「introduction process」を含む例文一覧(185)

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  • With the introduction of per-process namespaces in Linux 2.4.19, this file became a link to /proc/self/mounts ,
    このファイルのフォーマットはfstab (5) - JM
  • NOZZLE DEVICE FOR GAS INTRODUCTION USED IN INJECTION MOLDING PROCESS
    射出成形工法に用いられるガス注入用ノズル装置 - 特許庁
  • A gas introduction line 5 introduces process gas into the process chamber 1 with fixed flow rate.
    ガス導入ライン５は、プロセスチャンバ１の内部にプロセスガスを一定の流量で導入する。 - 特許庁
  • Before or after the liquid groove formation process, an introduction hole formation process for forming two or more introduction holes 4 for introducing the kneaded clay is carried out.
    液溝形成工程の前に、または後に、坏土を導入するための複数の導入孔４を形成する導入孔形成工程を行う。 - 特許庁
  • To provide a gas introduction path for improving the uniformity of a process gas.
    プロセスガスの均一性の向上を図るガス導入路を提供する。 - 特許庁
  • The etching block gas introduction tube 118 and the process gas introduction tube 120 can be provided in an upper electrode 106.
    エッチング阻止ガス導入管１１８およびプロセスガス導入管１２０は、上部電極１０６内に設けることができる。 - 特許庁
  • To minimize introduction of harmful gases included in process gas effluent into the environment.
    処理排気に含まれる有害ガスの環境への持ち込みを最小にする。 - 特許庁
  • The process tube 16 includes, on its inner surface, a gas introduction tube support 162 capable of supporting the upper end of the gas introduction tube 184.
    プロセスチューブ１６は、その内面に、ガス導入管１８４の上端部を支持可能なガス導入管支持部１６２を有する。 - 特許庁
  • The gas introduction pipe 13 is provided with a heater 15 for heating a process gas.
    ガス導入管１３には、処理ガスを加熱する加熱器１５が介設されている。 - 特許庁
  • In this introduction process, the material is conveyed under the pressure of about 360 psi or less.
    この導入工程は、約３６０ｐｓｉ以下の圧力で、材料を送達する。 - 特許庁
  • Gas introduction piping 20 introduces process gas for plasma generation into a processing chamber 3.
    ガス導入配管２０は、処理室３にプラズマ生成用のプロセスガスを導入する。 - 特許庁
  • It is preferable that the slurry preparation process and the slurry introduction process are carried out at 0-20°C and the granulation process is carried out at >100°C to ≤270°C.
    スラリー調製工程及びスラリー導入工程は０〜２０℃、造粒工程は１００℃を越えかつ２７０℃以下の温度で行うのが好ましい。 - 特許庁
  • In the annealing treatment A, a process of atomic oxygen introduction annealing treatment is first executed under predetermined conditions and then, a process of hydrogen atom introduction annealing treatment is executed under the predetermined conditions.
    このアニール処理Ａでは、まず原子状酸素導入アニール処理の工程を所定条件下で実行し、続いて水素原子導入アニール処理の工程を所定条件下で実行する。 - 特許庁
  • The manufacturing method of the brush comprises an introduction process for introducing a prescribed number of bristles to an introduction part having an air passage, a transfer process for transferring the bristles introduced to the introduction part while holding the bristle by suction force effected through the air passage, and a delivery process delivering the bristles out from the introduction part.
    通気路を有する導入部に所定本数の用毛を導入する用毛の導入工程と、前記導入部に導入された前記用毛を、前記通気路を通じた吸引力で該導入部内に保持して移送する用毛の移送工程と、所定位置に移送された前記用毛を前記導入部から送出する用毛の送出工程とを具備する。 - 特許庁
  • INTRODUCTION METHOD, AND FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
    導入方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置および電子機器 - 特許庁
  • In addition, the gas introduction line 5 and an exhaust means 6 hold pressure inside the process chamber constant.
    また、ガス導入ライン５及び排気手段６は、プロセスチャンバの内部の圧力を一定に保つ。 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING INTRODUCTION OF PROCESS WASTE GAS INTO CONSTITUTION COMPONENT FOR POST TREATMENT
    後処理用の構成要素中へのプロセス排ガスの導入を制御する装置および方法 - 特許庁
  • Gas blow-out ports 63, 73 of the upper side introduction tube and/or side surface side introduction tube 7 can be provided closer to the substrate 10 than the gas blow-out port 53 of the process gas introduction tube 5.
    上面側導入管および／または側面側導入管７のガス噴出口６３，７３は、プロセスガス導入管５のガス噴出口５３よりも基板１０に近く設けることができる。 - 特許庁
  • The proton conductive composite type electrolyte membrane is manufactured by carrying out a mixing process of an inorganic sol and a spherical organic resin, an agitating process of making a suspension, a filtering process, a surplus water removal process, a drying process, a heating calcination process, a protogenic functional group introduction process, a protogenic functional group fixation process, an impregnation process of the hydrocarbon system electrolyte, and a drying process.
    無機ゾルと球状有機樹脂の混合工程、懸濁液とする攪拌工程、濾過工程、余剰水分除去工程、乾燥工程、加熱焼成工程、プロトン供与性官能基導入工程、プロトン供与性官能基定着工程、炭化水素系電解質の含浸工程、乾燥工程、を行いプロトン伝導性コンポジット型電解質膜を製造する。 - 特許庁
  • A mass flow controller 2 is provided at the gas introduction piping 20 and regulates the flow rate of the process gas.
    マスフローコントローラ２は、ガス導入配管２０に設けられており、プロセスガスの流量を調整する。 - 特許庁
  • A vertical furnace 10 includes at least the process tube 16, the manifold 18, and the gas introduction tube 184.
    縦型炉１０は、プロセスチューブ１６、マニホールド１８、およびガス導入管１８４を少なくとも備える。 - 特許庁
  • By the introduction of high temperature gas, an ashing process of a resist and the removal of the remaining chlorine-based gas are simultaneously performed.
    高温ガスの導入により、レジストのアッシングと残存する塩素系ガスの除去を同時に行う。 - 特許庁
  • Development of capital accumulation and introduction of foreign technology makes the assembly process in the industry stronger in Int'l Competitiveness.
    資本蓄積、技術導入などが進展し、組立の工程に競争力を有するようになる。 - 経済産業省
  • The entrance side of the plasma generation chamber 11 is provided with: a process gas introduction part 15 for introducing the process gas to be converted into plasma in the plasma generation chamber 11; and an oxidizing gas introduction part 16 for introducing an oxidizing gas.
    プラズマ生成室１１の入口側には、プラズマ生成室１１内でプラズマ化されるプロセスガスを導入するためのプロセスガス導入部１５と、酸化ガスを導入するための酸化ガス導入部１６が設けられている。 - 特許庁
  • A gas passages 6 for introducing a process gas to release it into a chamber 10 is formed in a microwave introduction window 2.
    マイクロ波導入窓２に、プロセスガスを導入してチャンバー１０内に放出するガス流路６を設ける。 - 特許庁
  • Preferably, a deproteinizing process is carried out to remove protein in the natural rubber before epoxy group introduction.
    エポキシ基導入前に該天然ゴム中の蛋白質を除去する脱蛋白工程を行うことが好ましい。 - 特許庁
  • Such changes and innovations occurred in the process of adaptation in Japan after their introduction from the Asian continent.
    大陸から日本に伝来し、日本に定着する過程で、そのような変化、工夫が加わっていったものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To improve throughput by shortening the time for stabilizing temperature and evacuating required starting from completion of a substrate introduction process to starting of a film formation process.
    基板導入工程の完了から成膜工程の開始までに要する温度安定化及び真空引きのための時間を短縮し、スループットの向上を図る。 - 特許庁
  • To provide a method capable of controlling the introduction of process waste gas into a constitution component for the post treatment of the process waste gas with high operation safety.
    高い運転安全性でプロセス排ガスの後処理用の構成要素中へのプロセス排ガスの導入を制御することができる方法を提供すること。 - 特許庁
  • The lower end of the gas introduction tube 184 is inserted in the support hole 185 of the manifold 18, and the upper end thereof is supported by the gas introduction tube support 162 of the process tube 16.
    ガス導入管１８４は、その下端部がマニホールド１８の支持穴１８５に挿入され、その上端部がプロセスチューブ１６のガス導入管支持部１６２によって支持される。 - 特許庁
  • The increasing method of a bearing capacity of soil has an embedding process of a reinforcing member (8)into an area to arrange the pressure sustaining board (10), a arrangement process arranging the board (10), and an introduction process of a tensile force (T: tension) to an anchor (6).
    受圧板（１０）が配置されるべき領域に補強部材（８）を埋設する工程と、受圧板（１０）を配置する工程と、アンカー（６）に緊張力（Ｔ：張力）を導入する工程、とを有している。 - 特許庁
  • After the completion of the introduction of the first process gas SiH_4, purge gas Ar is introduced and simultaneously plasma is generated.
    この第１のプロセスガスＳｉＨ_４の導入終了後に、パージガスＡｒを導入し、同時にプラズマを発生させる。 - 特許庁
  • To improve decomposition performance for decomposing a solid gas hydrate, to improve process efficiency and to establish an introduction system.
    固形のガスハイドレートを分解する分解性能の向上、プロセス効率の向上及び導入システムの確立を計る。 - 特許庁
  • To provide a discharge plasma processing method which can accurately control introduction of a process gas between electrodes, and an apparatus therefor.
    電極間への処理ガスの導入を高精度で制御できる放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁
  • (1) A process of measuring a gas leakage to cell outside by introducing inactive gas into a gas introduction space of the both electrodes.
    １）前記両電極のガス導入空間に不活性ガスを導入して、セル外部へのガスリークを測定する工程。 - 特許庁
  • To provide such a system that a business unit for treating sewage can introduce a sludge solubilizing process easily into equipment of the business unit and can receive such a merit that the management cost of the equipment is reduced by the introduction of the sludge solubilizing process.
    汚水処理事業体が施設に汚泥可溶化プロセスを容易に導入でき、かつその導入に伴う運営コストメリットを享受できるシステムを提供する。 - 特許庁
  • The production method of a fine particle removing filter (10) having a gas introduction hole (15) and a gas discharge hole (16) and made of a porous ceramic material comprises a filling process (b), a pin insertion process (c), and a mold releasing process (d) and a degreasing process (e).
    ガス導入穴(15)と、ガス導出穴(16)とを有し、多孔質セラミックスからなる微粒子除去フィルタ(10)の製造方法において、充填工程（ｂ）と、ピン挿入工程（ｃ）と、離型工程（ｄ）と、脱脂工程（ｅ）と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • After the completion of the introduction of the second process gas WF_6, purge gas Ar is introduced for a period T6 and simultaneously plasma is generated.
    この第２のプロセスガスＷＦ_６の導入終了後に、パージガスＡｒを期間Ｔ６導入し、同時にプラズマを発生させる。 - 特許庁
  • This recovery device for abrasive concentrates grinding process drainage with a centrifugal separator 4, wherein switching is conducted between introduction of grinding process drainage into the centrifugal separator 4 and introduction of cleaning water from the cleaning water storage tank 3 to conduct cleaning and concentration with the centrifugal separator 4.
    研磨工程排水を遠心分離機４で濃縮する研磨材の回収装置において、遠心分離機４への研磨工程排水の導入と洗浄水貯槽３からの洗浄水の導入とを切り替え、遠心分離機４で洗浄、濃縮を行う。 - 特許庁
  • In the surface wave excitation plasma CVD device 100, a material gas comprising silicon element is introduced into a chamber 1 by at least one of an upper surface side introduction tube and a side surface side introduction tube 7, and a process gas which makes material gas cause chemical reaction by activation by surface wave excitation plasma P is introduced into the chamber 1 by a process gas introduction tube 5.
    表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管７の少なくとも一方によりチャンバー１内に導入し、表面波励起プラズマＰにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管５によりチャンバー１内に導入する。 - 特許庁
  • As a result of this, the activity of anaerobic bacteria emitting unpleasant smell such as lactic acid bacteria, is suppressed in the γ-aminobutyric acid producing process, and the occurrence of bad smell produced from the γ-aminobutyric acid production liquid in the production process is suppressed without spending unusual device introduction cost.
    このため、特段の装置導入コストを掛けることなく、当該生成工程においてγ-アミノ酪酸生成液から生じる悪臭の発生を抑制することができる。 - 特許庁
  • The gas passage 6 is branched so as to have two or more gas discharge ports 9 for releasing the introduced process gas for one gas introduction port 7 for introducing the process gas.
    ガス流路６は、プロセスガスを導入する１個のガス導入口７に対し導入されたプロセスガスを放出する２個以上のガス噴出口９を有するように分岐している。 - 特許庁
  • To provide a heat treatment device allowing effective inner diameters of a process tube and a manifold to be maximized even when a gas introduction tube is arranged in the process tube and the manifold.
    プロセスチューブおよびマニホールドの内部にガス導入管を配置する場合にも、プロセスチューブおよびマニホールドの有効内径を極力大きくすることが可能な熱処理装置を提供する。 - 特許庁
  • Introduction of oxygen to the surface layer is, preferably, conducted by the process of a rapid temperature drop continuing from the heat treatment in the oxygen-containing gas.
    表層部への酸素の導入は、酸素含有ガス中での熱処理と引続く急速降温の処理によりなされると好適である。 - 特許庁
  • To provide a method for efficiently carrying out a process from introduction of a promoter sequence until activation of plant gene in a relatively simple way.
    プロモーター配列の導入から植物遺伝子の活性化までを比較的簡単に効率よく行うことができる方法を提供すること。 - 特許庁
  • In addition, increased throughput can be actualized by carrying out the mutation introduction and the preparation of transcription template DNA as one series process.
    さらに、遺伝子への変異導入と転写鋳型ＤＮＡの作製とを一連の工程として行うことにより、ハイスループット化を実現できる。 - 特許庁
  • I welcome the introduction of rules requiring hearings at the Committees on Rules and Administration (of the House of Representatives and the House of Councillors) because such hearings ensure a more transparent process than before.
    議運（議院運営委員会）でヒアリングが行われるようになったのは、以前よりも透明なプロセスが確保できてよいと思います。 - 金融庁
  • The introduction of the reducing gas has been found to protect exposed metal-containing film from oxidation during the backfill and/or cooling process.
    充填及び／または冷却プロセスの間、露出した金属含有膜を酸化から保護するために、還元ガスを導入することが発見された。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a semiconductor device with the frequency of an impurity introduction process is reduced, thereby attempting to enhance the production efficiency.
    不純物導入工程の回数を少なくすることにより、生産効率の向上を図った半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This method is equipped with an enzyme introduction process for introducing an enzyme reacting with chondroitin sulfuric acid or its salt into a capillary for electrophoretic migration, a specimen introduction process for introducing a specimen into the capillary for electrophoretic migration, and a mixture process for electrophoresing the enzyme and the specimen in the capillary for electrophoretic migration to mix the enzyme with the specimen.
    コンドロイチン硫酸又はその塩と反応する酵素を電気泳動用キャピラリーに導入する酵素導入工程と、試料を前記電気泳動用キャピラリーに導入する試料導入工程と、前記酵素及び前記試料を前記電気泳動用キャピラリー中で電気泳動させ、前記酵素及び前記試料を混合する混合工程と、を備えた。 - 特許庁
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