「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 128 129 次へ＞- REFORMED LAYER-LIKE CLAY MINERAL, METHOD FOR PRODUCING REFORMED LAYER-LIKE CLAY MINERAL AND INTERLAYER COMPOUND
改質層状粘土鉱物、改質層状粘土鉱物の製造方法、及び層間化合物 - 特許庁 - The interlayer distance d002 of a plurality of the crystallites is set to 0.388 nm≤d002≤0.420 nm.
複数の結晶子の層間距離ｄ_002 は０．３８８ｎｍ≦ｄ_002 ≦０．４２０ｎｍに設定される。 - 特許庁 - The particles having an average interlayer spacing d002 of 0.3354-0.3400 nm are preferable, and natural graphite particles are more preferable.
さらに、平均層間距離d_002が0.3354nm〜0.3400nmのものが良く、天然黒鉛からなるものがさらに良い。 - 特許庁 - First, a wiring groove 16 is formed at an interlayer insulating film 15 prepared on a substrate 11.
まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する。 - 特許庁 - The topmost metallic layer is formed at the upper part of the interlayer dielectric film in the cell array region.
前記セルアレイ領域内の前記層間絶縁膜上部に最上部金属層が配置される。 - 特許庁 - A dummy pattern 41 is formed in a third interlayer insulation film in a peripheral region 2 of a wafer 1.
ウェハ１の周辺領域２の第３層間絶縁膜に、ダミーパターン４１を形成する。 - 特許庁 - The contact hole 30h is partitioned by sidewalls 31 of the interlayer insulation films 20, 30.
コンタクトホール３０ｈは層間絶縁膜２０および３０の側壁３１によって規定されている。 - 特許庁 - Contact plugs 104 are formed in a first interlayer insulating film 102 on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０２にコンタクトプラグ１０４を形成する。 - 特許庁 - To provide various semiconductor structures including strain-absorbing III-Nitride interlayer modules.
歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method capable of inhibiting deterioration of magnetic characteristics by protecting a magnetoresistance effect element from outgas of an interlayer film.
層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁 - The interlayer film for a laminated glass contains a polyvinylacetal resin and a moisture-resistance improving agent.
ポリビニルアセタール樹脂と耐湿性向上剤とを含有する合わせガラス用中間膜とする。 - 特許庁 - The interlayer adhesive strength between the porous layer and the ink absorptive layer is 1-500 g/15 mm.
多孔質層とインク吸収層との層間接着強度が１〜５００ｇ／１５ｍｍである。 - 特許庁 - Metal wiring 5 is formed on an interlayer insulation film 1 so as to be in contact with the plug 3.
プラグ３に接触するように、層間絶縁膜１の上にメタル配線５を形成する。 - 特許庁 - Therefore, the second interlayer film becomes constant in thickness after a CMP process, and a residual film gets uniform in thickness.
従ってＣＭＰ後の膜厚のばらつき（場所依存）が無くなり、残膜厚が均一になる。 - 特許庁 - The semiconductor device contains the porous siliceous film as an interlayer dielectric.
前記多孔質シリカ質膜を層間絶縁膜として含むことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - An interlayer dielectric 7 is formed on a silicon substrate 1 with a p-type diffusion layer 5 formed thereon.
ｐ型拡散層５が形成されたシリコン基板１上に層間絶縁膜７を形成する。 - 特許庁 - In any position passing the center of an interlayer continuity via 1, a multilayer wiring board 2 is cut in widthwise direction.
層間導通ビア１の中心を通る位置で、多層配線基板２を幅方向に切断する。 - 特許庁 - The interlayer distance d_002 of a plurality of crystallites 12 is set at d_002≥0.347 nm.
それら複数の結晶子１２の層間距離ｄ_002 はｄ_002 ≧０．３４７ｎｍに設定されている。 - 特許庁 - An organic compound film 2 of a wiring pattern is formed on an interlayer insulating film (a).
層間絶縁膜１上に形成すべき配線のパターンの有機化合物膜２を形成する（ａ）。 - 特許庁 - GERMANIUM-CONTAINING SILOXANE-BASED RESIN AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM BY USING THE SAME
ゲルマニウムを含むシロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜の形成方法 - 特許庁 - INTERLAYER CONNECTING SHEET, AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYER FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME
層間接続シート及びその製造方法ならびにそれを用いた多層フレキシブルプリント配線板 - 特許庁 - An aperture for via-hole 42 is formed on an interlayer insulation layer 40 on a core board 30.
コア基板３０上の層間樹脂絶縁層４０に、レーザでバイアホール用開口４２を形成する。 - 特許庁 - An interlayer oxide film 12 is formed on a substrate layer 10 conducted with a bottom surface of the contact plug.
コンタクトプラグの底面と導通する基板層１０の上に層間酸化膜１２を有する。 - 特許庁 - A contact hole 20 is formed at an interlayer insulating film 13 formed on a lower layer interconnect 11.
下層配線１１上に形成された層間絶縁膜１３に、コンタクトホール２０が形成される。 - 特許庁 - The paper base material 12 has high interlayer strength in both longitudinal direction and lateral direction.
紙基材１２は、縦方向および横方向のいずれについても層間強度に優れている。 - 特許庁 - Damascene trenches reaching the lower interconnections are made in the interlayer insulation film with the minimum dimensions of lithograph.
層間絶縁膜に、下部配線に到達するダマシン溝をリソグラフの最小寸法で形成する。 - 特許庁 - Then, a plug 3 is formed in the interlayer insulating film 1 so as to be electrically connected to a semiconductor element 2.
層間絶縁膜１に半導体素子２に電気的接続を行なうプラグ３を形成する。 - 特許庁 - A prepreg, where an appropriate irregularity is formed on the outside, can be applied to the interlayer stacking adhesive material 7.
層間積層接着材７には外面に適度な凹凸を形成したプリプレグを適用できる。 - 特許庁 - To provide a laminated film having outstanding antistatic property and antifogging nature, and, further, interlayer adhesiveness.
優れた制電性及び防曇性、更には層間接着性を有する積層フィルムを提供する。 - 特許庁 - The conductor 105 is compressed enough and a highly reliable fine interlayer connection can be formed.
導電体１０５は充分圧縮され、高信頼性の微細な層間接続が形成できる。 - 特許庁 - Therefore, the interlayer insulating film on the fuse 4b is broken easily when the fuse 4b is fused and cut.
このため、ヒューズ４ｂを溶断する際に、ヒューズ４ｂ上の層間絶縁膜は破壊されやすい。 - 特許庁 - Thereby, the interlayer dielectric film having a cage structure with a large hole diameter is obtained.
これにより、大きな空孔径のかご型構造を有する層間絶縁膜が得られるようになる。 - 特許庁 - To ensure water-tightness and noise elimination, and absorb dimensional differences in the direction of a frontage and interlayer dislocation.
水密性，消音性を確保し、間口方向の寸法誤差および層間変位を吸収する。 - 特許庁 - Three or more wiring layers are formed on an array substrate 2 via an interlayer insulating film.
アレイ基板２上に層間絶縁膜を介して３層以上の配線層が形成されている。 - 特許庁 - To form an interlayer insulation film without any gap in an area narrow in the interval of a gate electrode.
ゲート電極の間隔が狭い領域においても、層間絶縁膜を隙間無く形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the flatness of an interlayer insulating film is secured.
層間絶縁膜の平坦性が確保される半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Interlayer insulating films 57, 58 are formed between the charge accumulation section and the word line.
さらに、電荷蓄積部とワード線との間には、層間絶縁膜５７、５８が形成されている。 - 特許庁 - The silicon film 30 and the second interlayer insulating film 18 are etched to form a wiring trench 18a.
シリコン膜３０と第２層間絶縁膜１８とをエッチングし、配線溝１８ａを形成する。 - 特許庁 - To manufacture a laminated interlayer optical directional coupler which makes high-density integration possible.
高密度集積を可能にする積層型層間光方向性結合器を歩留り良く製造する。 - 特許庁 - Between the third interlayer insulation film 14 and the drain interconnection 15, a gap 16 is formed.
第３層間絶縁膜１４とドレイン配線１５との間には、隙間１６が生じている。 - 特許庁 - An interlayer insulating film 4 is formed on the plurality of level difference forming polysilicon layers 3.
複数の段差形成用ポリシリコン層３上には、層間絶縁膜４が形成されている。 - 特許庁 - To provide a resin composition that has excellent electric characteristics and laser processability of an interlayer insulation layer.
電気特性・層間絶縁材層のレーザー加工性に優れる樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To increase an interlayer adhesion force between a lower cladding layer and a core layer without performing plasma treatment.
プラズマ処理をすることなく下部クラッド層とコア層との層間密着力を高めること。 - 特許庁 - RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THOSE
感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの製造方法 - 特許庁 - A first opening 2a is formed on the first interlayer insulation film 2, and this alignment mark M1 is constituted.
第１の層間絶縁膜２に第１の開口２ａを形成し、アライメントマークＭ_1を構成する。 - 特許庁 - To provide an interlayer interconnection of a semiconductor device using a carbon nanotube, and to provide its manufacturing method.
カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A via 28 and upper layer wiring 30 are formed inside the liner film 20 and interlayer dielectric 22.
ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。 - 特許庁 - An iridium layer 16 is formed on an interlayer insulating film 12 and inside an opening 14.
層間絶縁膜１２の上および開口部１４の内部には、イリジウム層１６が設けられている。 - 特許庁 - INTERLAYER INSULATING FILM FOR FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD, ITS MANUFACTURING METHOD, AND FLEXIBLE PRINTED WIRING BOARD
フレキシブルプリント配線板用層間絶縁膜、その製造方法およびフレキシブルプリント配線板 - 特許庁 - To reduce interlayer capacitance between a wiring and a substrate in a semiconductor device.
半導体装置における配線と基板との間の層間容量を低減できるようにする。 - 特許庁
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