To provide a semiconductor device manufacturing technique by which the deterioration of morphology on the surface of a metal or in the interface of the metal and a semiconductor and the expansion of the interface can be suppressed and, at the same time, contact resistance values can be stabilized and the joinability between electrodes and wiring bonding materials can be improved. 金属の表面や金属と半導体との界面のモホロジの劣化や、界面の拡張を抑えると共に、接触抵抗の抵抗値の安定性や、電極とワイヤーボンド材との接合性を向上させることができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor having a thin film capacitor where the worsening of the morphology caused by the oxidation of an electrode/dielectric interface, the deterioration of the capacitor characteristics caused by the electrode material and the deterioration of the characteristics of the electrode material per se are prevented. 電極/誘電体界面の酸化によるモフォロジーの悪化、電極材料によるキャパシタ特性の低下、電極材料自体の特性低下などを防止した薄膜キャパシタを有する半導体装置が求められている。 - 特許庁