「layer structures」を含む例文一覧(495)

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  • MULTILAYERED SOUNDPROOF PANEL AND RESPECTIVE LAYER CONNECTING STRUCTURES FOR THE SAME
    多層防音パネル及びその各層連結構造 - 特許庁
  • DEVICE STRUCTURES WITH SELF-ALIGNED DAMAGE LAYER AND METHODS FOR FORMING SUCH DEVICE STRUCTURES
    自己整合損傷層を有するデバイス構造体及びそのデバイス構造体の形成方法 - 特許庁
  • a thin layer of tissue that covers organs, glands, and other structures within the body.
    体の器官や腺、他の構造を覆う薄層組織。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • The permeable layer or impervious layer 80 is provided around the structures 1.
    透水層又は遮水層８０は、構造体１の周囲に設けられる。 - 特許庁
  • Then, a filter layer and an absorption layer are arranged so as to sandwich these structures.
    そして、フィルタ層と吸収層を、これらの構造を挟み込むように配置する。 - 特許庁
  • To provide device structures with a self-aligned damage layer and methods for forming such device Structures.
    自己整合損傷層を有するデバイス構造体及びそのデバイス構造体の形成方法を提供する。 - 特許庁
  • An equipment base-isolating device 50 has upper layer and lower layer rigid floor structures 51, 52 and rigid posts 53 integrally connecting the upper and lower floor structures.
    機器免震装置(50)は、上層及び下層の剛性床組(51,52)と、上下の床組を一体的に連結する剛性支柱(53)とを有する。 - 特許庁
  • The block layer 13 is formed on the p-cladding layer 5 and the slanted surfaces of the mesa structures 7 to 9, the low-loss layer 11 is formed on a portion of the mesa top of the mesa structures 7 to 9, and the contact layer 10 is formed on the block layer 13, the low-loss layer 11, and the mesa structures 7 to 9.
    ブロック層１３はｐ−クラッド層５及びメサ構造７−９の斜面上に、低損失層１１はメサ構造７−９のメサトップの一部の上に、コンタクト層１０はブロック層１３、低損失層１１及びメサ構造７−９の上に、それぞれ形成される。 - 特許庁
  • The double-layer liquid crystal lens apparatus has two liquid lens structures.
    二重層液晶レンズ装置は、２つの液晶レンズ構造を有する。 - 特許庁
  • The electrocatalytic layer formed comprises unique, rod-like structures.
    形成されたこの電極触媒層は、固有のロッド-状の構造を含む。 - 特許庁
  • To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.
    nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁
  • Tube structures 113 and 114 are provided inside the air layer.
    気体層の内部には、管構造１１３及び１１４が設けられている。 - 特許庁
  • A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.
    半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁
  • A plurality of micro structures are formed at the interface between the connecting layer and the carbon layer.
    複数の微小構造が前記接続層とカーボン層との間の境界部に形成されている。 - 特許庁
  • Alternatively, a layer may be provided for fastening the element layer 103 and the structures 101 and 102.
    または素子層１０３と構造体１０１，１０２とを固着させるための層を設けても良い。 - 特許庁
  • The storage and infiltration facility of rainwater or the like comprises structures 1 and a permeable layer or an impervious layer 80.
    雨水等貯留浸透施設は、構造体１と、透水層又は遮水層８０とを含む。 - 特許庁
  • The brightness enhanced film includes a translucent substrate, a plurality of optical structures, a reflecting layer and a prism layer.
    輝度向上フィルムであって、透光基板と、複数の光学構造と、反射層及びプリズム層を含む。 - 特許庁
  • These contact parts are constituted of three layer structures of a first aluminum/silicon layer (Al/Si layer (13)), a titanium (Ti) system barrier metal layer (14), and a second aluminum/silicon layer (Al/Si layer (15)).
    これらのコンタクト部は第１のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１３））、チタン（Ｔｉ）系のバリアメタル層（１４）、第２のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１５））の３層構造から成る。 - 特許庁
  • The light guide fine structure layer includes a plurality of projecting optical fine structures.
    導光微細構造層が複数の突出した光学微細構造を含む。 - 特許庁
  • The supporting structures are formed, by etching the exposed sections of the supporting substance layer.
    支持物質層の露出された部分をエッチングして支持構造物を形成する。 - 特許庁
  • The buried oxide layer is arranged in the substrate at ≥2 trench separate structures in depth.
    埋め込み酸化物層が基板内において、２つ以上の深さに配置される。 - 特許庁
  • A magnetic layer has the magnetic grains formed adjacent to the structures of the intermediate layers.
    磁性層は、中間層の構造に続いて形成された磁性グレインを有する。 - 特許庁
  • The supporting structures surrounding the first electrodes are formed by patterning the supporting substance layer.
    支持物質層をパターニングして、第１電極を囲む支持構造物を形成する。 - 特許庁
  • The space between these structures A and B is filled with an embedding layer 32 of a high resistance semiconductor layer.
    これら構造部Ａ，Ｂの間は、高抵抗半導体層である埋め込み層３２によって埋められている。 - 特許庁
  • These tunnel junction structures are covered with the n-type spacer layer 25 provided on the second spacer layer.
    これらのトンネル接合構造は、第２のスペーサ層上に設けられたｎ型スペーサ層２５によって覆われている。 - 特許庁
  • The surface layer includes two non-parallel crossed columnar structures 7 and two non-parallel uncrossed columnar structures 8.
    この表面層は、二つの非平行で交差した柱状構造７と、二つの非平行だが交差しない柱状構造８とを含む。 - 特許庁
  • The light uniformization structure includes a first material layer where a plurality of micro-structures are arranged on one surface, a second material layer where a plurality of micro-structures are arranged on one surface, and an intermediate layer.
    この光均一化構造体は、複数の微細構造体が１つの面に設けられた第１物質層と、複数の微細構造体が１つの面に設けられた第２物質層と、間隔層とを備える。 - 特許庁
  • The semiconductor laser element is constituted by forming a pair of laminated structures each of which is composed of a first-conductivity clad layer and an active layer and has a triangular cross section on a mask layer having selectively formed openings and second-conductivity clad layers on the structures.
    よって、本発明は、特にＧａＮ系半導体を用い、傾斜結晶層を有する半導体素子でレーザー発振を実現する素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The second alignment layer is made of a plurality of second one-dimensional nano-structures which are aligned.
    前記第二配向層は、整列した複数の第二一次元ナノ構造体からなる。 - 特許庁
  • To provide integrated semiconductor structures including a multijunction solar cell having a metamorphic layer.
    変成層を有する多接合太陽電池を含む集積半導体構造を提供する。 - 特許庁
  • The parentage among the tasks thereby can be displayed in the form of tree structures at every layer.
    これにより、タスクの親子関係をレイヤ別に木構造で表示することができる。 - 特許庁
  • The semiconductor laminates A, B have different layer structures.
    半導体積層体Ａと半導体積層体Ｂとでは層構造が異なる構成となる。 - 特許庁
  • The layer unit 21 and pedestal structures 10 are connected by blow-up preventive materials 50.
    レイヤーユニット２１と台座構造物１０を吹上げ防止材５０によって連結する。 - 特許庁
  • The easily bonded layer 12 includes a compound having a plurality of carbodiimide structures.
    易接着層１２には、カルボジイミド構造を複数個有する化合物が含まれている。 - 特許庁
  • The easily bonding layer 12 includes a compound having a plurality of carbodiimide structures.
    易接着層１２には、カルボジイミド構造個を複数有する化合物が含まれている。 - 特許庁
  • An electrophotographic charging device 700 comprises a conductive layer 710, a porous layer 720, a conductive layer 730 and nano-structures 750.
    導電層７１０、多孔質層７２０、導電層７３０及びナノストラクチャ７５０によって電子写真用帯電装置７００を構成する。 - 特許庁
  • The plurality of second one-dimensional nano-structures are respectively aligned vertical to the first one-dimensional nano-structures on the first alignment layer.
    前記複数の第二一次元ナノ構造体は、それぞれ前記第一配向層の前記第一一次元ナノ構造体に垂直して整列する。 - 特許庁
  • The trench separate structures are variable in depth and it is not important whether the trench separate structures are in contact with the buried oxide layer or not.
    トレンチ分離構造の形状の深さが可変であり、トレンチ分離構造は埋め込み酸化物層に接触しても、接触しなくても良い。 - 特許庁
  • Capacitors and interconnection structures for silicon carbide are provided having an oxide layer, a layer of dielectric material, and a second oxide layer on the layer of dielectric material.
    酸化膜層、誘電体材料層及び誘電体材料層の上に第２酸化膜層を有する、炭化ケイ素用のコンデンサ及び内部接続構造が提供される。 - 特許庁
  • The second plating film 24a, 24b are formed into lamination structures respectively formed by a pair of the first plating layer 26a and the second plating layer 28a and a pair of the first plating layer 26b and the second plating layer 28b.
    第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、第１のめっき層２６ａ、２６ｂおよび第２のめっき層２８ａ、２８ｂにより積層構造に形成される。 - 特許庁
  • The insulating pipe is composed of a short unit 1 for dividing the vacuum layer and adopts structures wherein the vacuum layer is sealed for each unit 1.
    真空層の分割には、断熱管を短いユニット1に構成し、ユニット1毎に真空層が封止された構造とする。 - 特許庁
  • The method of forming the electrical connection structures includes forming a first electrically insulating layer 200 on a semiconductor substrate 100, and then forming an opening in the first electrically insulating layer.
    半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer includes a plurality of structures provided on a first principal surface on a side opposite to the light-emitting layer.
    第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。 - 特許庁
  • The plurality of carbon nano tube structures in the first alignment layer/the second alignment layer are arranged to be parallel to each other.
    前記第一配向層／第二配向層における複数のカーボンナノチューブ構造体は、平行に並列されている。 - 特許庁
  • The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.
    ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁
  • A sheet-like structure in the present embodiment includes a bundle-shaped structure containing a plurality of linear structures of carbon atoms, a coating layer covering each of the linear structures in the longer direction, and a filling layer disposed between the linear structures covered with the coating layer.
    本実施例におけるシート状構造体は、複数の炭素元素の線状構造体を含む束状構造体と、前記線状構造体の各々を長手方向に覆う被覆層と、前記被覆層で覆われた前記線状構造体の間に設けられた充填層とを有する。 - 特許庁
  • The magnetic recording medium 600 is provided with a soft magnetic layer 63, a seed layer 64 and the recording layer 65 having alternately laminated structures of Co/Pd on a substrate 1.
    磁気記録媒体６００は、基板１上に軟磁性層６３、シード層６４及びＣｏ／Ｐｄ交互積層構造を有する記録層６５を備える。 - 特許庁
  • On a substrate, a heat radiating material is disposed which has linear structures of carbon elements and a thermoplastic resin filling layer disposed between the linear structures.
    基板上に、炭素元素の線状構造体と線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を配置する。 - 特許庁
  • Earth pressure on the slope face or the like is borne by the structures 2, and an erosion due to rainwater of a surface layer section is prevented by the structures 3 while a vegetation is enabled.
    受圧構造物２で法面等の土圧を支持し、保護構造物３で表層部の雨水による侵蝕を防止すると共に、植生を可能にする。 - 特許庁
  • The contact structures are formed in the low dielectric constant material layer (low-k materials) using the dual damascene process, which provides the method of forming contact structures effectively.
    これよって、効果的なコンタクト構造形成方法を提供するデュアルダマシン工程を利用し、低誘電率物質層(low-k materials)内にコンタクト構造を形成する。 - 特許庁
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