HETERO JUNCTION BIPOLAR GUNN EFFECT 4-TERMINAL ELEMENT ヘテロ接合バイポーラ型ガン効果四端子素子 - 特許庁
HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD OF HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 接合ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, JUNCTION HIGH ELECTRON MOBILITY FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 接合型電界効果トランジスタ、接合型高電子移動度電界効果トランジスタ及びこれらの製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF 接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FABRICATION THEREOF 接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION TYPE FIELD EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE ELEMENT 接合型電界効果素子及び該素子の製造方法 - 特許庁
JUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD 接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS FABRICATING METHOD 接合ゲート電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD 接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SOLID STATE IMAGING DEVICE 接合型電界効果トランジスタ、及び固体撮像装置 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF ヘテロ接合電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
JUNCTION GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 接合ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
PN-JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE pn接合型電界効果トランジスタ及びその作製方法 - 特許庁
HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) AND ITS MANUFACTURING METHOD ヘテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT 強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁
LATERAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD FOR JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法 - 特許庁
HORIZONTAL JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17. 半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR 接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法 - 特許庁
EXCHANGE JUNCTION FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE EXCHANGE JUNCTION FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT 交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
An N-type low resistance layer 17 reduces the junction FET effect. N型低抵抗層17は、ジャンクションFET効果を低減する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT DEICE AND FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE 磁気抵抗効果素子の製造方法と強磁性トンネル接合素子 - 特許庁
To provide a hetero junction field effect transistor that suppresses current collapse and reduces gate leakage current, and provide a manufacturing method of the hetero junction field effect transistor. 電流コラプスを抑制し、且つゲートリーク電流を低減するヘテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁
HIGH-MOBILITY HETERO-JUNCTION COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS METHOD 高移動度ヘテロ接合相補型電界効果トランジスタおよびその方法 - 特許庁