「interlayer」を含む例文一覧(6425)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 128 129 次へ＞- In the via hole formation step, via holes 136 and 137 are formed to communicate with holes 133 and 134 while penetrating the interlayer insulation layers 33 and 35.
ビアホール形成工程では、層間絶縁層３３，３５を貫通して穴部１３３，１３４に連通するビアホール１３６，１３７を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by forming interlayer insulation films, using a simple and easy TEOS-O3 CVD system.
簡便なＯ_3 −ＴＥＯＳにより、ＣＶＤ装置を用いた層間絶縁膜の形成による半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A metal thin film is formed only at the upper section of the interlayer insulating film pattern, so that the inner wall of the hole region is exposed.
ホール領域の内側壁が露出されるように前記層間絶縁膜パターンの上部にのみ金属薄膜を真空雰囲気下で形成する。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 200 is formed on the lower wiring 110, and has a via hole 230a exposing the upper surface of the lower wiring 110.
層間絶縁膜２００は、下部配線１１０上に形成され、下部配線１１０の上面が露出するビアホール２３０ａを有する。 - 特許庁 - In addition, the upper applied interlayer film 5a formed between the via mask 1a and the wiring mask 6 is composed of fluidal hydrogen silsesquioxane.
また、埋め込みビアマスク１ａと上層配線マスク６との間に形成される上部塗布層間膜５ａは、流動性のＨＳＱからなる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of improving characteristics of a capacitor covered by an interlayer insulating film, and to provide a method of manufacturing the same.
層間絶縁膜に覆われるキャパシタの特性を良好にすることができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To realize a high reliability printed wiring board by previously providing a position where any defect is liable to occur in interlayer connection.
層間の接続において欠陥の発生しやすい場所をあらかじめ、設けることにより、信頼性の高いプリント配線板を実現できる - 特許庁 - The interconnecting joint 5b, 6b has one end part provided with a via hole 4 for interlayer connection and the other end part connected with the external joint 5a, 6a.
中継接続部５ｂ，６ｂの一端部には層間接続用ビアホール４が設けられ、他端部は外部接続部５ａ，６ａに接続している。 - 特許庁 - As a result, a lamination wiring board 1000 wherein the copper foil 11 and the copper foil 21 are subjected to interlayer connection via the land 12 is manufactured.
これにより，銅箔１１と銅箔２１とが，ランド１２を経由して層間接続されている積層配線板１０００が製造できる。 - 特許庁 - To provide a substrate for a wiring board, which forms a protruding paste of a desired height without a printing faulty, to enhance an interlayer connection reliability.
所望の高さの凸状ペーストを印刷不良なく形成し、層間接続信頼性を向上させる配線基板用基材を提供する。 - 特許庁 - A through-hole TH having an inner surface including a bottom comprising the silicide regions SCs, SCg is formed in the interlayer dielectric ILD1.
シリサイド領域ＳＣｓ、ＳＣｇからなる底面を有する内面が設けられたスルーホールＴＨが層間絶縁膜ＩＬＤ１に形成される。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device in which moisture resistance can be improved by improving the bondability of an interlayer insulating film without increasing a seal ring region.
シールリングの領域を増やさずに層間絶縁膜の密着性を向上し、耐湿性を向上することができる半導体装置を得る。 - 特許庁 - Consequently, a printed wiring board is prevented from being warped using a thin core substrate 30, and interlayer insulation layers 50A, 50B with no core material.
これにより、薄いコア基板３０と、芯材を備えない層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂとを用いて、プリント配線板に反りを発生させない。 - 特許庁 - The transparent conductive film on the interlayer insulation film is formed without heating under the oxygen flow rate of 1% or less and annealed after the formation.
また、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際、非加熱で酸素流量比を１％以下とし、且つ、成膜後アニールを行う。 - 特許庁 - On the intermetal insulating film 112, there is disposed a secondary interlayer dielectric 116 having a trench 118b, which exposes the via contact hall 120b.
金属間絶縁膜１１２上にはビアコンタクトホール１２０ｂを露出させるトレンチ１１８ｂを有する第２層間絶縁膜１１６を配させる。 - 特許庁 - To provide a laminated ceramic capacitor 1 wherein the improvement of its bias characteristic obtained at 85 °C can be expected even when thinning its interlayer dielectric layers 2.
層間誘電体層２を薄層化した場合でも、８５℃でのバイアス特性の向上が期待できる積層セラミックコンデンサ１を提供すること。 - 特許庁 - A resist pattern having multi-step local thickness is formed on the interlayer insulating layer 45 using photomasks capable of halftone exposure.
次に、局所的な厚みが多段階であるレジストパターンが、ハーフトーン露光が可能なフォトマスクを用いて、層間絶縁層４５上に形成される。 - 特許庁 - In this case, etching is effected so as to be deeper than the surface of the interlayer wiring layer 14 by a dropping size (f) to form a dropping part P.
このとき、層間配線層１４の表面から落としこみ寸法ｆだけ深くエッチングで掘り下げて落とし込み部Ｐを形成する。 - 特許庁 - The top portion of the protrusion-like conductor 51 is located at a height same as or higher than that of the surface 33b of the lowermost interlayer insulating layer 33.
突起状導体５１の頂部は、最下層の層間絶縁層３３の表面３３ｂと同じ位置またはそれよりも高い位置にある。 - 特許庁 - To improve an adhesion of a carbon coating on a substrate through an interlayer.
中間層２１を介して炭素被膜２２を基体２０上に形成した炭素被膜形成基体において、炭素被膜２２の密着性を向上させる。 - 特許庁 - A fluorine-containing second interlayer insulating film 14 is formed on the wire 13, and a via hole 15 is formed on a part of the upper surface of the wiring 13.
その上にフッ素を含有する第２の層間絶縁膜１４を形成し、配線１３の一部の上にはヴィアホール１５を形成する。 - 特許庁 - A silicon nitride film 42 is formed on a semiconductor substrate 20 as an interlayer dielectric film of a first layer interconnect line 26 and a second layer interconnect line 28.
半導体基板２０の上に第１層の配線２６と第２層の配線２８との層間絶縁膜としてシリコン窒化膜４２を形成する。 - 特許庁 - Accordingly, the stress relaxation film 46 relaxes the difference in thermal expansion coefficient between the third interlayer insulation film 44 and the pixel electrode 9a.
このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 - 特許庁 - A trench gate 20 is formed within a first trench 18 formed to a semiconductor layer 14 and an interlayer insulating film 21 covering the trench gate is formed.
半導体層１４に形成された第１のトレンチ１８内にトレンチゲート２０を形成し、それを覆う層間絶縁膜２１を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which can prevent interlayer displacement of a circuit by preventing displacement of a circuit board.
回路板の位置ずれを防止して、回路が層間位置ずれすることを防ぐことができる多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Copper wiring lines are made of a Cu film 209 in an interlayer insulating film consisting of an L-Ox film 203 and an SiO_2 film 204.
Ｌ−Ｏｘ膜２０３およびＳｉＯ_２膜２０４が積層した層間絶縁膜中にＣｕ膜２０９からなる銅配線を形成する。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element has a plurality of light-emitting layers 4 laminated between an anode 1 and a cathode 2 through the interlayer 3.
陽極１と陰極２の間に、中間層３を介して積層された複数の発光層４を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 - 特許庁 - To improve a transfer capability and a sensor sensitivity by forming an interlayer insulating film without thermally oxidizing a polysilicon transfer electrode film.
ポリシリコン転送電極膜を熱酸化することなく層間絶縁膜を形成することにより、転送能力やセンサ感度の向上を図る。 - 特許庁 - To provide an excellent developing roller which is satisfactory in an interlayer adhesion between a shaft and a covering layer and continuously obtains a high-quality toner image.
シャフトと被覆層との層間接着性が良好で、高品質のトナー画像が継続して得られる優れた現像ローラを提供する。 - 特許庁 - Since the compound of the formula (1) well absorbs an electron beam, an electron beam hardly reaches the low dielectric constant interlayer insulating film as a film to be processed.
一般式（１）の化合物が電子線をよく吸収するため、被加工膜たる低誘電率層間絶縁膜に電子線が到達しにくい。 - 特許庁 - A contact plug 16C is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region of a second MOS type transistor.
第２ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｃが形成されている。 - 特許庁 - Rounding oxidation at the end of a gate electrode 9 is also carried out by reflow process for forming an interlayer insulating film 10.
層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理により、ゲート電極９の端部の丸め酸化も兼用して実施されるようにする。 - 特許庁 - To provide a filler which has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent and is useful for a substrate or an interlayer insulating film constituting a circuit substrate.
比誘電率、誘電正接が低く、回路基板を構成する基板または層間絶縁膜に有用である充填材を提供すること。 - 特許庁 - The laminated glass 10 comprises a pair of opposed glass sheets 11 and 12 and an interlayer 15 sandwiched between the glass sheets 11 and 12.
合せガラス１０は、互いに対向する一対の板ガラス１１，１２と、一対の板ガラス１１，１２間に介装された中間膜１５とから成る。 - 特許庁 - To obtain a silica membrane expressing a remarkably low dielectric constant of ≤2.2 and having little moisture absorption as an interlayer insulation in semiconductor elements and the like.
半導体素子などにおける層間絶縁として、２．２以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ吸湿の少ないシリカ膜を得る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an inductor-incorporated printed wiring board which is reducible in resistance of interlayer wiring even when an inductor wiring layer is made thick.
インダクタ配線層を厚くしても層間配線の抵抗を低減できるインダクタ内蔵プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To stably form a contact hole of a high aspect ratio in an interlayer insulating film formed in a semiconductor substrate by an induction coupled plasma device.
誘導結合型プラズマ装置によって、半導体基板に形成された層間絶縁膜に高アスペクト比のコンタクトホールを安定して形成する。 - 特許庁 - In the interlayer insulating film 16 and the etching stopper film, contact holes 16a and 16b that exposes the surface of a metal silicide 9 are formed.
その層間絶縁膜１６およびエッチングストッパ膜に、金属シリサイド９の表面を露出するコンタクトホール１６ａ，１６ｂが形成される。 - 特許庁 - Since the film forming surface level of the third interlayer insulation film 13 formed on the dummy patterns A and B is raised, excessive polishing is prevented at the position.
ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。 - 特許庁 - On the first interlayer insulating film 3, a groove 4 dug from the upper surface is formed in a region including the prescribed portion 71 in a plan view.
第１層間絶縁膜３には、平面視で所定部分７１を含む領域に、その上面から掘り下がった溝４が形成されている。 - 特許庁 - Thereby, similar refraction with a convex lens occurs in an interface between the high refractive index material 4e and the interlayer insulating film 8, in the trench shape concave section 8e.
このため、溝状凹部８ｅでは、高屈折率材料４ｅと層間絶縁膜８との界面では凸レンズと同様な屈折が発生する。 - 特許庁 - After an interlayer insulation film 18 and each electrode are formed, a silicon nitride film is formed by plasma CVD as a protective insulation film 22.
層間絶縁膜１８および各電極を形成した後、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成して保護絶縁膜２２とする。 - 特許庁 - Thereafter, a silicon oxide film including at least one side of phosphorus (P) and boron (B) is formed on the protective insulation film as an interlayer insulation film.
その後、保護絶縁膜上に、層間絶縁膜として燐（Ｐ）及び硼素（Ｂ）の少なくとも一方を含んだシリコン酸化膜を成膜する。 - 特許庁 - A support 25 having a higher hardness than that of the spacer 15 and preventing collapse deformation of the interlayer insulating film 26 at the position corresponding to the spacer 15 is formed.
スペーサ15よりも大きい硬度を有し、スペーサ15に対応する位置での層間絶縁膜26の潰れ変形を防止する支持体25を形成する。 - 特許庁 - To provide a joint structure of panels facilitating the construction and preventing a clearance from formed between adjoining panels and damage from formed by interlayer displacement.
構築が簡単で、隣接するパネルの間に隙間や層間変位による破損が生じないようにしたパネルのジョイント構造を提供する。 - 特許庁 - The dielectric memory device includes a first interlayer dielectric 17 formed on a semiconductor substrate 11, and a dielectric capacitor 25.
誘電体メモリ装置は、半導体基板１１の上に形成された第１の層間絶縁膜１７と、誘電体キャパシタ２５とを備えている。 - 特許庁 - Exposure of the hygroscopic film is prevented by forming a trimming fuse for the resistor on the intermetallic interlayer film which has the hygroscopic film.
抵抗体のトリミング用フューズは吸湿性膜を含む金属間層間膜の上に形成することで吸湿性膜の露出を防止する。 - 特許庁 - The method ensures an appropriate functional interaction among circuit features by including functional interlayer and intra-layer constraints on a wafer.
方法は、ウェハに対する機能的層間および層内制約を含むことによって回路形体間の適正な機能的相互作用を保証する。 - 特許庁 - The method makes the interlayer distance controllable in the tilted smectic mesophase, and controls or inhibits a geometry in a chevron layer.
この方法はティルトスメクティックメソフェーズにおける層間隔を制御することを可能にし、それによってシェブロン層のジオメトリーを制御又は抑制する。 - 特許庁 - To provide a laminate member which gives a laminate excellent in interlayer cohesiveness and adhesiveness, and a laminate using the laminate member.
層間の密着性、接着性に優れた積層体を実現することができるラミネート部材と、このラミネート部材を用いた積層体を提供する。 - 特許庁
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