An interstitial dislocation loop is formed as uniformly distributed in the SiGe layer during the annealing. このアニール中、格子間型転位ループ(interstitial dislocation loop)がSiGe層内に均一に分布するものとして形成される。 - 特許庁
The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate. この格子間型転位ループが、SiGe層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁
Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened. 格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってSiGe層が緩和される。 - 特許庁