The ceramic substrate for the semiconductor fabrication/ inspection equipment comprises a ceramic substrate 1 having conductors 2, 3 and 5 formed therein, and a ceramic layer including the conductors and neighbors thereof, and a ceramic layer lower than the conductor that shows the property of an intragrain fracture when they are fractured, and other ceramic layers those show property of inter grain fracture when they are fractured. その内部に導体2,3,5が形成されたセラミック基板1であって、導体およびその近傍を含むセラミック層、および、導体より下のセラミック層は、破壊時に粒界破壊の性状を呈し、その他のセラミック層は、破壊時に粒子内破壊の性状を呈することを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁