「ipd」を含む例文一覧(57)
＜前へ 1 2- Next, an insulating film IPD is formed on inner faces of the through-hole H and the removed portion A, a floating gate electrode FG formed of silicon is formed in the removed portion A, and an insulating film TOx is formed to cover a portion of the floating gate electrode FG facing the through-hole H.
次に、貫通ホールＨ及び除去部分Ａの内面上に絶縁膜ＩＰＤを形成し、除去部分Ａの内部にシリコンからなる浮遊ゲート電極ＦＧを形成し、浮遊ゲート電極ＦＧにおける貫通ホールＨに面した部分を覆うように絶縁膜ＴＯｘを形成する。 - 特許庁 - To provide a current mirror circuit 40 configured in an integrated circuit that eliminates the effect by a photo current IPD of a parasitic photo diode PD caused between an epitaxial layer and a substrate layer in a structure of the integrated circuit without taking measures of particular light shading while suppressing increase in an element area.
集積回路内に構成されるカレントミラー回路４０において、素子面積の増加を抑えつつ、また特別な遮光のための対策を講じることなく、集積回路の構造上、エピタキシャル層とサブストレート層との間に発生する寄生フォトダイオードＰＤの光電流ＩＰＤによる影響を除去する。 - 特許庁 - The areas of the epitaxial layers S1, S2 are adjusted corresponding to a current ratio I2/I1 of the current mirror circuit by taking a notice that the photo current IPD is increased in proportion to the area of the epitaxial layers in the case that the current mirror circuit comprises transistors Q1, Q2 wherein the parasitic photo diode PD is formed.
前記寄生フォトダイオードＰＤが形成されてしまうトランジスタＱ１，Ｑ２がカレントミラー回路を構成する場合には、前記光電流ＩＰＤがエピタキシャル層の面積に比例して増大することに着目し、カレントミラーの電流比Ｉ２／Ｉ１に対応してエピタキシャル層Ｓ１，Ｓ２の面積を調整する。 - 特許庁 - In a current-voltage conversion circuit, a negative feedback resistor R1 (or R1+R2) is connected between an inverse input terminal T(-) of an amplifier 2 and an output terminal To thereof, and a current Ipd drawn out from the input terminal T(-) is converted into a voltage Vo by the negative feedback resistor R1 (or R1+R2).
増幅器２の反転入力端子Ｔ（−）と出力端子Ｔｏとの間に負帰還抵抗Ｒ１（またはＲ１＋Ｒ２）が接続され、入力端子Ｔ（−）から引き抜く電流Ｉｐｄを負帰還抵抗Ｒ１（またはＲ１＋Ｒ２）によって電圧Ｖｏに変換する電流電圧変換回路である。 - 特許庁 - To provide a high-pressure discharge lamp lighting device and an illuminating device for supplying power to an integrated circuit composing the lighting device without using an expensive element such as an IPD in the lighting device having a pause section for a restart of a high-pressure discharge lamp.
高圧放電灯の再始動に休止区間を設けている高圧放電灯点灯装置において、ＩＰＤ等の高価な素子を使用することなく、高圧放電灯点灯装置を構成する集積回路に電力を供給することができる高圧放電灯点灯装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁 - The NAND flash memory 100 has a columnar floating gate formed on an element region via a gate insulating film, a diffusion layer formed on regions located on both sides of the floating gate out of the element region, and a control gate formed so as to surround the periphery of the floating gate via an IPD film formed on the side surfaces of the floating gate.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００のメモリセルは、素子領域上にゲート絶縁膜を介して形成された柱状の浮遊ゲートと、素子領域のうち浮遊ゲートの両側に位置する領域に形成された拡散層と、浮遊ゲートの側面に形成されたＩＰＤ膜を介して前記浮遊ゲートの周囲を囲むように形成された制御ゲートと、を有する。 - 特許庁 - The current monitor circuit 20 includes a first p-type MOSFET 21 supplying the photocurrent Ipd to the first current path 23a and a second p-type MOSFET 22 supplying the monitor current Imon to the second current path 23b, wherein a bias condition of the first and second MOSFETs 21, 22 is set equal to each other.
電流モニタ回路２０は、第１の電流経路２３ａに光電流Ｉｐｄを供給する第１のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１と、第２の電流経路２３ｂにモニタ電流Ｉｍｏｎを供給する第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２２とを有しており、第１及び第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１，２２のバイアス条件は互いに等しく設定されている。 - 特許庁
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