「interlayer effect」を含む例文一覧(45)
- To provide a laminated tube superior in chemical permeation prevention effect, interlayer adhesion and durability of interlayer adhesive strength, particularly in a high temperature atmosphere.
薬液透過防止性、層間接着性、特に、高温雰囲気下における層間接着強度の耐久性に優れる積層チューブを得ること。 - 特許庁 - To provide a method capable of inhibiting deterioration of magnetic characteristics by protecting a magnetoresistance effect element from outgas of an interlayer film.
層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁 - To improve stability of tracking servo by a tracking error signal which gets rid of effect of an interlayer stray light.
層間迷光の影響を排除したトラッキングエラー信号により、トラッキングサーボの安定性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a method for leveling an interlayer insulating film which facilitates leveling by excluding an effect of unevenness of the interlayer insulating film caused by a wiring layer.
配線層による層間絶縁膜の凹凸の影響を排除することで、平坦化を容易とすることができる層間絶縁膜の平坦化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a new magnetoresistance effect element enabled to exert a high magnetoresistance effect without causing the problems of low resistance and interlayer coupling.
低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - Since reflected X-ray can be shielded by the interlayer conductor layers 6, the effect by the reflected X-ray can be suppressed.
層間導体層６により反射Ｘ線を遮蔽できるので、反射Ｘ線による影響を抑えることができる。 - 特許庁 - To provide a multilayer wiring board in which reinforcement effect of an interlayer conduction portion is improved and to provide a method for manufacturing the same.
層間導通部の補強効果を向上した多層配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board incorporating a semiconductor chip having no adverse effect by an interlayer adhesive material, and to provide a method of manufacturing the same.
層間接着材料による悪影響のない半導体チップを内蔵するプリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - However, if the volume of the interlayer air gap can be made even a little smaller than an interlayer air gap formed as a perpendicular end side perpendicular to the surface of the diffusion layer 30, the effect of this invention can be achieved.
しかしながら、拡散層３０表面に対しても垂直な垂直端部側面として形成されている層間空隙よりも層間空隙の体積を少しでも小さくすることができることでも本発明の効果は達成できる。 - 特許庁 - Once the protective film 15 is exfoliated, exfoliation force is weakened and an interlayer exfoliation preventing effect can be heightened by the reduction of the exfoliation force in the later exfoliation process.
一度保護フィルム１５を剥ぐと、剥離力が軽減され、その後の剥ぎ工程における剥離力の低下で、層間剥離防止効果を高めることができる。 - 特許庁 - Subsequently, an MOS-FET 6 (metal oxide silicon-field effect transistor) is formed on the principal surface of the substrate 1SA, and an interlayer dielectric 8a is deposited on the principal surface of the substrate 1SA.
続いて、基板１ＳＡの主面にＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成した後、基板１ＳＡの主面上に層間絶縁膜８ａを堆積する。 - 特許庁 - To block hydrogen ions produced when forming an interlayer insulating film by HDP-CVD or the like to thereby suppress an adverse effect of the hydrogen ions on a device.
ＨＤＰ−ＣＶＤなどにより層間絶縁膜を形成するに際に発生する水素イオンを除去し、デバイスへの水素イオンの影響を解消する。 - 特許庁 - In addition, the layer 14 intervenes between a wiring layer 16 or an interlayer dielectric 15 and the layer 12, to block off the wiring potential in the wiring layer 16 and an electric field effect with the charge in the interlayer dielectric 15.
また、このショットキー接触金属層１４が、配線層１６や層間絶縁膜１５とｎ型ＧａＡｓ抵抗層１２との間に介在して、配線層１６の配線電位や層間絶縁膜１５中の電荷による電界効果を遮蔽している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate and a field effect transistor respectively having SiGe layers which are low in interlayer transition density and surface roughness.
半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さなＳｉＧｅ層を有すること。 - 特許庁 - To increase information amount on akin colors and tree green colors and to enhance color reproducibility performance by incorporating a specified compound and the like in an invisible light sensitive layer and imparting a function for restraining an interlayer effect to the silver halide photographic sensitive material.
木々の緑等の情報量及び色再現性を向上させ、且つこれらの色再現の安定性に優れるハロゲン化銀感光材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing an interlayer coupling magnetic field (Hin) between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, without making the sheet resistivity (RA) increase, while keeping a magnetoresistance effect rate (MR ratio) to be not less than a predetermined value.
面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly durable transparent hard coating film which can assure interlayer adhesive properties even when a hard coating layer is laminated in order to solve problems which cannot assure a working easiness, which are further difficult to stabilize a surface modifying effect, and which do not hence stabilize the interlayer adhesive properties.
作業容易性を確保できず、さらに表面改質効果を安定させることも困難であり、ひいては層間密着性が安定しない、という問題点を克服すべく、ハードコート層を積層しても層間密着性を確保可能とした、高耐久性透明ハードコートフィルムを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an effect to an alignment mark of CMP of an interlayer dielectric film surface, and can accurately and securely carry out the detection of alignment mark.
層間絶縁膜表面のＣＭＰのアライメントマークへの影響を排除し、アライメントマークの検出を精度良く確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device that suppresses effect to copper wirings or interlayer insulation films due to moisture in atmosphere during the semiconductor manufacturing process.
半導体装置の製造工程において大気中の水分による銅配線や層間絶縁膜への影響を抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An interlayer dielectric layer is formed to cover the magnetoresistive effect element, in such an insulating material as becoming an insulator which permeate less moisture as compared with the original material through nitriding (b).
（ｂ）窒化されることによって、元の材料よりも水分を透過させにくい絶縁物になる絶縁材料からなる層間絶縁膜を、磁気抵抗効果素子を覆うように形成する。 - 特許庁 - Accordingly, the roughness of the barrier layer 16 formed thereabove is improved, thereby obtaining the magnetic resistance effect film 10, in which the interlayer coupling magnetic field Hin is small and variations in characteristics are small.
これによりその上方に形成されたバリア層１６のラフネスが改善され、層間結合磁界Ｈｉｎが小さく特性のバラツキが少ない磁気抵抗効果膜１０が得られる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an insulating gate field effect transistor where the portion of a substrate opposed to a gate electrode is not oxidized when an interlayer insulating layer is formed above the gate electrode.
ゲート電極の上方に層間絶縁層を形成するときに、ゲート電極に対向する基体の部分が酸化されることが無い、絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a pavement structure in which an anti-icing effect or the like can be displayed stably for a prolonged term by preventing interlayer exfoliation between an asphalt concrete matrix and a surface treating layer containing rubber grains.
母体アスファルトコンクリートとゴム粒子を含む表面処理層との間の層間剥離を防止して、長期間に亘って安定して氷結防止効果等を発揮し得る舗装構造を提供する。 - 特許庁 - This rubber composition comprises the butyl rubber having a specific phosphonium salt structure bearing phenyl group as the functional group and the layered clay mineral organized with an organic onium salt, or the like, to effect interlayer spacing expansion.
官能基としてフェニル基を有する特定なホスホニウム塩構造を有するブチルゴム、および有機オニウム塩などで有機化処理され層間距離を拡張したた層状粘土鉱物からなるゴム組成物。 - 特許庁 - A low dielectric constant interlayer insulating film with a via hole formed thereon is processed by plasma containing hydrogen with an electronic temperature whereat the spatter of a low resistance metallic pattern exposed on the bottom of the via hole will not be generated to effect hydrogen termination of the surface of interlayer insulating film including the side wall surface and bottom surface of the via hole.
ビアホールが形成された低誘電率層間絶縁膜を、ビアホール底で露出している低抵抗金属パターンのスパッタが生じないような電子温度の水素を含むプラズマで処理し、前記層間絶縁膜表面を、ビアホールの側壁面および前記ビアホールの底面を含めて水素終端する - 特許庁 - To provide a silver halide color photographic sensitive material containing a general-purpose coupler capable of producing a high edge effect and a high interlayer effect by releasing a development inhibitor without forming an azomethine dye after a coupling reaction with the oxidized body of a developing agent.
現像主薬酸化体とのカップリング反応後、アゾメチン色素を形成することなく現像抑制剤を放出することにより、大きなエッジ効果および重層効果を発現することが可能な汎用性の高いカプラーを含有するハロゲン化銀カラー写真感光材料を提供すること。 - 特許庁 - To provide a silver halide photographic sensitive material containing a general-purpose DIR coupler capable of producing a high edge effect and a high interlayer effect by releasing a development inhibitor without forming an azomethine dye after a coupling reaction with the oxidized body of a developing agent.
現像主薬酸化体とのカップリング反応後、アゾメチン色素を形成することなく現像抑制剤を放出することにより、大きなエッジ効果および重層効果を発現することが可能な汎用性の高いDIRカプラーを含有するハロゲン化銀写真感光材料を提供すること。 - 特許庁 - To stably and rapidly perform interlayer jump for performing focus control to each recording layer of a disk having a plurality of recording layers, while an effect is not absorbed by disturbance or change in moving speed of an objective lens.
複数の記録層を有するディスクの各記録層にフォーカス制御をかけるための層間ジャンプを、外乱や対物レンズの移動速度の変化に影響を吸収されず、短時間で安定に行なえるようにする。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor device in a good yield by eliminating an adverse effect of a scratch occurring on a surface of an interlayer insulating film or the like by a simple method when a chemically mechanical polishing method is used for flattening or the like.
平坦化などに化学的機械研磨法を用いる場合に層間絶縁膜などの表面に生じるスクラッチによる悪影響を簡便な手法で解消し、半導体装置を歩留まり良く製造する。 - 特許庁 - To provide a disc brake squeak prevention shim and a disc brake which dranstically improve the squeak prevention effect and heat insulation performance and prevents the generation of interlayer peeling phenomena on the surface layer.
鳴き防止効果および断熱性を著しく向上させることができ、しかも表面層において層間剥離現象等を発生することがないディスクブレーキの鳴き防止用シムおよびディスクブレーキを提供する。 - 特許庁 - A first interlayer insulation film 106 is formed to cover a field- effect transistor 105 and embedded with a first conductive plug 107 and a second conductive plug 108.
電界効果型トランジスタ１０５を覆う第１の層間絶縁膜１０６が形成され、第１の層間絶縁膜１０６には第１の導電性プラグ１０７及び第２の導電性プラグ１０８が埋め込まれている。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an interlayer insulating film made to assure large coupling capacitance between a controlling gate and a floating gate, while assuring electric field moderating effect and leak prevention function.
電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor storage device having an interlayer dielectric capable of securing a large coupling capacity between a control gate and a floating gate while securing electric field relaxation effect and leakage preventing function.
電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, since the parts (conductive layers 1a and 1b) of the loops formed on an underlying interlayer insulation film between both inductors have an equal length and the parts (conductive layers 2a and 2b) formed on an overlying interlayer insulation film also have an equal length, an external parasitic capacitance has an equal effect on both inductors.
更に、両インダクタの間で、ループの長さのうち下層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層１ａ及び１ｂ）の長さが互いに等しく、上層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層２ａ及び２ｂ）の長さも互いに等しいため、外部からの寄生容量等の影響は両インダクタに等しく作用する。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover a field-effect transistor, and a contact plug 15 is formed in the insulating film 14 so that the plug 15 may be connected to the drain region 12.
半導体基板１０上には電界効果型トランジスタを覆うように層間絶縁膜１４が形成されており、該層間絶縁膜１４にはドレイン領域１２と接続されるようにコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁 - To attain the stable interlayer jump in a short time for applying the focus control to each recording layer of a disk having the plural recording layers in such a manner that the effect is not absorbed by the external disturbance or the change of the moving speed of an objective lens.
複数の記録層を有するディスクの各記録層にフォーカス制御をかけるための層間ジャンプを、外乱や対物レンズの移動速度の変化に影響を吸収されず、短時間で安定に行なえるようにする。 - 特許庁 - To reduce the effect of moisture that penetrates through the damage to an irreducible minimum so as to prevent moisture from penetrating into an interlayer insulating film where a circuit unit is formed even if damage, such as tissue etc, occurs in a pad.
パッドに亀裂のような損傷が生じた場合でも、その損傷部分から侵入する水分の影響を最小限の範囲にとどめることで、回路部が形成された層間絶縁膜への水分の浸透を阻止することを可能とする。 - 特許庁 - Hence, since the vibration control element 10 maintains horizontal rigidity without changing axial rigidity, earthquake force is largely born, the effect of vibration control is exhibited to control an interlayer deformation of the structure 1, and the relative rotation in the joint section between the column 2 and the beam 4 is made smaller.
このため、制震要素１０が、軸剛性を変えずに水平剛性を保つので、地震力を大きく負担し、制震効果を発揮して、構造物１の層間変形を抑制し、柱２と梁４の接合部における回転変形を小さくする。 - 特許庁 - To provide an interlayer for laminated glass and laminated glass which is excellent in basic performance necessary for laminated glass such as transparency, weather resistance, shock energy absorbency and adhesion with glass, prevents the degradation of TL value due to the coincidence effect and exhibits excellent sound insulation in a wide temperature range stably for a long time without impairing the moldability and handling property as the interlayer for laminated glass.
透明性、耐候性、衝撃エネルギー吸収性、ガラスとの接着性等の合わせガラスに必要な基本性能に優れ、合わせガラス用中間膜としての成形性及び取扱性を損なうことなく、コインシデンス効果によるＴＬ値の低下を防ぎ、且つ広い温度領域において優れた遮音性能を長期安定的に発揮できる合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供することを目的とする。 - 特許庁 - After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.
カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁 - Hereby, as hydrogen diffused from the interlayer dielectric 7 is trapped in the film 14 and moreover, the effect of the hydrogen trapped in the film 14 is stopped by the film 13 inserted between the film 14 and the element 12, a variation of the characteristics of the element can be inhibited.
層間絶縁膜から拡散した水素を水素侵入防止膜中にトラップし、さらに、水素侵入防止膜と素子の間に挿入したシリコン酸化膜により、水素侵入防止膜にトラップされた水素の影響を遮断するため、素子の特性変動を抑制することができる。 - 特許庁 - Alternatively, the lower layer metallization can be prevented from spreading to an interlayer insulation film by forming a thick metal layer having high electrical conductivity, so as to exhibit high antidiffusion effect of lower layer metallization for embedding a level difference occurring at the opening in the anitidiffusion insulation film.
また、拡散防止絶縁膜の開口部に生じる段差部を埋め込むように、電気伝導度が高く、かつ、下層配線金属の拡散防止効果の高い金属層を厚く形成することにより、下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。 - 特許庁 - To provide a deodorizing filter medium having neither structural problems such as interlayer exfoliation nor problems in productivity and exhibiting the deodorizing performance more excellent than that of the filter medium obtained by using a polyurethane base material because of the laminar effect equal to that of the filter medium having a honeycomb structure.
層間剥離等の構造上の問題や生産性の問題を生じることなく、しかも上記ハニカム構造基体を用いた場合と同等の層流効果により、ポリウレタンフォーム基材を用いた場合を凌駕する優れた脱臭性能を発揮し得る脱臭フィルターを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.
第１，第２の電極２，３間に導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁 - The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.
浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁
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