When using a single tunnel gate approach, medium doped source/drain region (62) implantation conditions must be selected carefully for proper function of the NAND memory string. 単一トンネル・ゲート手法の場合は、NANDメモリ・ストリングを適切に機能させるためにミデアムドープ・ソース/ドレイン領域(62)注入条件を慎重に選択する必要がある。 - 特許庁