０、５２を形成する。 - 特許庁 - The formation of the data path by the input/output switching part 4 is controlled by the CPU 6 or the external input/output interface controller 3.
入出力切り替え部４におけるデータパスの形成は、ＣＰＵ６もしくは外部入出力インタフェースコントローラ３により制御される。 - 特許庁 - To suppress formation of an Sn-rich AuSn compound on an interface when an Au bump electrode and a wiring pattern are joined together using Sn solder.
Ａｕバンプ電極と配線パターンをＳｎはんだで接合する際に、界面にＳｎリッチがＡｕＳｎ化合物が形成されるのを抑制する。 - 特許庁 - To provide an oxide film formation method for a semiconductor element capable of reducing the density of interface trap charge and oxide trap charge.
本発明は、インタフェーストラップチャージ及びオキサイドトラップチャージの密度を減らすことが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - An external fine input signal (external field) is received by the interface level control layer 5, and formation and elimination of the interface level are alternated to take out an amplified output signal with high sensitivity.
微小な外部からの入力信号（外場）をこの界面準位制御層５で受け、界面準位の形成−消滅を切り替えることにより増幅された出力信号として高感度に取り出す。 - 特許庁 - In this case, a junction interface is also formed within the first moisture-proof protection film at the upper part of cavity but a second moisture-proof protection film is formed by suspending growth of the junction interface through exposure of the surface of above junction interface to the atmosphere or through formation of an insulating film with a different kind of method.
この時、空洞上方の第一の耐湿性保護膜中に接合界面が形成されるが、その表面を大気に暴露するか、もしくは異種の方法により絶縁膜を形成することにより、接合界面の成長を遮断して第二の耐湿性保護膜を積層形成する。 - 特許庁 - On the other hand, on a formation area of a slit part 22S of the common electrode 22, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulation film 21, an interface E between the insulation film 21 and the first alignment film 24, and an interface F between the first alignment film 24 and liquid crystal LC exist in this order.
一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と絶縁膜２１との界面Ｄ、絶縁膜２１と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁 - To inhibit the formation of alloy layer with low strength and low melting point at the interface between a land and solder, and to assure satisfactory quality and reliability of solder bonding.
ランドとはんだとの界面に低強度・低融点合金層が形成されることを抑制し、はんだ接合の品質や信頼性を充分に確保する。 - 特許庁 - Thereafter, a thin film transistor is formed by using the microcrystalline semiconductor film having crystallinity enhanced on the interface to the gate insulating film as a channel formation region.
次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁 - To suppress the formation of a conductive layer at an interface with a substrate in a state that heat generated at a resistor layer is easily conducted to the substrate side.
抵抗層で発生する熱が基板の側に伝導しやすい状態で、基板との界面への導電層の形成が抑制できるようにする。 - 特許庁 - On the interface between the element formation regions 12 where the semiconductor elements are to be formed and the element isolation region embedded with the oxide film 10, the oxide nitride film 9 is disposed.
半導体素子が形成される素子形成領域１２と酸化膜１０が埋め込まれた素子分離領域との界面に酸窒化膜９が配置される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a compound semiconductor single crystal preventing the formation of a concave solid/liquid interface and restraining the generation of a polycrystal part.
固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, by welding in the substantially non-oxygen atmosphere, formation of oxidation film in the welding interface during welding can be prevented, and the welding strength is secured.
そこで、実質的に無酸素雰囲気中で溶接することにより、溶接時に溶接界面に酸化被膜が形成されるのを防止し、溶接強度を確保する。 - 特許庁 - Doping of zirconium oxide with an effective amount of the lanthanide series oxide results in the formation of a dense reactive layer at an interface between the outer layer of TBC and CMAS.
ジルコニウム酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープすると、ＴＢＣの外側層とＣＭＡＳとの界面に稠密な反応層が形成される。 - 特許庁 - Pattern formation on the interface is controlled to extract the light so that much more light can be extracted out into the outside without multi-reflection inside the device.
界面のパターン形成は、光の抽出のために素子内部における多重反射をしないで、より多くの光を外部に送り込めるように制御される。 - 特許庁 - To solve the problem wherein a method for performing padding processing by a padding processing part in an SDRAM interface, when conducting the padding processing as prescribed by H.264 in each MB unit is unsuitable for circuit formation, because the performance of the SDRAM interface is degraded.
ＭＢ単位でＨ.２６４に規定されたパディング処理を行う際、ＳＤＲＡＭインターフェース内のパディング処理部でパディング処理を行う方法は、ＳＤＲＡＭインターフェースのパフォーマンスを低下させるため回路化には不向きである。 - 特許庁 - An interface capable of mounting the nonvolatile memory thereto is provided for the image formation device, and the series of operation procedures previously stored in the nonvolatile memory are displayed on the image formation device when the nonvolatile memory is mounted.
画像形成装置に、不揮発性メモリを装着できるインターフェイスを設けておき、不揮発性メモリが装着されると、不揮発性メモリにあらかじめ記憶されていた一連の操作手順が、画像形成装置に表示される。 - 特許庁 - To provide a substrate which simultaneously satisfies the formation of a seed crystal for crystal growth and the formation of random recesses in the interface of a substrate and a crystal layer, when a crystal for an LED (Light Emitting Diode) is grown on the substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).
基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a binder composition for an electrode which has strong binding force and does not block formation of a solid electrolyte interface (SEI) on the surface of an active material.
本発明の課題は、結着力が強く、活物質表面の安定界面（ＳＥＩ）の形成を阻害することがない電極用バインダー組成物を提供することにある。 - 特許庁
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