「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 118 119 120 121 122 123 124 125 126 .... 128 129 次へ＞- A method includes laminating, prior to the formation of a device part, on an alignment marking which was formed on an interlayer film 3, a protective film 8, which is transparent for an alignment light and is not photosensitive with respect to exposing light, and planarization processing the top surface of the protective film 8, so that there is no substantial influence of the ruggedness of the alignment marking 2.
デバイス部を形成するのに先だって、層間膜３に形成されたアライメントマーク２上に、アライメント光に対して透明でかつ露光用光に対して感光しない保護膜８を積層して、保護膜８の上面を、アライメントマーク２の凹凸の影響が実質的に無くなるように平坦化処理する。 - 特許庁 - A loop part of a shielded-loop antenna is constituted by a conductive pattern and an interlayer connection part in such a manner that a loop surface of the loop part of the shielded-loop antenna is parallel to the thickness direction and the conductive pattern with a gap is parallel to a surface of the multilayer substrate that faces an object to be measured and is perpendicular to the thickness direction.
そして、シールデッドループアンテナのループ部分がなすループ面が厚み方向に平行となり、測定対象に対向させる多層基板の厚み方向に垂直な表面に対してギャップを有する導体パターンが平行となるように、ループ部分が導体パターン及び層間接続部により構成されている。 - 特許庁 - In the mounting of the semiconductor chip and the interlayer connection of the multilayer interconnection substrate, the hardenable flux included with a resin (A) provided with a phenolic hydroxy group being of solid state in the room temperature, one or more kinds of resins (B) being a hardener and at least one kind thereof is of liquid state in the room temperature, and a thermoplastic resin (C), is used.
半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、フェノール性ヒドロキシル基を有する室温で固形の樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤であり、少なくとも一種は室温で液状である一種以上の樹脂（Ｂ）及び熱可塑性樹脂（Ｃ）を含有する硬化性フラックスを用いる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive siloxane composition which excels in stability when allowed to stand after exposure, causes no pattern drooping during heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after heat curing, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film and a core or clad material of an optical waveguide.
露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁 - Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.
レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 10 is formed of a plurality of layers composed of an BPSG insulating film 10a and a TEOS film 10b, and the BPSG insulating film 10a is covered with the TEOS film 10b, so that the BPSG insulating film 10a is not in contact with a base wiring electrode 12a included in a source electrode 12.
層間絶縁膜１０をＢＰＳＧ絶縁膜１０ａとＴＥＯＳ膜１０ｂとによる複数層で構成し、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａをＴＥＯＳ膜１０ｂにて覆うことで、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａがソース電極１２に含まれる下地配線電極１２ａと接しない構造とする。 - 特許庁 - Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.
また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁 - A wiring groove is provided to the BCB films 6 and 8, and the ALCAPTM 7 of the interlayer insulating film of laminated structure, a connection hole is provided from the bottom of the wiring groove and penetrating through the ALCAPTM 5 and the BCB film 4 functioning as an etching stopper for the connection hole, and an upper dual damascene wiring 9 and upper damascene wiring 9a are formed.
このような積層構造の層間絶縁膜に対して、配線溝がＢＣＢ膜６，８とＡＬＣＡＰ^TM７に形成され、この配線溝底からＡＬＣＡＰ^TM５と接続孔のエッチングストッパーであるＢＣＢ膜４を貫く接続孔が形成され、上層デュアルダマシン配線９、上層ダマシン配線９ａが形成される。 - 特許庁 - To provide a photoreceptor which is free of cracking of a charge transport layer even in long-term repetitive use under high stress, ensures stable potential, improves the fingerprint resistance of the charge transport layer, suppresses occurrence of grainy surface stains even after wear of a photosensitive layer, and improves interlayer adhesiveness, with respect to an organic electrophotographic photoreceptor.
有機電子写真感光体において、応力が大きい状態で長期繰返し使用において電荷輸送層にクラックを生ぜず、電位が安定し、電荷輸送層の耐指紋性を向上させ、感光層が摩耗した場合でも粒状地汚れの発生が低減され、層間の接着性が向上した感光体を提供する。 - 特許庁 - An adhesion of the interlayer to the fuel electrode is increased since the former has the same components as the latter, and further, the contact area with the electrolyte is increased by the uneven surface formed by the screen printing, which intensifies its adhesion increasing its conductivity accordingly.
中間層は燃料極と同等の成分であることから燃料極との密着性が高まり、しかもスクリーン印刷法により中間層を形成したことにより、表面に凹凸が形成されることから電解質との接触面積を増大でき、しかも密着させることができ電導性を高められる。 - 特許庁 - To provide an excellent polishing pad and a polishing device suppressing exfoliation of copper from an interlayer insulating film and hardly causing dishing in metal wiring in the polishing pad for use in forming a flat face on glass, a semiconductor, a dielectric/metal complex, an integrated circuit, or the like.
本発明は、ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッドにおいて、層間絶縁膜からの銅の剥離を抑制し、金属配線でのディッシングが起こりにくい優れた研磨パッドおよび研磨装置を提供せんとするものである。 - 特許庁 - A solution containing an adamantane derivative (10a) having an aldehyde group and an aromatic amine derivative (10b) is coated on a substrate, and thereafter the substrate is subjected to heat treatment in an atmosphere containing oxygen to form an interlayer insulating film as an organic polymer film (10d) having an adamantine skeleton and a benzoxazole skeleton.
アルデヒド基を有するアダマンタン誘導体（１０ａ）と芳香族アミン誘導体（１０ｂ）とを含む溶液を基板上に塗布した後に、酸素を含有する雰囲気下において熱処理を行なうことにより、アダマンタン骨格とベンツオキサゾール骨格とを有する有機高分子膜（１０ｄ）よりなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.
半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁 - An opening is provided to a part of the light blocking film 12 deposited on the circuit element to serve as a cross wiring section 16, a cross electrode 18 is formed of a wiring layer at the same level with the light blocking film 12, and a cross wiring consisting of first electrode wirings 17a and 17c and an electrode wiring 17b can be realized by an interlayer connection.
回路素子部１５の遮光膜１２の一部を開口して交差配線部１６とし、遮光膜１２と同じレベルの配線層で交差電極１８を形成し、層間接続により第１層目の電極配線１７ａ、１７ｃと電極配線１７ｂとのクロス配線を実現する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity, realizes a pattern with a high film remaining rate when developed and after cured, has excellent resolution and a pattern profile of a micro pattern, and has high heat resistance and mechanical performance required for the usage for a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element.
高感度で現像時及びキュア後において高残膜率のパターンを得られ、同時に微細パターンの解像性及びパターン形状に優れ、さらには、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学的性能をも高レベルで満足する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor device 1, an underlaying insulating film 250, an interlayer insulating film 220, and an upper layer insulating film 260 are almost constant in the film thickness, and in a first wiring layer 210, a film thickness d11 at an intersection part 280 with a second wiring layer 230 is thinner than a film thickness d12 of its peripheral part.
半導体装置１において、下地絶縁膜２５０、層間絶縁膜２２０、および上層絶縁膜２６０は、その膜厚が略一定であるが、第１の配線層２１０は、第２の配線層２３０との交差部分２８０での膜厚ｄ１１がその周辺部分の膜厚ｄ１２よりも薄い。 - 特許庁 - A part of an interlayer insulating film 19A, which is exposed to an area wherein an opening 21 corresponding to a wiring pattern in the second layer of a hard mask film 18 and an opening 23 corresponding to a wiring pattern in the first layer of a third resist pattern 22 overlap, is etched to form via openings 26 and 27.
ハードマスク膜１８における２層目配線パターンと対応する開口部２１と、第３のレジストパターン２２における１層目配線パターンと対応する開口部２３とが重なった領域に露出する部分の層間絶縁膜１９Ａに対してエッチングを行うことによって、ビア開口部２６及び２７を形成する。 - 特許庁 - The interlayer conductor 26 consists of a metal material, and is provided by including a gap for transmitting magnetic flux to be generated by the coil pattern 20 in an area which is a partial area of the flexible substrate 15 and an area opposite to the bottom of the semiconductor circuit chip (radio IC chip 10) and/or the surrounding area of the area.
層間導体２６は、金属材料からなり、フレキシブル基板１５の一部領域であって半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）の底面に対向する領域及び／又は該領域の周囲領域に、コイルパターン２０によって生じる磁束を通過させる隙間を有して設けられている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 4 is made up of a resin layer 2 hard to roughen with such thermoplastic resin as polyether sulfone resin or polyether imide resin or such thermosetting resin as polyimide resin or polybenzoxazole resin and resin layer easy to rougher with epoxy resin or the like covering a surface of the layer 2.
層間絶縁膜４を、ポリエーテルサルホン樹脂またはポリエーテルイミド樹脂等の熱可塑性樹脂或いはポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂等の熱硬化性樹脂等の難粗化性樹脂層２と、難粗化性樹脂層２の表面を被覆するエポキシ樹脂等の易粗化性樹脂層３とによって構成する。 - 特許庁 - This interlayer for laminated glass has a multilayer structure including three or more layers, in which at least one layer except outermost layers is a polyvinyl alcohol resin layer containing the polyvinyl alcohol resin and a polyhydric alcohol, and the outermost layers are polyvinyl acetal resin layers containing a polyvinyl acetal resin and a plasticizer.
三層以上の多層構造を有する合わせガラス用中間膜であって、最外層を除く少なくとも一層が、ポリビニルアルコール樹脂と多価アルコールとを含有するポリビニルアルコール樹脂層であり、最外層がポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有するポリビニルアセタール樹脂層である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁 - This interlayer can have a multilayer structure, and can be provided on the ITO layer with at least one layer formed from nickel, nickel oxide, zirconium oxide, a rare earth oxide, magnesium oxide, strontium titanate (STO), strontium-barium titanate (SBTO), titanium nitride, silver, palladium, gold, iridium, ruthenium, rhodium and platinum.
この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 - 特許庁 - The interlayer film for the laminated glass contains a matrix resin, a liquid plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles and/or antimony-doped tin oxide fine particles.
マトリックス樹脂、液状可塑剤、並びに、錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又はアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有する合わせガラス用中間膜であって、前記錫ドープ酸化インジウム微粒子及びアンチモンドープ酸化錫微粒子は下記式（１）で表される有機ケイ素化合物により被覆されていることを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁 - The coating composition for manufacturing the interlayer insulation film comprises a mixture of two different silica precursors containing specific amounts of silicon atoms derived from bifunctional and trifunctional alkoxysilanes in addition to silicon atoms derived from a tetrafunctional alkoxysilane, a block copolymer, an acid catalyst and a solvent.
４官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して２官能性および３官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含む異なる２種類のシリカ前駆体の混合物と、ブロックコポリマーと、酸触媒および溶媒とを包含することを特徴とする層間絶縁膜製造用の塗布組成物。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition which has high radiation sensitivity and development margin to form a favorable pattern even when the process time exceeds the optimum developing time in a developing process, and with which a pattern thin film having excellent adhesiveness can be easily formed, and to provide an interlayer insulating film of electronic parts and microlens.
高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物、電子部品の層間絶縁膜およびマイクロレンズの提供。 - 特許庁 - Thereafter, a second doped polysilicon film 28a and a second tungsten silicide film 28b are sequentially formed on the surface of a contact hole and the interlayer insulating film, and the second tungsten silicide film 28b and the second doped polysilicon film are patterned into an upper conductive layer pattern which comes into contact with the lower conductive layer pattern.
その後、熱処理したコンタクト孔表面及び前記層間絶縁膜上に第２のドープしたポリシリコン膜２８ａと第２のタングステンシリサイド膜２８ｂを順次形成し、第２のタングステンシリサイド膜と第２のドープしたポリシリコン膜をパターニングし、下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンを形成する。 - 特許庁 - To provide an epoxy resin composition suitable for the use as an insulation layer of a multi-layer printed circuit board, and achieving the insulation layer (interlayer insulation layer) of which roughened surface exhibits high close adhesion against a plated conductor even though the roughness of the roughened surface after the roughening is relatively small.
多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁 - In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on the substrate 11 so as to have the cyclic structure of the Si-O bond by the plasma treatment using the film-forming gas comprising a silane-containing gas and an oxygen gas or the film-forming gas comprising an Si-O bond containing gas.
また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.
Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁 - The printed wiring board 1 comprises an insulating resin layer 2, conductor wiring 3 arranged on at least one of the upper surface 22 and the lower surface 23 of the insulating resin layer 2, and an interlayer conductive part 4 comprising a metal piece 41 buried in the insulating resin layer 2 and conducting the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 2 electrically.
絶縁樹脂層２と，該絶縁樹脂層２の上面２２及び下面２３の少なくとも一方に配設された導体配線３と，絶縁樹脂層２に埋め込まれたメタル片４１によって構成されると共に絶縁樹脂層２の上下面を電気的に導通させる層間導電部４とを有するプリント配線板１。 - 特許庁 - To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.
デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁 - A BPSG film (interlayer insulating film) 15 for flattening is formed on the thin film resistor 14 and the USG film 13, and contact holes 16, 18 are formed in the BPSG film and in the USG film for exposing the connecting portion of the thin film resistor 14 and a portion for connecting the thin film resistor.
そして、薄膜抵抗体１４およびＵＳＧ膜１３上に平坦化用のＢＰＳＧ膜（層間絶縁膜）１５を形成し、薄膜抵抗体１４の接続部およびその薄膜抵抗体と接続する部分を露出させるためのコンタクト孔１６、１８をＢＰＳＧ膜およびＵＳＧ膜に形成する。 - 特許庁 - To provide a multilayer printed circuit board, capable of preventing occurrences of cracks or the like in the board or an interlayer resin insulating layer, when an optical waveguide to be incorporated in the multilayer printed circuit board, or particularly, when an optical path conversion mirror is formed by using mechanical processing or the like and having superior connection reliability of light signals.
多層プリント配線板に内蔵される光導波路を形成する際、特に、機械加工等を用いて光路変換ミラーを形成する際に、基板や層間樹脂絶縁層にクラック等が発生することを防止することができ、また、光信号の接続信頼性に優れた多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device 10, a TFT 11 of a TFT substrate 12 is provided with a drain electrode 21 formed in an island shape and electrically connected to a pixel electrode 37 via a contact hole 40 formed in an interlayer insulating film 36 and a source electrode 20 disposed on the periphery of the drain electrode 21.
液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板１２のＴＦＴ１１が、島状に形成され且つ層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホール４０を介して画素電極３７に電気的に接続されたドレイン電極２１と、ドレイン電極２１の周りに配置されたソース電極２０と、を備える。 - 特許庁 - The inner wall of an interlayer connection hole composed of an interstitial via or a via or a through-hole and a land are divided into a plurality of electrodes, the divided electrodes are disposed closely with keeping them insulated, and lead lines and lines led are wired to the respective electrodes to lower than inductance of a connection conductor.
本発明は、インタスティショナルバイアホールまたはバイアホールまたはスルーホールでなる層間接続穴の内壁とランドとを複数の電極に分割し、当該分割した電極を絶縁を維持して接近させ、夫々の電極に誘導ラインと被誘導ラインとを配線し、接続導体のインダクタンスを低下させる。 - 特許庁 - To provide a multilayer printed wiring board that assures close contact with an interlayer resin insulated layer formed on a conductive circuit and can form the via holes (conductive circuits) assuring close contact with the conductive circuits where a rough surface at the conductor circuit surface is not flattened even at the time of irradiation of laser beam.
導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、レーザ光を照射した際にも、導体回路表面の粗化層が平坦化されず、導体回路との密着性に優れたバイアホール（導体回路）を形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The copper-clad laminated board is configured so that a prepreg of glass-cloth base material is made to be an interlayer, a plurality of sheets of the prepreg composed of liquid crystal polymer nonwoven fabrics are superposed in which a heat curable resin composition is impregnated, and a lamination which is provided with copper foil at least in its one plane is integrated by heat curing.
ガラスクロスを基材とするプリプレグを中間層とし、液晶ポリマー不織布に熱硬化型樹脂組成物を含浸させてなるプリプレグ複数枚を重ね合わせると共に、その少なくとも片面に銅箔を設けた積層物を、加熱硬化させて一体化してなる銅張り積層板である。 - 特許庁 - The polyester film for supporting interlayer insulating material includes a coated layer formed on one surface of the polyester film whose centerline average roughness (SRa) of the other film surface is 0.5-15 nm, and an oligomer amount on a surface of the coated layer after heat treatment at 180°C for 30 minutes is 3.0 mg/m^2 or less.
一方のフィルム表面の中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．５〜１５ｎｍであるポリエステルフィルムのもう一方の面に塗布層を有し、１８０℃で３０分間熱処理した後の当該塗布層表面のオリゴマー量が３．０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする層間絶縁材料支持ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - This knit fabric for the underwear is composed of a double knit fabric obtained by knitting an interlayer from polyamide-based fibers or polyester fibers in which silver or copper vapor is deposited and knitting the surface side (the side out of contact with the skin) and the back surface side (the side in contact with the skin) so as not to contain the metal-coated fibers therein.
銀あるいは銅を蒸着したポリアミド系繊維あるいはポリエステル系繊維により中間層を編立て、さらに、表面側（肌が接触しない側）及び裏面側（肌に接触する側）にこの金属被覆繊維が含まれないように編み立てたダブルニット地で構成された肌着用編地。 - 特許庁 - To provide a protection circuit for surely detecting, in the switching power supply providing a plurality of outputs, interlayer short circuit generated in the secondary side output wiring having a light load which cannot be detected with an overcurrent detecting circuit of a primary side coil and stably protecting the transformer, before it reaches on abnormally high temperature.
複数の出力が存在するスイッチング電源において、一次側コイルの過電流検出回路では検出が困難な負荷が軽い二次側出力巻線に生じるレアショートを確実に検出し、トランスが異常過熱温度に至る前に確実に安定して保護動作に至る保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.
配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.
本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁 - To provide a high-sensitivity photosensitive siloxane composition which suppresses pattern drooping in heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after a heat curing step, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or clad material of an optical waveguide.
熱硬化中に発生するパターンだれを抑制し、熱硬化工程後において高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度の感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁 - A film formation method includes a titanium film formation step of forming the titanium film on an interlayer insulation film 520 and a silicon-containing surface 512 on a bottom of a contact hole 530, a nitriding step of nitriding the entire titanium film to form the single titanium nitride film 550, and a tungsten film formation step of forming the tungsten film 560 on the titanium nitride film.
層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a developing roller which is excellent in interlayer adhesion between a silicone resin layer and a surface layer when storing under high temperature and high humidity for a long time and is capable of suppressing an image stripe caused by long term contact with a developing blade and toner adhesion when an image is output repeatedly under low temperature and low humidity.
高温高湿下において長期期間保管した際の、シリコーン樹脂層と表面層の層間接着性が優れ、現像ブレードとの長期接触による画像スジ、低温低湿下における繰り返し画像出力した際のトナー固着の抑制を同時に可能とする現像ローラを提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device 1 includes a photodetector 30 that receives ambient external light, wherein a through hole 51 accommodating the photodetector 30 is formed in a gate insulating film 33 and a first interlayer dielectric 34 formed on an element substrate 11, and at least the inner wall of the through hole 51 has light-shielding property.
周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 20 has a moisture-absorbing insulating film 15 which is charged between mutually adjacent gate electrodes 12 and has a film thickness on the gate electrodes 12 smaller than on a flat surface of the semiconductor substrate 10, and a non-moisture-absorbing insulating film 16 formed on the moisture-absorbing insulating film 15.
層間絶縁膜２０は、互いに隣接するゲート電極１２間を充填するとともに、ゲート電極１２上での膜厚が、半導体基板１０の平坦面上での膜厚よりも薄い吸湿性絶縁膜１５と、吸湿性絶縁膜１５上に形成された非吸湿性絶縁膜１６とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of preserving a coating liquid for forming a semiconductor interlayer insulating film, which can improve pot life of a coating liquid obtained by dissolving an insulating film forming composition containing a silane coupling agent into an organic solvent and is used to form an insulating material having sufficient mechanical strength, low dielectric constant and excellent adhesiveness.
充分な機械強度とともに、低誘電率であり密着性に優れた絶縁材料を形成するための、シランカップリング剤を含有する絶縁膜形成用組成物を有機溶媒に溶解した塗布液のポットライフを高める半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing pad with grooves to be used for polishing a semiconductor device wafer for an interlayer insulation film and metal wiring for flattening its surface, in which polishing performance can be improved, in which polishing speed and uniformity in the surface can be balanced, and in which aging fluctuation of polishing performance is small.
層間絶縁膜や金属配線等の、半導体デバイスウエハの表面平坦化加工用研磨パッドとして用いられる研磨パッドにおいて、研磨性能の改善をはかるためのもので、研磨速度と面内の均一性のバランスが取れており、また研磨性能の経時変動の小さい溝付き研磨パッドを提供する。 - 特許庁 - There are provided at least three layers of electrode plates, dielectric resin layers which are provided between the electrode plates and each of which is a board base material as a wiring board, and a plurality of interlayer connectors provided through the dielectric resin layers with the electrode plates as electrically other nodes alternatively in a layer direction.
少なくとも３層の電極板と、電極板の間それぞれに設けられ、おのおのが配線板としての板基材である誘電体樹脂層と、電極板を層方向互い違いに電気的に別のノードとするように誘電体樹脂層それぞれを貫通して設けられた複数の層間接続体とを具備する。 - 特許庁 - In this liquid crystal display device, a gate electrode 11, a gate insulating film 12, the active layer 14 provided with a source 14s and a drain 14d, an interlayer insulating film 15 and a flattened insulating film 17 are laminated in this order on an insulative substrate 10, and the display electrode 18 connected to the source 14s is provided on the flattened film 17.
絶縁性基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、ソース１４ｓ及びドレイン１４ｄを備えた能動層１４、層間絶縁膜１５、及び平坦化絶縁膜１７を順に積層し、ソース１４ｓに接続した表示電極１８を平坦化絶縁膜１７上に設ける。 - 特許庁
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