「interface reliability」を含む例文一覧(208)
＜前へ 1 2 3 4 5 次へ＞- To provide an electroless tin or tin alloy plating liquid for forming a plating coated film which hardly causes infiltration of plating liquid into the interface between a coverlay film or solder resist and copper or copper alloy, has satisfactory solder wetting property and has preferable bonding reliability between base material and solder.
カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。 - 特許庁 - To enhance the bonding reliability by suppressing occurrence of plastic deformation such as undulation and wrinkles on the surface of a circuit layer, and suppressing application of thermal stress onto the bonding interface of a ceramic substrate and the circuit layer, even when a thermal cycle load is applied.
熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a wiring board capable of securing high connection reliability by restraining corrosion of a projected electrode caused by moisture at an interface between the protruded electrode of a portion formed in a region on an insulating base member on opposite sides of conductive wiring and the insulating base member.
導体配線の両側の絶縁基材上の領域に形成された部分の突起電極と絶縁基材との界面における、湿気に起因する突起電極の腐食を抑制し、高い接続信頼性を確保できる配線基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a substrate for a power module, that can efficiently produce a substrate for a power module with high strength of an interface between a ceramic substrate and an aluminum layer composed of aluminum or an aluminum alloy and with excellent reliability, and provide the substrate for the power module.
セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁 - To improve reliability in electrical connection by absorbing strain caused at the interface between a conductive paste and an insulating layer or a circuit layer so that the stress caused between fillers in the conductive paste and at the contact part between the filler and the circuit layer is reduced.
導電性ペーストと絶縁層または回路層との界面に生じようとする歪を吸収することで、導電性ペースト中のフィラーどうし間、および、フィラーと回路層との接触部分に生じる応力を減少させて電気的接続の信頼性を向上する。 - 特許庁 - To provide surface treatment copper foil without generating a void or a crack in an interface between copper foil and conductive paste including a low melting point metal, and to provide a laminated circuit substrate capable of using the conductive paste including the low melting point metal by using the copper foil and high in connection reliability.
銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない表面処理銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid polymer electrolyte fuel cell, in which since the contact area and adhesion of an electrode and a solid polymer electrolyte membrane is improved, the electrical resistance of interface of the electrode and the solid polymer electrolyte membrane is reduced, and which is superior in reliability, and to provide a manufacturing method for the cell.
電極と固体高分子電解質膜との接触面積および密着性を向上させることで電極と固体高分子電解質膜との界面の電気抵抗を低減し、信頼性に優れた固体高分子電解質型燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminated metal strip with a resin capable of continuously performing pressurization and thermosetting treatment and the winding feed of the laminated metal strip with the resin and drastically enhancing the adhesion reliability of an adhesion interface, and a manufacturing apparatus suitable therefor.
本発明は、加圧、熱硬化処理と樹脂付き積層金属帯の巻送りを連続的に行う事が可能で、かつ接着界面の接着信頼性を飛躍的に向上させた樹脂付き積層金属帯の製造方法、及びそれに好適な製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an adhesive composition which does not cause adhered interface peeling and package crack, even when exposed on severe reflow conditions, and can achive high package reliability, in a semiconductor device in which thinned semiconductor chips are laminated in many layers and in a high density.
薄型化しつつある半導体チップを多積層し高密度化された半導体装置において、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent element capable of preventing reduction of a flow of current between a wiring and a common electrode due to variation of interface characteristics between two layers because of a direct contact between a pixel electrode and a common electrode formed on the wring, and further preventing a degradation of reliability of the element.
本発明は、有機電界発光素子で、配線に形成される画素電極と共通電極の、直接的な接触による、二つの層間の界面特性が変化により、配線と共通電極との間の電流の流れが低下し、且つ素子の信頼性も低下することを防止する。 - 特許庁 - It has been found that interface reaction can be controlled and it has also been verified that electrical and mechanical reliability can be obtained by combining a Sn-system solder 8 including Cu6Sn5 phase and a Ni-system layer 3 within the temperature range from a room temperature to 200°C at the solder connection part 1 in the electronic apparatus.
電子装置のはんだ接続部１において、室温から２００℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ８とNi系層３とを組合せることで界面反応を抑制できることを見出し、電気的および機械的信頼性が得られることを確認した。 - 特許庁 - To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.
ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁 - To provide an adhesive agent composition that sufficiently promotes a reaction even under a low-temperature and short-term curing condition, ensures high connection reliability after a high-temperature high-humidity treatment and sufficiently suppresses occurrence of peeling at the interface of an adherend and an adhesive.
低温かつ短時間の硬化条件においても十分に反応を進行させることができ、高温高湿処理後に高い接続信頼性が確保され、かつ被着体と接着剤との界面にはく離が生じることを十分に抑制することができる接着剤組成物を提供する。 - 特許庁 - To improve the reliability of an element without causing mutual reaction in the interface between a dielectric and an electrode, including impurities such as Na in a manufacturing process, and deteriorating a dielectric element due to the diffusion of hydrogen in a heat treatment process in the dielectric element.
誘電体素子において、誘電体と電極の界面における相互反応、あるいは製造工程におけるＮａ等の不純物の混入や熱処理工程での水素の拡散による誘電体素子の劣化が生じることなく、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - By the release of oxygen from the insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.
絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is improved in connection reliability when mounted on a mounting substrate by suppressing growth of a brittle inter-metal compound formed on an interface between a bump and a conductive layer to prevent development of cracking and peeling at a periphery of the bump and, therefore, disconnection and shorting of a circuit.
バンプと導電層との界面に形成される脆い金属間化合物の成長を抑制することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離の進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁 - More than two indexes for prescribing the relation between an imaginary opening displacement and stress in a bonded or joined interface are used not only to clear conditions to be satisfied in order to ensure the strength reliability of a product but also to facilitate the rational determination and control of a structure and a process.
接着または接合界面における仮想開口変位と応力の関係を規定する２つ以上の指標を用いることにより、製品の強度信頼性を確保する上で満たすべき条件が明確になり、かつ、合理的な構造，工程の決定，管理が容易になる。 - 特許庁 - Also, a means for carrying out the mutual monitor of sub-elements inside the components, and for, when the sub-element in the components break down, carrying out the operation stop of the components and the disconnection of an external interface by the other sub-element in the same elements makes it possible to further improve the reliability of the backup operation of this system.
また、構成要素内部のサブ要素間で相互監視し、構成要素内のサブ要素の故障時、同一要素内の他のサブ要素により構成要素の動作停止と外部インタフェースを切り離す手段により、さらに、システムのバックアップ動作の信頼性を向上できる。 - 特許庁 - To provide an effective solder material by which, an excess interface- reaction caused when a chip component is attached to a package by soldering is controlled, or, in manufacturing, damage caused from a thermal and mechanical variation in operation is prevented, thereby, a semiconductor having a high yield of manufacture and reliability can be attained.
チップ部品を載置部材にろう付けして固着する際の過剰な界面反応を抑制すると共に、製造時、あるいは、運転時の熱的および機械的な変化によるろう付け部の破損を防ぎ、製造歩留りや信頼性の高い半導体装置を得るに有効なろう材の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a resistor component with a high connection reliability, which is free of: failure in an electrical conduction due to an increase in thickness of a semiconductor device caused by the resistor component, or a three-dimensional structure; reduction of an electrical conductivity caused by an interface between the resistor component and an electrode; and a like.
抵抗素子による半導体装置の厚みの増加や立体構造による導通不良、および抵抗素子と電極との間の界面によって生じる導通性の低下などに囚われない、接続信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing of a package for a semiconductor device for improving the reliability of the semiconductor device by lowering a resin molding cost, dissolving the problem of resin burrs and securing adhesion over the entire interface of a resin molding part and a lead in the semiconductor device.
半導体装置において、樹脂成形コストを低く且つ樹脂バリの問題を解消する共に、樹脂成形部とリードとの界面全体に亘って密着性を確保することによって、半導体装置の信頼性を高める半導体装置用パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.
積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.
絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a metal wiring forming method in which reliability of a metal wiring is secured by selectively forming a titanium or ruthenium metal, which is capable of preventing diffusion of a copper selectively, at an interface between a copper (Cu) metal wiring having no head for electromigration and a capping film.
エレクトロマイグレーションに弱い銅（Ｃｕ）金属配線とキャッピング膜との界面に選択的に銅の拡散を防止することが可能なチタニウム又はルテニウム金属を選択的に形成して金属配線の信頼性を確保することが可能な金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, a method port attaining method is prepared, which improves reliability in the development by separating the method port interface from actual attainment in order to call a method for calling a specific function in the component even in a situation where each class attainment is different.
そのため、本発明は、コンポーネント上の特定機能を呼び出すためのメソッドをそれぞれのクラス実現が異なる状況でも呼び出しできるようにメソッドポートインターフェースと実際の実現とを分離させることで、開発の信頼性を高められるメソッドポートの実現方案を用意しようとする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which the deterioration of reliability due to stress is prevented by sufficiently relaxing stresses caused at an external connection terminal and an interface between the external connection terminal and wiring, and to provide a method for manufacturing it, in a semiconductor device having a wafer level CSP structure.
ウエハレベルＣＳＰ構造を有する半導体装置において、外部接続端子および外部接続端子と配線との界面に生じる応力を十分に緩和し、応力による信頼性の低下を防ぐ半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming an isolation film of a semiconductor device wherein threshold voltage characteristics of cells can be improved by prohibiting the moat phenomenon that can be generated at the interface between an inactive region and an active region, and wherein the reliability of the resulting semiconductor devices can be improved through secured characteristics of a stabilized transistor by improving threshold voltage characteristics of cells.
非活性領域と活性領域間の界面に発生するおそれのあるモウト現象を改善してセルのしきい値電圧特性を向上させ、これにより安定したトランジスタの特性を確保して半導体素子の信頼性を増大させる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.
このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor package of good design, along with a light emitting diode of high light taking-out efficiency, by uniformizing a temperature at semiconductor operation for suppressing reliability degradation due to thermal degradation of a semiconductor and due to peeling and cracking at a sealing material interface, resulting in dropping of temperature at the center of heating.
本発明は、半導体の熱劣化や封止材界面での剥離、クラックによる信頼性低下の改善のため、半導体動作時の温度を均一化し、発熱中心の温度を下げ、かつ、意匠性の良い半導体パッケージや光取出し効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor apparatus having a high-yield wiring structure and high reliability by preventing interface peeling between a liner film which is formed under a low-dielectric constant film by a UV curing process to the low-dielectric constant film and on wiring and a film layered under the liner film without using a UV blocking film.
低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁 - By the release of oxygen from the base insulation layer, the oxygen defect in the oxide semiconductor layer and the interface state between the base insulation layer and the oxide semiconductor layer can be reduced; thus, a semiconductor device with less variation in electric characteristics and high reliability can be manufactured.
前記下地絶縁層から酸素が放出されることにより、前記酸化物半導体層中の酸素欠損及び前記下地絶縁層と前記酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric film lamination structure capable of preventing any exfoliation and crack from occurring owing to reduction in strength of a junction interface between a substrate material and a PZT film, upon heat treatment in formation of the PZT film and upon continuous driving as an actuator and having high reliability and excellent piezoelectric characteristics, and to provide its manufacturing method.
ＰＺＴ膜形成時の熱処理時やアクチュエータとしての連続駆動時に、基板材料とＰＺＴ膜との接合界面の強度低下によるハクリやクラックなどが発生しない、高信頼性を有する圧電特性の優れた圧電膜積層構造体およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To secure improved reliability by securing low resistance in a p-type semiconductor layer that becomes a channel, suppressing a collapse phenomenon, and stabilizing operation at high temperature, by controlling the amount of dopant impurities in the p-type semiconductor layer for composing a field effect transistor, and the interface level density between a p-type layer and a gate insulating film.
電界効果トランジスタを構成するｐ型半導体層内のドーパント不純物量やｐ型層とゲート絶縁膜間の界面準位密度を制御することにより、チャネルとなるｐ型半導体層の低抵抗を確保しつつ、コラプス現象を抑制し、更に高温での動作を安定化し、良好な信頼性を確保する。 - 特許庁 - To precisely grasp the deteriorating state of an insulating material regardless of the presence of a gas leak by vacuum monitoring in the module part of a cable penetration to make detectable the degree of progress of the interface peeling between the insulating material and a through conductor and to reduce the load on workers to improve the efficiency and reliability of a diagnostic work.
ケーブルペネトレーションのモジュール部において真空度監視によるガスリークの有無に関係なく、絶縁材の劣化状況を的確に把握して絶縁材と貫通導体との界面剥離の進行程度を検知可能であり、作業員の負担を軽減して診断作業効率及び信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.
例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁 - To provide an image display device which suppresses the occurrence of bubbles in an interface between a transparent adhesive resin sheet and a front plate in a long-term reliability test under high temperature and high humidity, in a manufacturing method of the device in which a transparent filler is closely arranged between a transparent plastic front panel and an image display panel.
透明プラスチック前面パネルと画像表示パネルの間に透明充填材が密着配置される装置の製造法において、高温高湿下での長期信頼性試験で透明な粘着性樹脂シートと前面板の界面の気泡の発生を抑制する画像表示用装置を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.
これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a pressure-sensitive adhesive sheet which can actualize a high package reliability wherein there is no separation at the adhesive interface and no package cracking, in a package in which a semiconductor chip being reduced in thickness is mounted under severe reflow conditions after exposure to a severe hot and humid environment.
薄型化しつつある半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しい湿熱環境におかれた後に、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を実現することができる粘接着シートを提供すること。 - 特許庁 - To achieve both of the improvement of the accuracy of positioning of a first molded body and a second molded body and the improvement of reliability of the prevention of overflow of a brazing filler metal from the joined interface of both molded bodies by taking parts obtained by sintering and brazing the first molded body and the second molded body as the object of the improvement.
第１成形体と第２成形体を焼結鑞付けして得られる部品を改善の対象にして第１成形体と第２成形体の位置決め精度の向上と、両成形体の接合界面からの鑞材の溢れ防止の信頼性向上を両立させることを課題としている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device in which in-film fixed electric charges in a gate insulating film below a semiconductor thin film as an active layer and an interface level can be lowered without making the gate insulating film thick nor increasing process procedures, and then a bottom gate type TFT with high reliability can be obtained.
活性層となる半導体薄膜の下層のゲート絶縁膜を厚膜化することなく、かつ工程手順を増加させることなく、当該ゲート絶縁膜中の膜中固定電荷および界面準位を低下させることが可能で、これにより信頼性の高いボトムゲート型ＴＦＴを得ることができる薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To attain communication with high reliability at high speed by provid ing a plurality of addresses to one interface of a terminal and dynamically changing an optimum start point address according to a communication opposite party so as to make a plurality of paths available even when hierarchical path control is conducted in a network configuration using a plurality of prefixes with different paths.
経路の異なるプレフィックスを複数用いたネットワーク構成において、階層化された経路制御が行われている場合であっても端末の1つのインタフェースに複数のアドレスを付与し、最適な始点アドレスを通信相手に従って動的に変化させることで複数の経路が使え、高速で信頼性の高い通信を行う。 - 特許庁 - To provide a composite IC card having contact type and non-contact type interfaces so as to sufficiently secure reliability of the composite IC card by preventing malfunction even when the composite IC card is driven from any interface.
この発明は、接触式及び非接触式インターフェイスを有する複合ＩＣカードにおいて、いずれのインターフェイスから駆動された場合でも誤動作を防止することにより、複合ＩＣカードとしての信頼性を十分に確保するようにした接触式及び非接触式インターフェイスを有する複合ＩＣカードを提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a composite IC card having contact type and non-contact type interfaces so as to sufficiently secure the reliability of the composite IC card by preventing the occurrence of malfunction even when the composite IC card is driven from any interface.
この発明は、接触式及び非接触式インターフェイスを有する複合ＩＣカードにおいて、いずれのインターフェイスから駆動された場合でも誤動作を防止することにより、複合ＩＣカードとしての信頼性を十分に確保するようにした接触式及び非接触式インターフェイスを有する複合ＩＣカードを提供することを目的としている。 - 特許庁 - Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.
接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an inexpensive dual interface type IC card excelling in mass productivity, having high reliability and having an outside connecting terminal substrate and an IC chip connected well by providing a means for stabilizing the application amount of cream solder for forming a solder bump that is arranged by protruding it from a through hole of the outside connecting terminal substrate.
外部接続端子基板の貫通孔から突出して配置する半田バンプを形成するためのクリーム半田の塗布量を安定化させる手段を提供することにより、外部接続端子基板とＩＣチップとが良好に接続されて信頼性の高い、安価で量産性に優れたデュアルインターフェイス型ＩＣカードの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, the thermal relaxation layer of the soft resin spacer 16 is located between the integrated semiconductor light emitting element body 17 and optical lens 14, and the semiconductor light emitting device can be realized which prevents the interface peeling at each of members against a thermal stress in variation of an external temperature, is high in a light discharge efficiency, and has a high reliability.
そのため、一体化した半導体発光素子体１７と光学レンズ１４との間に軟質樹脂スペーサ１６による熱応力緩和層を備えたことになり、外部温度変化時の熱応力に対して各部材間の界面剥離を阻止し、光取出し効率の高い、高信頼性の半導体発光装置を実現することができた。 - 特許庁 - The number 12a of transactions inherent in a system 12 to be evaluated, the number of occurred faults and their occurrence time which are inputted through an input interface 5 are stored in association with each other as time series data 1200, a model for evaluating the data 1200 as reliability data is set, the parameter of the set model is determined, and the adaptation of the model is evaluated.
評価対象のシステム12に固有のトランザクション数12a、並びに、入力インタフェイス5を介して入力される障害の発生件数および発生時刻を関連付けて時系列データ1200として記憶し、時系列データ1200を信頼性データとして評価するためのモデルを設定し、設定されたモデルのパラメータを決定し、モデルの適合度を評価する。 - 特許庁 - To provide a composite IC card where reliability as a composite IC card is fully secured by preventing a malfunction even if the card is driven from any interface, and to provide an IC card module for the composite IC card in the composite IC card having contact and contactless interfaces and the IC module for the composite IC card.
接触式及び非接触式インターフェイスを有する複合ＩＣカード及び複合ＩＣカード用ＩＣモジュールにおいて、いずれのインターフェイスから駆動された場合でも誤動作を防止することにより、複合ＩＣカードとしての信頼性を十分に確保するようにした複合ＩＣカード及び複合ＩＣカード用ＩＣモジュールを提供すること。 - 特許庁 - By adding a lithium bis-trifluoro methyl sulfonyl amide in a range of 0.005-0.2 mol/L, an interface reaction between an anode and a DME decomposed substance can be controlled, and an increase of a reaction polarization of the anode side can be reduced, and therefore, the lithium battery can obtain an excellent high temperature storing property and a long term reliability.
特にリチウムビストリフルオロメチルスルホニルイミドを０．００５〜０．２モル／Ｌの範囲で添加することにより、負極とＤＭＥ分解生成物との界面反応を抑制することができ、負極側の反応分極の増大をきく低減することが可能となるため、高温保存性、長期信頼性に優れたリチウム電池を提供することができる。 - 特許庁 - Since the destination of communication between a demultiplex substrate and a low speed interface substrate or the like can be selected by providing a reception selector circuit and a transmission selector circuit, in both the cases of adopting a redundant configuration and adopting no redundant configuration, reliability can be improved while reducing articles for maintenance and reducing the cost.
受信選択回路６３および送信選択回路６４を設けて多重分離基板６６と低速インタフェース基板６２等との間の通信先の選択を可能とすることにより、冗長構成とした場合と冗長構成としない場合の両方において、保守用品の削減を図りコストの低減を図りつつ信頼性を高めることができる。 - 特許庁
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