In particular, the invention provides apparatus and methods for limiting deposition/condensation of GaCl_3 and reaction by-products on an isolation valve that is used in the system, and a method for forming a monocrystalline Group III-V semiconductor material by reacting an amount of a gaseous Group III precursor as one reactant with an amount of a gaseous Group V component as another reactant in a reaction chamber. 特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のGaCl_3及び反応副生成物の堆積/凝縮を抑制する装置及び方法と、1つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第V族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−V族半導体材料を形成する方法を提供する。 - 特許庁