「memory cells」を含む例文一覧(2739)

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  • Memory b cells turn into plasma cells
    メモリB細胞はプラズマ細胞となって - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Memory b cells turn into plasma cells
    メモリb細胞はプラズマ細胞となって - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • MEMORY DEVICE HAVING PLURAL MEMORY CELLS
    複数のメモリセルを有するメモリ装置 - 特許庁
  • GATE CONTROLLED DIODE MEMORY CELLS
    ゲート制御ダイオード・メモリ・セル - 特許庁
  • The memory element comprises a memory array of thin film memory cells.
    メモリ素子は、薄膜メモリセルのメモリアレイを含む。 - 特許庁
  • These memory cells immediately deploy
    この記憶細胞は直ちに - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • RESISTIVE MEMORY HAVING SHUNTED MEMORY CELLS
    分流されたメモリセルを有する抵抗メモリ - 特許庁
  • DATA COPYING METHOD BETWEEN MEMORY CELLS OF SEMICONDUCTOR MEMORY
    半導体メモリのメモリセル間のデータコピー方法 - 特許庁
  • The first memory (10) includes a plurality of memory cells (11) and redundant memory cells (12).
    第１メモリ（１０）は、複数のメモリセル（１１）と冗長メモリセル（１２）とを含んでいる。 - 特許庁
  • A memory cell array 10 has a plurality of memory cells MC and dummy memory cells DMC.
    メモリセルアレイ１０は、複数のメモリセルＭＣおよびダミーメモリセルＤＭＣを有する。 - 特許庁
  • It destroys hippocampal cells and memory
    海馬の細胞や記憶を破壊し - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A memory cell array 36 includes a plurality of memory cells.
    メモリセルアレイ３６は、複数個のメモリセルを含む。 - 特許庁
  • Any active cells for that memory
    その記憶に働く細胞にも又 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • An array of normal memory cells (412) and an array of redundant memory cells (422) are included.
    正規メモリセル（４１２）のアレイと冗長メモリセル（４２２）のアレイを含む。 - 特許庁
  • The semiconductor device is mounted with the memory including a plurality of memory cells and redundant memory cells.
    半導体装置は、複数のメモリセルおよび冗長メモリセルを含むメモリを搭載する。 - 特許庁
  • A memory cell array 17a includes memory cells (first memory cells) MC, which store data, and retreat memory cells (second memory cells) RMC for data at the time of refreshing, the retreat memory cells being for temporally storing data at the time refreshing.
    メモリセルアレイ１７ａは、データを記憶しているメモリセル（第１メモリセル）ＭＣとリフレッシュ時に一旦データを保持するためのリフレッシュ時データ用退避メモリセル（第２メモリセル）ＲＭＣとが含まれる。 - 特許庁
  • Each of the plurality of memory cells has the memory element.
    複数のメモリセルの各々は記憶素子を有する。 - 特許庁
  • The semiconductor memory is provided with a memory cell array including dynamic memory cells.
    半導体メモリは、ダイナミックメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁
  • In the memory cell array, a plurality of memory cells are arrayed.
    メモリセルアレイでは、複数のメモリセルが配列されている。 - 特許庁
  • In the semiconductor memory, each memory block has a plurality of memory cells and a plurality of word lines connected to each of the memory cells.
    各メモリブロックは、複数のメモリセルと、メモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線とを有している。 - 特許庁
  • In the test operation, the operation for storing data read out from the determination memory cells in the memory cells and then reading out the storage data from the memory cells to write them in the deciding memory cells, is performed for all memory cells.
    試験動作時に、判定用メモリセルから読み出されたデータをメモリセルに記憶させた後で該記憶データをメモリセルから読みして判定用メモリセルに書き込む動作が、全てのメモリセルに対して行われる。 - 特許庁
  • To enable normal signals to be supplied rightly to the remaining memory cells, when some of memory cells which become defective are separated from the memory cells.
    異常が発生して一部を切り離した残りのメモリセル群に対しても正規の信号を誤りなく供給する。 - 特許庁
  • The memory cells of three-level map data of three bits making two memory cells one group.
    ３−レベルのメモリセルは、２つが一組をなして３ビットのデータをマッピングする。 - 特許庁
  • To improve the access speed in a semiconductor memory containing normal memory cells and redundant memory cells for replacing defective memory cells.
    通常メモリセル及び不良のある通常メモリセルを置換するための冗長メモリセルを含む半導体記憶装置のアクセス速度を向上させる。 - 特許庁
  • Each memory core is constituted of flag cells FC and data cells C.
    各メモリコアは、フラグセルＦＣとデータセルＤＣとから構成される。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device has a plurality of memory cells.
    半導体記憶装置であって、複数のメモリセルを有する。 - 特許庁
  • The semiconductor memory device includes a plurality of memory cells MTJ.
    半導体記憶装置は、複数のメモリセルＭＴＪを含む。 - 特許庁
  • To microfabricate the memory cells of a non-volatile semiconductor memory device.
    不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを微細化する。 - 特許庁
  • The memory cells (18) of the resistive cross point memory cell array (12) are composed of lots of groups (26) of two or more memory cells (18).
    抵抗性交点メモリセルアレイ(12)のメモリセル(18)は、2つ以上のメモリセル(18)の多数のグルーフ゜(26)に構成される。 - 特許庁
  • This memory is provided with plural memory cells 11, plural redundant memory cells 12, and replacement sections 2, 3.
    本発明のメモリは、複数のメモリセル（１１）と、複数の冗長メモリセル（１２）と、置換部（２、３）とを備える。 - 特許庁
  • Each memory has a plurality of memory cells, and word lines and bit lines connected to the memory cells.
    各メモリブロックは、複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されたワード線およびビット線とを有する。 - 特許庁
  • A nonvolatile memory for a test method is provided with a memory array having memory cells and a redundant memory array having redundant memory cells.
    テスト方法の対象になる不揮発性メモリは、メモリセルを有するメモリアレイと、冗長メモリセルを有する冗長メモリアレイとを備えている。 - 特許庁
  • This memory system 200 includes a first memory unit 201 having an array of memory cells and a second memory unit 201 having an array of memory cells including a number of redundant cells.
    メモリセルアレイを有する第１のメモリユニット２０１と、いくつかの冗長セルを含むメモリセルアレイを有する第２のメモリユニット２０１と、を備えたメモリシステム２００である。 - 特許庁
  • This memory has a memory cell array 20 consisting of plural memory cells 21, word lines 12 having the same number as the number of rows of the memory cells 21 are connected respectively to gates of the memory cells 21.
    複数個のメモリセル２１からなるメモリセルアレイ２０を有し、メモリセル２１の行数と同数のワード線１２がメモリセル２１のゲートに夫々接続されている。 - 特許庁
  • PRECISION PROGRAMMING SYSTEM OF NONVOLATILE MEMORY CELLS
    不揮発性メモリ・セルの精密プログラミング・システム - 特許庁
  • The memory cells (12) are arranged into a plurality of groups (15) consisting of one or a plurality of memory cells.
    メモリセル(12)は、1つ又は複数のメモリセルからなる複数のグループ(15)へと構成される。 - 特許庁
  • Sense amplifiers compare reference data in the reference cells with data in the memory cells to detect the data in the memory cells.
    センスアンプは、参照セルに記憶された参照データとモリセルのデータとを比較してメモリセルのデータを検出する。 - 特許庁
  • Memory cells in a second group of the memory cells are mask ROM memory cells MR1 and MR2 in which data is set by a mask.
    複数のメモリーセルのうちの第２のグループのメモリーセルは、マスクによりデータが設定されるマスクＲＯＭメモリーセルＭＲ１、ＭＲ２である。 - 特許庁
  • In a memory cell array 10, a plurality of nonvolatile memory cells are arranged.
    メモリセルアレイ10は、複数の不揮発性メモリセルが配置されている。 - 特許庁
  • Each memory block includes a plurality of memory cells and a plurality of word lines connected to the plurality of respective memory cells.
    各メモリブロックは、複数のメモリセルと、複数のメモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線を有する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device which includes fin-type FETs adopted as memory cells, and arrays of small memory cells.
    メモリセルとしてＦｉｎ型ＦＥＴを採用し、かつ、メモリセルアレイのサイズが小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • A memory cell array 1 has a plurality of memory cells MC, and n cells (n: a natural number of 3 or more) in the plurality of memory cells are written simultaneously.
    メモリセルアレイ１は、複数のメモリセルＭＣを有し、複数のメモリセルのうち、ｎ個（ｎは３以上の自然数）のセルが同時に書き込まれる。 - 特許庁
  • The resistive memory cells 170, 173, 175, 177 are provided with magnetic random access memory cells 265 connected electrically to a diode 260.
    抵抗性メモリセル(170,173,175,177)は、ダイオード(260)に電気的に接続される磁気ランダムアクセスメモリセル(265)を備える。 - 特許庁
  • Each array (302) provides a plurality of memory cells (300).
    各アレイ(302)は、複数のメモリセル(300)を提供する。 - 特許庁
  • The memory cell has two data storing cells.
    該メモリセルは２個のデータ格納セルを有している。 - 特許庁
  • To reduce power consumption at the time of programming memory cells by preventing the memory cells from being over-programmed.
    メモリセルのオーバープログラミングを防止して、メモリセルのプログラミング時の消費電力を減少させること。 - 特許庁
  • Memory cells M1, M2 are connected in series.
    メモリセルＭ１，Ｍ２は、直列接続されている。 - 特許庁
  • The structure of the plurality of memory cells is decided on the basis of data ("high" or "low") stored in the memory cells.
    複数のメモリセルの構造はメモリセルに記憶されるデータ（”ハイ”か”ロー”）によって決定される。 - 特許庁
  • In the 3-level memory cells, two memory cells form one group and they can map three bits data.
    ３−レベルのメモリセルは、２つが一組を成して、３ビットのデータをマッピングすることができる。 - 特許庁
  • The flash memory system includes flash memory cells and a flash memory controller 132 provided with means for partitioning the flash memory cells into high and low memory locations.
    フラッシュメモリセルをハイメモリロケーションおよびロウメモリロケーションに区分するための手段が設けられたフラッシュメモリセル及びフラッシュメモリコントローラ１３２を含む。 - 特許庁
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