「memory density」を含む例文一覧(463)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ>
  • The adaptive hybrid density memory storage device includes a high density memory and a low density memory.
    適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置は、高密度メモリと、低密度メモリとを含む。 - 特許庁
  • HIGH DENSITY MEMORY SENSE AMPLIFIER
    高密度メモリセンス増幅器 - 特許庁
  • A magenta density, a yellow density and a cyan density are stored in a density data memory 32c.
    このマゼンタ濃度、イエロー濃度、シアン濃度を濃度データメモリ32cに記憶する。 - 特許庁
  • To increase data storage density of a memory device.
    メモリ・デバイスのデータ記憶密度を高める。 - 特許庁
  • HIGH-DENSITY HIGH-BANDWIDTH MULTILEVEL HOLOGRAPHIC MEMORY
    高密度、広帯域幅の多重ホログラフィックメモリ - 特許庁
  • To provide a memory-cell structure for increasing the bit memory density.
    ビット記憶密度を高めるためのメモリセル構造を提供すること。 - 特許庁
  • CONTROL METHOD OF ADAPTIVE HYBRID DENSITY MEMORY STORAGE DEVICE, AND ADAPTIVE HYBRID DENSITY MEMORY STORAGE DEVICE
    適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の制御方法、及び適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置 - 特許庁
  • OPTICAL RECORDING MATERIAL HAVING HIGH MEMORY DENSITY
    高い記憶密度を有する光学記録材料 - 特許庁
  • HIGH DENSITY NONVOLATILE MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD
    高密度不揮発性メモリアレイ及び製造方法 - 特許庁
  • HIGH DENSITY MAGNETORESISTANCE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
    高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY PACKAGE, AND METHOD OF INCREASING DENSITY OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    半導体メモリ装置、半導体メモリパッケージ、及び半導体メモリ装置の集積度増大方法 - 特許庁
  • HIGH DENSITY CONTENT ADDRESSABLE MEMORY USING PHASE CHANGE DEVICE
    相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ - 特許庁
  • MULTICHIP PACKAGE AND HIGH-DENSITY MEMORY CARD USING THE MULTICHIP PACKAGE
    マルチチップパッケージ及びそれを用いた高密度メモリカード - 特許庁
  • To provide high-density high-bandwidth multilevel holographic memory.
    高密度、広帯域幅の多重ホログラフィックメモリの提供。 - 特許庁
  • MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY
    高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
  • To provide a memory in which memory cell density is high and current leakage is small.
    メモリセル密度が大きく、漏れ電流が小さい、改善されたメモリの実現。 - 特許庁
  • To improve the integration density of a semiconductor memory device provided with a phase change memory element.
    相変化メモリ素子を備える半導体記憶装置の集積密度を上げる。 - 特許庁
  • A predicted highest density of each color is written in a memory (S604).
    各色の予測最高濃度をメモリに読み出す(S604)。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCREASING DENSITY OF ARRAY OF PAIR TRANSISTORS
    ペアトランジスタの配列を高密度とする半導体記憶装置 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory device which suppresses the number of laminated memory cells while increasing memory density, as compared with conventional memory devices.
    従来に比してメモリセルの積層数を抑えながら記憶密度を高めることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • The density correction value for correcting the print density for image data to be printed is stored in a memory.
    印字対象の画像データによる印字濃度を補正するために前記濃度補正値を記憶しておく。 - 特許庁
  • A color density calculating section 277 utilizes present and past color density measured data stored in a color density measured data memory section 278 to calculate color density information Dct.
    色濃度演算部277は、色濃度測定データ記憶部278に格納されている現在および過去の色濃度測定データを用いて色濃度情報Dctを演算する。 - 特許庁
  • To provide a memory capable of improving storage density by the microfabrication of a physical memory size and contriving a reduction in memory cost in a phase change memory.
    相変化メモリにおいて、物理的なメモリサイズを微細化することによって記憶密度を向上させ、メモリコストの低減をはかることができるメモリを提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory which has a large readout signal and high recording density.
    読み出し信号が大きくかつ記録密度の高いメモリを提供する。 - 特許庁
  • To improve packaging density without losing electric separation of a memory cell.
    メモリセルの電気的な分離性を損なうことなく実装密度を高める。 - 特許庁
  • HIGH DENSITY SOI CROSSPOINT MEMORY ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD
    高密度SOIクロスポイントメモリアレイおよびそれを製造するための方法 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile memory array that can increase the density of a memory array, and to provide its manufacturing method.
    メモリアレイの密度を高めることのできる不揮発性メモリアレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory device which improves integration density and a manufacturing method of the nonvolatile semiconductor memory device.
    集積度を向上させた不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory device for MRAMs or PRAMs that enables a higher density of memory cell.
    メモリセルの高密度化を図れるMRAMやPRAM等の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide memory technology for a non-volatile memory which is manufactured easily, and corresponds to the application of high density.
    容易に製造され高密度の用途に対応する不揮発性メモリ用のメモリ技術を提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory technology for a nonvolatile memory being fabricated easily and supporting a high density application.
    容易に製造され、高密度適用をサポートする不揮発性メモリに対するメモリ技術を提供すること。 - 特許庁
  • Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG.
    そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極MGの不純物濃度よりも高くなっている。 - 特許庁
  • The high-density storage device includes a housing and an assembly of memory and controller.
    高密度記憶デバイスは、ハウジング、及びメモリとコントローラのアセンブリを有する。 - 特許庁
  • To facilitate expansion of memory capacity of a server module which is subjected to high-density packaging.
    高密度実装するサーバモジュールのメモリ容量の増設を容易にする。 - 特許庁
  • Thus, the memory card is improved in a packaging density and is made low in price.
    このため、メモリカードの実装密度が向上し、低価格が実現できる。 - 特許庁
  • To correct density unevenness without requiring a large-sized memory.
    大サイズのメモリを必要とすることなく、濃度むらを補正できるようにする。 - 特許庁
  • To provide a ferroelectric nonvolatile memory cell in a novel structure in which memory cells are integrated with high density, and to provide a high-density ferroelectric memory cell array using the ferroelectric nonvolatile memory.
    メモリセルを高密度に集積することのできる新規な構造の強誘電体不揮発性メモリセルを提供するとともに、この強誘電体不揮発性メモリを用いた高密度強誘電体メモリセルアレイを提供する。 - 特許庁
  • A control circuit 20 compares density read by the density sensor 11 with a reference value stored in the ten-gradation density reference value memory 22.
    濃度センサ11により読取った濃度を制御回路20により10階調濃度基準値メモリ22に格納されている基準値と比較する。 - 特許庁
  • To provide a NAND type multi-state memory cell capable of achieving high memory density, low power consumption, and high reliability.
    高メモリ密度、低電力消費、及び高信頼性を達成可能なNAND型多値メモリセルを提供する。 - 特許庁
  • To provide a spin injection type memory device and memory that can be increased easily in density and degree of integration.
    高密度・高集積化を容易に可能とするスピン注入型のメモリ素子およびメモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a phase change memory cell which can store a plurality of data bits in order to obtain a high density phase change memory.
    高密度の相変化メモリを得るために、複数のデータビットを記憶できる相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁
  • To provide a memory device having a memory cell including a constitution of a high data storage density and a relatively low cost.
    高いデータ記憶密度の構成と比較的低コストとを可能にするメモリセルを有するメモリデバイスの提供。 - 特許庁
  • To provide a ultra-high density data storage device using phase-change diode memory cells.
    相変化ダイオードメモリセルを用いる超高密度データ記憶デバイスを提供する。 - 特許庁
  • HIGH DENSITY FLASH MEMORY DEVICE USING COLUMN SUBSTRATE CODING AND ITS PROGRAM METHOD
    コラム基板コーディングを用いた高密度フラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE ARRAY HAVING HIGH-DENSITY MEMORY CELL ARRAY AND HIERARCHICAL BIT LINE METHOD
    密なメモリセルアレイを有する半導体装置アレイおよび階層ビットライン方式 - 特許庁
  • Respective practical measured densities of reference density patches C1 to K5 stored in a measured density memory 25b by a density measurement sensor 80 are set as respective measured densities of respective dither matrixes at respective set densities stored in a correspondence density data memory 25a.
    測定濃度メモリ25bに記憶された基準濃度パッチC1からK5の濃度測定センサ80による実際の各測定濃度を、対応濃度データメモリ25aに記憶された各設定濃度のときの各ディザマトリクスの各測定濃度として設定する。 - 特許庁
  • To enable highly precise memory/reproduction even to an optical disc of high density recording.
    高密度記録の光ディスクに対しても高精度での記録再生を可能とする。 - 特許庁
  • To provide a high density content addressable memory array using a phase change device.
    相変化デバイスを用いた高密度コンテンツ・アドレス可能メモリ・アレイを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a memory module that is user-friendly and also allows an increase in a memory capacity per unit volume and high-density mounting.
    単位体積当たりの記憶容量の増大と高密度実装が可能で使い勝手のよいメモリモジュールを提供する。 - 特許庁
  • To provide a nonvolatile semiconductor memory device allowing the density of a memory cell transistor to be increased, and a method of manufacturing the same.
    メモリセルトランジスタの高密度化が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.