「la p」を含む例文一覧(28)
- Polylactic acid (p-la) and an olefinic elastomer (Oep) are mixed with the ratio of p-la/Oep=90/10-60/40 in the polylactic acid composition.
ポリ乳酸（p-la）とオレフィン系エラストマー（Ｏep）とを比p-la／Ｏep＝９０／１０〜６０／４０の範囲で混練されている。 - 特許庁 - The structure of the crystal of La_lX_m(AO_4)_6-n(ZO_4)_nO_p belongs to appatite-type structure.
このＬａ_lＸ_m（ＡＯ_4）_6-n（ＺＯ_4）_nＯ_pの結晶の構造は、アパタイト型構造に属する。 - 特許庁 - A height of the confluence P is, favorably, set to be lower than that the drain outlet la and 2a of the turning motors 1 and 2.
また合流点(P) の高さを二つの旋回モータ(1,2) のドレン出口(1a,2a) よりも低くした方が良い。 - 特許庁 - One or ≥ two kinds selected from Mn, P, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Mo, W, La, V, Nb, Ti, Y, Zr, B and Co may be incorporated therein.
Mn、Ｐ、Al、Sn、Sb、Ni、Cu、Mo、Ｗ、La、Ｖ、Nb、Ti、Ｙ、Zr、Ｂ及びCoから選ばれる１種又は２種以上を含有させてもよい。 - 特許庁 - The beam F irradiates a sample LA placed on an analysis plane P_D and having a defect D_1.
ビーム（Ｆ）は、解析平面（Ｐ_Ｄ）上で欠陥（Ｄ_１）を有したサンプル（ＬＡ）を照射する。 - 特許庁 - The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.
本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁 - The counts N, M or the count P set at the regulation distance La are less than a regulation count, the notification device 26 is operated to notify the driver of the operation failure of the ball joint.
そして、規定距離Laにて設定した回数Ｎ、Ｍまたは回数Pが規定回数未満であるときに、報知装置２６を作動させてボールジョイントの作動不良を運転者に報知する。 - 特許庁 - The diffraction element 3 has a low diffraction efficiency for the P-polarized light and most portion of the forwarding light becomes a zero- order diffraction light La.
回折素子３は、Ｐ偏光に対して低い回折効率を有するので、往路光Ｌの多くが０次回折光Ｌａとなる。 - 特許庁 - A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.
ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁 - Laser beams L are divided into two systems of laser beams La and Lb by a prism 6 so as to avoid the spatter deposition area E, and the two systems of laser beams La and Lb are condensed at a substantially same welding position P on a work W to be welded.
スパッタ付着領域Ｅを回避するようにして、レーザ光Ｌをプリズム６にて二系統のレーザ光Ｌａ，Ｌｂに分光させ、被溶接物Ｗ上の溶接位置Ｐでそれら二系統のレーザ光Ｌａ，Ｌｂをほぼ同一位置に集光させる。 - 特許庁 - A first photo detecting part 32 detects reflected light La' corresponding to the light beam La at a first reflection direction Ra corresponding to the first irradiation direction Ta for the inspection position P, and outputs a photo detection signal Sa corresponding to intensity of the light.
第１の光検出部３２は、検査位置Ｐに対して第１の照射方位＜Ｔa＞に対応する第１の反射方位＜Ｒa＞にて光ビームＬaに対応する反射光Ｌa’を受光してその光強度に応じた光検出信号Ｓaを出力する。 - 特許庁 - In the case of performing printing (so-called margin-less printing) without leaving a blank margin at edges of the paper P by applying ink also to an area overrunning from the paper P, overrunning widths (La, Lb, Lc, Ld) of an area E overrunning from the paper P are made adjustable.
用紙Ｐ上からはみ出た領域もインクを付与して、用紙Ｐの端部に余白を設けずにプリント（いわゆるフチなしプリント）を行う場合に、用紙Ｐからはみ出る領域Ｅのはみ出し量Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄを調整できるように構成する。 - 特許庁 - At the time of performing printing (so-called marginless printing) by applying ink also to an area overrunning from a sheet P without leaving any blank margin at the edges of the sheet P, the overrunning widths La, Lb, Lc, and Ld of an area E overrunning from the sheet P are made adjustable.
用紙Ｐ上からはみ出た領域もインクを付与して、用紙Ｐの端部に余白を設けずにプリント（いわゆるフチなしプリント）を行う場合に、用紙Ｐからはみ出る領域Ｅのはみ出し量Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄを調整できるように構成する。 - 特許庁 - A laser beam L from a light emitting element 21 is split into P waves and S waves by a light beam splitter 23 so as to be changed to a measuring luminous flux La and a reference luminous flux Lb.
発光素子２１からのレーザー光Ｌは、偏光ビームスプリッタ２３でＰ波とＳ波に分割されて、測定光束Ｌａと参照光束Ｌｂとなる。 - 特許庁 - A first light beam irradiating part 28 irradiates a light beam La that is reflected on a surface of a photo resist film and has a specified wavelength, from a first irradiation direction Ta toward an inspection position P.
第１の光ビーム照射部２８は、フォトレジスト膜の表面で反射可能な所定の波長を有する光ビームＬaを検査位置Ｐに向けて第１の照射方位＜Ｔa＞から照射する。 - 特許庁 - This minimum electric current detecting circuit 1A includes a current mirror circuit 11A and six P-channel MOS transistors with sources connected to a high-potential power supply line La.
最小電流検出回路１Ａは、カレントミラー回路１１Ａとソースが高電位電源線Ｌａに接続される６個のＰチャネルＭＯＳトランジスタを備える。 - 特許庁 - The small step width La is calculated which secures snow weight accumulated on the small step width corresponding to the slope snow pressure P and resists by a snow pressure resistance force Pa to prevent the breakage and fall of the snow layer on the small step.
この小段の積雪層の崩落を防止するために斜面雪圧Ｐに見合う小段幅に堆積する積雪重量を確保し雪圧抵抗力Ｐａで抵抗するものとして小段幅Ｌａを算定する。 - 特許庁 - The stainless steel has a composition containing C, Si, Mn, P, S, Cr, NI, Al and N, also containing, if necessary, Nb, V, Ti and Zr, and further containing Ca, Mg, La and Ce, and further, the ratio of martensite in the tempered structure is regulated to ≥95%.
Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｐ，Ｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｎを含み、所望によりＮｂ，Ｖ，Ｔｉ，Ｚｒを含み、さらにＣａ，Ｍｇ，Ｌａ，Ｃｅを含み、焼戻し後の組織のマルテンサイト率を９５％以上とするステンレス鋼。 - 特許庁 - The P-type semiconductor 8 which consists of CuO as its base material including La element of 1-10 mol% in relation to Cu element, and an N-type semiconductor 10 which consists of ZnO as its base material, are subjected to a pressure welding process, thereby making up the carbon monoxide gas sensor 2.
Ｌａ元素をＣｕ元素に対して１〜１０モル％含有するＣｕＯを母材とするＰ型半導体８と、ＺｎＯを母材とするＮ型半導体１０とを圧接させて一酸化炭素ガスセンサ２を構成する。 - 特許庁 - An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.
改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 - 特許庁 - The foil further comprises either or both of 0.02 to 0.1% Ti and 0.02 to 0.3% Nb, 0.01 to 0.1% La, 0.01 to 0.1% Ce and 0.01 to 0.05% P.
さらに、Ｔｉ：０．０２％以上０．１％以下とＮｂ：０．０２％以上０．３％以下の一方又は両方、Ｌａ：０．０１％以上０．１％以下、Ｃｅ：０．０１％以上０．１％以下、Ｐ：０．０１％以上０．０５％以下を含む。 - 特許庁 - The optical glass includes at least one selected from the group comprising P, Al, alkaline earth metals, Zn, Y, La, Gd, Yb and Lu as a cationic component, and F and O as anionic components, and has a partial dispersion ratio (θg, F) of ≥0.535 and a refractive index (nd) of ≥1.44.
カチオン成分として、Ｐ、Ａｌ、アルカリ土類金属、Ｚｎ、ならびにＹ、Ｌａ、Ｇｄ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる少なくとも１つを含有し、アニオン成分として、ＦおよびＯを含有し、部分分散比（θｇ，Ｆ）が０．５３５以上であり、屈折率（ｎｄ）が１．４４以上である光学ガラス。 - 特許庁 - The bird repelling apparatus 1 to protect a protecting object P such as farm crops Pt on a field F from birds is composed of one or more wires 2 having an outer diameter La of 0.2-0.4 mm, and extended around a protected object P at a prescribed height Ha from the ground G.
鳥類を忌避して圃場Ｆにおける農作物Ｐｔ等の被保護物Ｐを鳥類から保護する鳥類忌避装置１を構成するに際して、外径Ｌａを０．２〜０．４〔ｍｍ〕の範囲に選定した一本又は二本以上の線材２…を、地面Ｇに対して所定の高さＨａ…に張り渡し、かつ被保護物Ｐの周りに配する。 - 特許庁 - On the semiconductor substrate 3, modified regions 20 are formed by focusing a condensing point F at a prescribed position between a backside 3b and a first p-type semiconductor region 5a and by applying laser beams La, and no modified regions 20 are formed between the backside 3b and the second p-type semiconductor region 5b.
半導体基板３には、裏面３ｂと第１のｐ型半導体領域５ａとの間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって、改質領域２０が形成されており、裏面３ｂと第２のｐ型半導体領域５ｂとの間には改質領域２０が形成されていない。 - 特許庁 - The lighting device 1 of the liquid crystal projector converges light emitted from one light emission point LB between two light emission points of the arc lamp 2 on a position P nearby the other light emission point LA by an auxiliary mirror 4 to enable the arc lamp 2 to be handled substantially as a spot light source lamp.
液晶プロジェクタの照明装置１は、アークランプ２の２つの発光点のうち、一方の発光点ＬＢから放射された光を補助ミラー４によって他方の発光点ＬＡの近傍位置Ｐに集光させることにより、アークランプ２を実質的に点光源ランプとして取り扱えるようにしている。 - 特許庁 - The lithographic projection apparatus is characterized by the mirror 300 having a mirroring surface formed with a blazed grating comprising one or more protrusions 100 comprising a material selected from among at least one of Be, B, C, P, S, K, Ca, Sc, Br, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ba, La, Ce, Pr, Pa and U.
Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ及びＵのうちの少なくとも１つから選択された材料からなる１つ又は複数の突起１００によるブレーズド格子を形成した鏡映表面を有するミラー３００を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 特許庁 - This method for producing a rare earth phosphate fluophor comprises the following process: a fluophor stock aqueous solution containing at least one rare earth element selected from La, Gd and Y, P, Ce and Tb is prepared and made into droplets, which are then introduced together with a carrier gas into a pyrolysis oven and heated at 800-1,900°C for 1 s to 10 min.
Ｌａ、Ｇｄ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の希土類元素、Ｐ、Ｃｅ並びにＴｂを溶解した蛍光体原料水溶液を調製し、これを液滴状にした後、この液滴をキャリアガスとともに熱分解反応炉内に導入して８００℃〜１９００℃の範囲内の加熱温度で１秒間〜１０分間加熱して希土類燐酸塩蛍光体を製造する方法である。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer.
本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。 - 特許庁
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