「mask patterns」を含む例文一覧(697)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- The mask patterns for odd number column and the mask patterns for even number column are separatedly provided.
奇数カラム用のマスクパターンと偶数カラム用のマスクパターンを個別に用意する。 - 特許庁 - To efficiently produce a mask having required mask patterns.
所望のマスクパターンを有するマスクを効率良く製造する。 - 特許庁 - A mask film is flattened by covering a gap between line-type patterns with the mask.
ラインタイプパターン間をマスク膜で覆ってマスク膜を平坦化する。 - 特許庁 - First mask patterns are formed on the substrate.
前記基板上に第１マスクパターンを形成する。 - 特許庁 - The substrate is etched by using the resist patterns as a mask.
レジストパターンをマスクに用いて、基板をエッチングする。 - 特許庁 - To form mask patterns having partially different thicknesses.
部分的に厚みの異なるレジストパターンを形成する。 - 特許庁 - Then, mask patterns after correcting are created for every mask pattern by performing pattern correction to the mask patterns using the amount of the pattern correction for every mask pattern.
そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。 - 特許庁 - A mask 3 is the one having a plurality of patterns, and the analogous patterns to the patterns to be formed on a sample 7 are built in the mask 3 previously.
マスク３は複数のパターンをもつマスクであり、試料７上に形成するパターンの相似パターンがあらかじめ作りこまれている。 - 特許庁 - A third mask pattern is formed between the first patterns.
第１のパターン間に第３のマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - The mask 1 has patterns formed at random positions.
マスク１にはランダムな位置にパターンが形成されている。 - 特許庁 - The sacrificial layers are removed to expose the first and second mask patterns and the substrate between the first and second mask patterns.
前記犠牲膜を除去して前記第１および第２マスクパターンと共にその間の前記基板を露出させる。 - 特許庁 - Second mask patterns are formed between the sacrificial layers adjacent to sidewalls of the first mask patterns facing each other.
前記第１マスクパターンの向い合う側壁と隣接した前記犠牲膜との間に第２マスクパターンを形成する。 - 特許庁 - A lower hard mask 109 is etched using the first and second etching mask patterns to form a hard mask pattern.
第１及び第２のエッチングマスクパターンで下部のハードマスク１０９をエッチングし、ハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁 - Mask patterns, including patterns 40 corresponding to openings, patterns 41 corresponding to grooves, and dummy patterns 50-55 not transferred onto photoresist, are formed on a photo mask 34.
開口部に対応するパターン４０と、溝に対応するパターン４１と、フォトレジストに転写されないダミーパターン５０〜５５とを含むマスクパターンが、フォトマスク３４に設けられている。 - 特許庁 - The fine hole patterns are formed by using the mask arranged with the negative resist and the auxiliary patterns.
ネガレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する。 - 特許庁 - As a mask used for the photolithography, a mask 14 is used in which each of the mask patterns 16 corresponding to the photoresist patterns respectively includes sub-island patterns 20 at its four corners 18, each of the sub-island patterns 20 extending outward in the diagonal direction of the mask pattern 16.
ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。 - 特許庁 - The etching mask patterns of the first mask structure and the second mask structure are etched isotropically to remove the etching mask pattern from the first mask structure.
第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。 - 特許庁 - The substrate is etched by using the first and second mask patterns as an etching mask.
前記第１および第２マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板をエッチングする。 - 特許庁 - The solder mask 30 is composed of mask patterns 31 used for supplying solder for mounting a ground terminal at the center, and the mask patterns 32 used for supplying the solder for mounting a signal terminal at the peripheries of the mask patterns 31.
半田マスク３０を、中央部にグランド端子の実装用半田の供給に用いるマスクパターン３１と、その周辺に信号端子の実装用半田の供給に用いるマスクパターン３２とから構成する。 - 特許庁 - To form patterns of various sizes with a single chromeless mask.
クロムレスマスク単独で、様々の大きさのパターンの形成を行う。 - 特許庁 - To provide a photomask formed with mask patterns with high accuracy.
高精度にてマスクパターンが形成されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁 - Width in the transverse direction of the laminated region is the same between adjacent mask patterns in a plurality of different mask patterns.
積層領域の短手方向の幅は、異なる複数のマスクパターンにおける隣接するマスクパターン間で同一になるようにする。 - 特許庁 - A mask pattern switching part 13 switches at least two different mask patterns, and controls so that the different mask patterns are displayed on the transparent EL display 14 and the different mask patterns are transferred onto the same wafer 2.
マスクパターン切換え部１３は、少なくとも２つの異なるマスクパターンを切換えて、透明ＥＬディスプレイ１４に異なるマスクパターンを表示させて、同一のウェハ２上に異なるマスクパターンが転写されるように制御を行なう。 - 特許庁 - To more exactly determine the contraction rates of the patterns drawn on a mask.
マスクに描画されたパターンの拡縮率をより正確に求める。 - 特許庁 - To provide a technique advantageous for generating data of halftone mask patterns.
ハーフトーンマスクのパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。 - 特許庁 - The insulating film 2 is processed by the use of the first and second mask patterns.
第１と第２マスクパターンを用いて絶縁膜２を加工する。 - 特許庁 - Then, an amount of pattern correction to the mask patterns according to information with regard to the size of the mask patterns and the average light intensity is calculated for every mask pattern.
そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。 - 特許庁 - Fine irregularity patterns 4 are formed on the surface of the low scattering layer 3 with the resist patterns 6 as a mask.
レジストパターン６をマスクにして低散乱層３の表面に微細な凹凸パターン４を形成する。 - 特許庁 - A mask and a substrate are synchronously moved and the patterns of the mask are exposed onto a substrate via a projection optical system.
マスクと基板とを同期移動させ、投影光学系を介してマスクのパターンを基板上に露光する。 - 特許庁 - In respective patterns 23a, size of the first mask layer 13a is different from that of the second mask layer 15a.
各パターン２３ａにおいて、第１のマスク層１３ａのサイズは第２のマスク層１５ａのサイズと異なる。 - 特許庁 - To make mask patterns able to be more exactly evaluated by taking the acceptance or rejection of a pattern relief into consideration in evaluating the mask patterns.
マスクパターンを評価するに際して、パターン救済の可否を考慮することで、より正確なマスクパターンの評価を行うことが出来るのである。 - 特許庁 - Mask patterns with semicircle-shaped cross section 62 and mask patterns with V-shaped cross section 65 are formed with different opening widths 63, 64 from each other, and sand blast process is applied to the mask patterns 62, 65.
半円形の断面形状のマスクパターン６２とＶ字形の断面形状のマスクパターン６５とを、それぞれ、異なる開口幅６３、６４を持って形成し、マスクパターン６２、６５をマスクとしてサンドブラスト加工を行う。 - 特許庁 - The mask patterns have a mask pattern body 12 resembling the transfer patterns and projecting part patterns 16 disposed over the entire line of one 14A of longitudinal direction pattern boundaries 14A, B facing each other of the mask pattern body.
マスクパターンは、転写パターンと相似するマスクパターン本体１２と、マスクパターン本体の相互に対向する長手方向パターン境界線１４Ａ、Ｂの一方１４Ａの全線に設けられた突起部パターン１６とを備えている。 - 特許庁 - To form patterns having different widths at the same time by a sidewall mask process.
側壁マスクプロセスにより同時に異なる幅を持つパターンを形成する。 - 特許庁 - A reactive layer is formed on the substrate having the first mask patterns.
前記第１マスクパターンを有する基板上に反応膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a mask pattern correction method which can conduct high speed simulation for a mask pattern including both hole patterns and space patterns even when making OPC considering the mask 3D effects, and also provide an exposure mask thereof.
ホールパターンやスペースパターンが混在したマスクパターンに対して、マスク３Ｄ効果を考慮したＯＰＣを行う場合にも、シミュレーションを高速で行うことができるマスクパターン補正方法及び露光用マスクを提供する。 - 特許庁 - A plurality of sets of mask patterns for determining whether or not allowing the ink injection from each recording head in the overlapped areas are arranged and a set of mask patterns is selected by a user from the plurality sets of mask patterns in every boundary (seams 1 to 5) in a mask set screen.
このオーバーラップした領域において各記録ヘッドからのインク吐出を許可するか否かを定めるマスクパターンを複数組用意しておき、マスク設定画面で、境界（つなぎ１〜５）毎に複数組のマスクパターンから一組のマスクパターンをユーザに選択させる。 - 特許庁 - To provide an inspection device for mask patterns which are used for an exposure device for manufacturing a semiconductor device by performing patternwise exposure of a mask to a substrate, the inspection device for the mask patterns being capable of inspecting inclusion of mutually different mask patterns in inclusion relation on the object substrate.
基板上にパターン露光し半導体装置を製造するための露光装置に用いるマスクパターンの検査装置において、包含関係にある相異なるマスクパターンの対象基板上での包含の検査が出来るマスクパターンの検査装置を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, phase mask patterns are generated, legalized and colored.
その後で、位相マスク・パターンが生成され、ルール適合化され、さらにカラーリングされる。 - 特許庁 - Rough comb mask patterns 154 and 155 including comb electrode mask patterns 152a and 152b are formed in a surfaces 151b and 153b of the silicon substrates 151 and 153.
シリコン基板１５１，１５３の面１５１ｂ，１５３ｂに、櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを内包する粗櫛歯マスクパターン１５４，１５５を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for smoothing a laser annealed surface by using a mask having divided opening patterns and divided mask patterns.
分割された開口パターンを有するマスク、及び分割されたマスクパターンを用いてレーザーアニール処理を施された表面を平滑化する方法を提供する。 - 特許庁 - Deep grooves are formed between the mask patterns with semicircle-shaped cross section 62, and shallow grooves are formed between the mask patterns with V-shaped cross section 65.
半円形の断面形状のマスクパターン６２間には深い溝が形成されるが、Ｖ字形の断面形状のマスクパターン６５間では浅い溝が形成される。 - 特許庁 - To provide a stencilled electron beam transfer mask for which various patterns can be housed in a mask.
ステンシルタイプのマスクで、さまざまなパターンを一枚のマスクに収めることのできる電子線転写用マスクを提供する。 - 特許庁 - A substrate is subjected to scanning exposure of the patterns of a mask by scanning the mask and the substrate in synchronization in a scanning direction.
マスクと基板とを同期して走査方向に走査することにより、マスクのパターンを基板に走査露光する。 - 特許庁 - The mask pattern of a phase shift mask has a light shielding pattern and first and second transmitting patterns which transmit exposure light.
位相シフトマスクのマスクパターンを、遮光パターンと、露光光を透過する第１、第２の透過パターンとから構成する。 - 特許庁 - The apparatus for designing mask patterns designs the masks used in the production of the semiconductor devices which are different in size to each other and the mask patterns are designed in such a manner that all of the several kinds of mask patterns are equipped to each semiconductor device.
互いに大きさが異なる半導体装置の製造に用いられるマスクのマスクパターン設計装置であって、いくつかの種類のマスクパターンの全てが各半導体装置に備えられるように、マスクパターンを設計する。 - 特許庁 - A second mask pattern 107, which includes a first pattern crossing the first mask pattern and a second pattern disposed between first mask patterns, is formed.
第１のマスクパターンと交差する第１のパターンと、第１のマスクパターン間に位置する第２のパターンを含む第２のマスクパターン１０７を形成する。 - 特許庁 - To provide a mask case which is capable of sufficiently releasing the static electricity generated by contact of a mask with the mask case from the chromium film of the mask and is capable of well transporting the mask without allowing mask patterns to give rise to electrostatic discharge damage.
マスクがマスクケースと接触することによって発生する静電気をマスクのクロム膜から充分に放出でき、マスクパターンが静電破壊を起こさずに良好にマスクを運搬することのできるマスクケースを提供する。 - 特許庁 - A mask body 6 in a vapor deposition mask 1 is composed of thin film-shaped first mask layers 3 provided with opening patterns 3a and second mask layers 5 having opening windows 5a including the opening patterns 3a and provided so as to be superimposed on the first mask layers 3, thus the film thickness of the mask body 6 is made large while holding the shape accuracy of the opening patterns 3a.
開口パターン３ａが設けられた薄膜状の第１マスク層３と、開口パターン３ａを包含する開口窓５ａを有し第１マスク層３に重ね合わせて設けられた第２マスク層５とで、蒸着マスク１におけるマスク本体６を構成することにより、開口パターン３ａの形状精度を維持しつつマスク本体６を厚膜化した。 - 特許庁 - Mask patterns can be selected commonly in all colors or individually in each color.
インク色については全色共通または個別にマスクパターンが選択できる。 - 特許庁
- 特許庁
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