「lpe」を含む例文一覧(45)
- A crucible 10 used for the LPE method is constituted of Au.
ＬＰＥ法に用いる坩堝１０をＡｕから構成する。 - 特許庁 - In addition, by cooling, the germanium is crystallized by LPE growth (26).
さらに冷却することで、上記ゲルマニウムがＬＰＥ成長により結晶化される（２６）。 - 特許庁 - A program 30 performs LPE (Layout Parameter Extraction) by referring to an RC library 11.
プログラム３０は、ＲＣライブラリ１１を参照することによって、ＬＰＥ（Layout Parameter Extraction）を行う。 - 特許庁 - To provide a garnet single crystal which can be grown while suppressing the thickness of the garnet single crystal to <550 μm by an LPE method and has a rotation angle of 45° and exhibits temperature characteristic of ≤0.030°/°C in absolute value in a simple substance, and to provide a method for producing the same.
ガーネット単結晶の厚みを550μｍ未満に抑えてLPE法での育成を可能にすると共に、単体で45度の回転角を有し、絶対値で温度特性0.030度/℃以下を実現するガーネット単結晶とその製造方法の提供。 - 特許庁 - To inexpensively and stably produce a high-quality bulk AlN single crystal used as a substrate by an LPE (Liquid Phase Epitaxy) method of a temperature gradient system.
温度勾配方式の液相ＬＰＥ法により、基板として使用可能な、高品質のバルクＡｌＮ単結晶を安価に安定して製造する。 - 特許庁 - To easily verify a parameter for LPE to a transistor grasping a shape when the circuit simulation of a semiconductor is carried out.
半導体装置の回路シミュレーションを行うに際し、形状が把握されたトランジスタに対するＬＰＥ用パラメータを容易に検証する。 - 特許庁 - The TGG crystal is grown on a substrate composed of a GGG crystal or SGGG crystal by LPE method.
ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。 - 特許庁 - By growing only the reflection layer 19 and the current-blocking layer 2 through MOCVD, other layers are grown through LPE method and thereby the diode is manufactured.
反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 - 特許庁 - Its shape control can be realized by LPE growth from a previously processed seed film or processing, after the growth.
その形状制御は、あらかじめ加工した種膜からのＬＰＥ成長もしくは成長後の加工で実現できる。 - 特許庁 - The growth of the crystal is preferably a LPE method and the CaO/Fe2O3 (molar ratio) in the raw material is specified to ≥0.025.
結晶の育成はＬＰＥ法が好ましく、原料中のＣａＯ／Ｆｅ_2 Ｏ_3 （モル比）を０．０２５以上とする。 - 特許庁 - An LPE film is formed in a meandering shape or spiral shape to make an electrical conduction path long.
ＬＰＥ膜をミアンダ形状もしくはスパイラル形状とし、通電経路を長尺化する事により、上述課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a technique for obtaining a magnetic garnet material having low degree of deterioration in optical absorption characteristics even if manufactured by an LPE method.
ＬＰＥ法によっても光吸収特性の劣化度の低い磁性ガーネット材料を得る手法を提案する。 - 特許庁 - In the method for producing the single crystal, a bismuth-substituted type terbium-iron-garnet single crystal having a lattice constant within a range of 12.482-12.484 Å is grown on a non-magnetic garnet crystal substrate having a lattice constant within a range of 12.482-12.486 Å by the LPE method.
その製造方法としては、格子定数が12.482Å以上且つ12.486Å以下の範囲の非磁性ガーネット結晶基板上に、LPE法によって12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲の格子定数のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を育成する。 - 特許庁 - To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.
格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁 - This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.
ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁 - Then LPE processing for the converted layout is executed to extract the parasitic parameter of the whole layout or a specific part (S109).
その後、変換後のレイアウトに対してＬＰＥ処理を実行することにより、レイアウト全体又は特定部分の寄生パラメータが抽出される（Ｓ１０９）。 - 特許庁 - The zinc oxide is manufactured by preparing dopant substance in a starting raw material by an LPE (liquid phase thin film epitaxial growth) method or hydrothermal synthesis method.
該酸化亜鉛は、ドーパント物質を出発原料に仕込み、ＬＰＥ法（液相薄膜エピキャシタル成長法）又は水熱合成法により製造される。 - 特許庁 - With the active layer 5 includes a quantum well layer of 10 nm or less, the contact layer 9 is growth through the temperature difference LPE with a substrate temperature of 700°C or less.
さらに、活性層５が厚さ１０ｎｍ以下の量子井戸層を含む場合には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を基板温度７００℃以下の温度差ＬＰＥ法により成長させる。 - 特許庁 - The grating constant of semiconductor crystal constituting a GaAs substrate 101 is increased, by leading the element of a different sort to the GaAs substrate 101 as a whole, by using a liquid phase epitaxial growth method (LPE method).
異種元素をＧａＡｓ基板１０１の全体に液相成長法（ＬＰＥ法）を用いて導入することによって、ＧａＡｓ基板１０１を構成する半導体結晶の格子定数が増大する。 - 特許庁 - To provide a substrate having a 2H silicon carbide single crystal in a thickness of 2 or more formed on a 4H or 6H silicon carbide single crystal substrate by an epitaxial growth method (LPE), and to provide a method for manufacturing the substrate.
エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - The non-magnetic garnet single crystal substrate is used when the bismuth substituted-type magnetic garnet film is obtained by the LPE method and characterized in that the half-value width of a rocking curve of the substrate is characterized by being one for ≤140 sec.
ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得るに際して用いる基板であって、該基板がロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものであることを特徴とする非磁性ガーネット単結晶基板である。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently growing a higher quality large-sized nitride (e.g., aluminum nitride) single crystal by an LPE process using an inexpensive apparatus.
ＬＰＥ法により高品質かつ大型の窒化物（例、窒化アルミニウム）単結晶を安価な装置を用いて効率的に成長させる方法を提供する。 - 特許庁 - When BIG is grown by LPE method using melt composed of a flux component containing a rare earth oxide and lead, mixture of lead into BIG can be suppressed by setting the Zn/Pb mol ratio of concentration in the melt at 0.15 or above.
希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中のＺｎ/Ｐｂモル濃度比が０．１５以上とすることで、ＢＩＧへの鉛の混入が抑制できる。 - 特許庁 - To provide a magnetic garnet single crystal capable of reproductively reducing an optical loss of a rotor even when the crystal is grown by using a Na-containing solvent in a liquid phase epitaxial method (LPE method), and provide a Faraday rotor using the same.
液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、Ｎａを含む溶媒を用いて育成しても回転子の光損失を再現良く低減できる磁性ガーネット単結晶及びそれを用いたファラデー回転子を提供する。 - 特許庁 - To provide a bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal which can be stably grown by a liquid phase epitaxial (LPE) method not using lead as a flux component, is easily mass-produced, and has low insertion loss and a large Faraday effect.
フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。 - 特許庁 - A TGG crystal is LPE grown at 850 to 980°C by bringing one surface of a substrate into contact with the surface of a melt containing necessary garnet raw materials and a flux of PbO and B_2O_3.
必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ_2 Ｏ_3 をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。 - 特許庁 - To obtain a technology for growing crystal of BIG in which the amount of lead contained in BIG can be reduced to 0.1 wt.%, in the LPE method employing lead as a flux component.
鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ＢＩＧに含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術。 - 特許庁 - To provide a noble metal crucible for growing a single crystal, which is used for growing a magnetic garnet single crystal by utilizing a LPE (Liquid-Phase Epitaxial) method and by which a good quality single crystal film can be obtained.
ＬＰＥ法を用いて磁性ガーネット単結晶を育成する際に使用される貴金属製の単結晶育成用ルツボに関し、品質の良好な単結晶膜が得られる単結晶育成用ルツボを提供する。 - 特許庁 - To provide a golden crucible for single crystal growing which is not deformed even when it is used for growing a garnet single crystal by a liquid phase epitaxial (LPE) method.
本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a bismuth substituted rare earth iron garnet single crystal capable of decreasing a lead quantity of 0.1 wt.% included in it in an LPE method with the lead as a flux component, and to provide its crystal growth technology.
鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶とその結晶育成技術。 - 特許庁 - To provide an oxide superconductive structure formed by 123 forming type oxide superconductive structure on a substrate by the liquid phase epitaxial method (LPE method) through a seed crystal film which is easy to control (wide control tolerance), when forming crystal film.
基板上に種結晶膜を介して液相エピキタシャル法（ＬＰＥ法）により１２３型酸化物超電導結晶膜が形成されてなる酸化物超電導構造体において、結晶膜形成に際して制御が容易な（制御幅が広い）種結晶膜を備えたものを提供すること。 - 特許庁 - Moreover, an uneven structure high in aspect ratio or a trench structure is buried with an epitaxial layer 5 by the selective epitaxial growth utilizing the rectilinear propagation property of the molecular beam by molecular beam epitaxy or the anisotropic growth effect by a vapor phase growth (CVD) method or a liquid phase growth (LPE) method.
また、分子線エピタキシーによる分子線の直進性または、気相成長（ＣＶＤ）法および液相成長（ＬＰＥ）法による異方性成長効果を利用した選択エピタキシャル成長により、アスペクト比の高い凹凸構造またはトレンチ構造をエピタキシャル層５で埋め込む。 - 特許庁 - To provide a magnetic garnet single crystal grown by an LPE method and an optical element using the same and particularly to provide a magnetic garnet single crystal capable of giving a high extinction ratio characteristic optical element used in an optical device and to provide an optical element using the same.
本発明は、ＬＰＥ法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子に関し、光部品に使用される光学素子の消光比特性を向上できる磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A flattened layer 11 whose surface is flat is formed on the current constriction layers 10 and 10 and the cap layer 6 at a temperature of 700°C or below through a slow cooling LPE method, and a contact layer 12 is formed thereon at a temperature of 650°C or so through an MOCVD method.
電流狭窄層１０上およびキャップ層６上に、徐冷ＬＰＥ法によって７００℃以下の温度で、表面が平坦な平坦化層１１を形成し、その上にＭＯＣＶＤ法で約６５０℃の温度でコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of producing an oxide single crystal film, by which the single crystal film having a desired thickness can be obtained without polishing after cutting the single crystal when the oxide single crystal films are grown on both surfaces of an oxide single crystal substrate by a LPE method and the oxide single crystal film is obtained by cutting the substrate having the oxide single crystal films.
ＬＰＥ法で酸化物単結晶基板の両面に酸化物単結晶膜を育成し、この酸化物単結晶膜付き基板を切断して酸化物単結晶膜を得るときに、切断後に研磨をしなくても所望の厚みが得られる、酸化物単結晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To enable control of the composition gradient in the thickness direction of an epitaxial growth layer, which control is considered as a fundamental problem in a liquid phase epitaxy(LPE) and also to enable control of the melt composition, in a liquid phase epitaxial growth method and a device for performing the method.
液相エピタキシャル成長方法及びそれを実施する装置に関し、ＬＰＥ法に於ける基本的な問題とされているエピタキシャル成長層の厚さ方向に於ける組成勾配を制御可能とし、且つ、メルト組成を制御可能にしようとする。 - 特許庁 - To provide a highly functional membrane through liquid phase epitaxy (LPE) wherein temperature characteristics of a membrane material comprising a metal or ceramic material are improved and a process and an apparatus for manufacturing the functional membrane wherein the membrane material showing excellent temperature characteristics can be easily and stably manufactured.
液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ法）による金属材料や磁器材料からなる膜材料の温度特性を向上させた高機能性膜の提供、温度特性にすぐれた膜材料を容易にかつ安定的に製造できる機能性膜の製造方法と装置の提供。 - 特許庁 - The mixture of the lead with the BIG is suppressed by allowing an Sr/Pb mole concentration ratio in melt to be not less than 0.07 concerning BIG growing by the LPE method, using the melt which is composed of the flux composition containing rare-earth oxide and the lead.
希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中のＳｒ/Ｐｂモル濃度比が０．０７以上とすることで、ＢＩＧへの鉛の混入が抑制できる。 - 特許庁 - The method comprises growing a garnet single crystal by a LPE (liquid phase epitaxial) method by using a solution containing Na, Bi and B; thermally treating the garnet single crystal in a reducing atmosphere prepared by using nitrogen gas and/or hydrogen gas; and preparing an optical element by using the thermally treated garnet signal crystal.
Ｎａ、Ｂｉ及びＢを含む溶液を用いてＬＰＥ法によりガーネット単結晶を育成し、窒素ガス及び／又は水素ガスを用いて生成された還元雰囲気中でガーネット単結晶を熱処理し、熱処理したガーネット単結晶を用いて光学素子を作製する。 - 特許庁 - To provide a non-magnetic garnet substrate which is used for obtaining a bismuth substituted-type magnetic garnet film having a large extinction ratio in comparison with a conventional one and being low in insertion loss, pit defective rate, and crack defective rate by an LPE method.
本発明は、従来以上に消光比が大きく、挿入損失と、ピット不良率と、ひび割れ不良率とが低いビスマス置換型磁性ガーネット膜をＬＰＥ法で得るために使用する非磁性ガーネット基板の提供を課題とする。 - 特許庁 - A p-type GaAs contact layer 9 of 20 μm or more is grown by the temperature difference liquid phase epitaxial growth (LPE) method at a Ga solution temperature stationarily higher than the substrate vicinity temperature on a semiconductor multilayer film, having an active layer 5 sandwiched between a pair of clad layers 4, 6.
一対のクラッド層４、６で活性層５を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ｇａ溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差ＬＰＥ法により厚さ２０μｍ以上のｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させる。 - 特許庁 - Variable amplifier circuits 11 and 21 which amplify the input signals, phase adjustment circuits 12 and 22 and a low pass filter LPE 13 and a high pass filter HPF 23 which limit the signal passing bands are connected together in sequence.
入力信号を増幅する２つの可変増幅回路１１、２１と、位相を調整する２つの位相調整回路１２、２２と、信号の通過帯域を制限するローパスフィルタＬＰＦ１３およびハイパスフィルタＨＰＦ２３とが順次接続される。 - 特許庁 - To provide a magnetic garnet single crystal grown by a liquid phase epitaxial (LPE) method and an optical element using the same and particularly to provide a magnetic garnet single crystal of a reduced lead content and to provide an optical element using the same.
本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic garnet single crystal with less lead content, an optical device using such a magnetic garnet single crystal and a method for producing a single crystal with regard to a magnetic garnet single crystal grown by a liquid-phase epitaxial (LPE) method, an optical device using the same, and a method for producing a magnetic garnet single crystal.
本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic garnett single crystal wherein a lead content is reduced, an optical element using the crystal and a method for manufacturing the magnetic garnett single crystal in respect of the magnetic garnett single crystal grown by a liquid-phase epitaxial (LPE) method, the optical element using the crystal and the method for manufacturing the magnetic garnett single crystal.
本発明は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
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