In the refresh mode, a portion of the entire memory cell region that has a satisfactory refresh characteristic is set to be a refresh region. このリフレッシュモードでは、全メモリセルの領域のうち、リフレッシュ特性の良い領域をリフレッシュ領域とする。 - 特許庁
A refresh control circuit 3 executes refresh of a memory cell array 4 according to the refresh execution signal COUT. リフレッシュ制御回路3は、リフレッシュ実行信号COUTに従って、メモリセルアレイ4のリフレッシュを実行する。 - 特許庁
REFRESH CONTROL METHOD AND CIRCUIT FOR GRAPHICS MEMORY グラフィックメモリ装置のリフレッシュ制御方法及び回路 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which refresh is started directly in a self-refresh mode without entering auto-refresh during entry of self-refresh. セルフリフレッシュのエントリ時に、オートリフレッシュとならず直接にセルフリフレッシュのモードにてリフレッシュが開始される半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND REFRESH CONTROL METHOD 半導体メモリ装置、半導体装置、メモリシステム及びリフレッシュ制御方法 - 特許庁
To provide a memory device, a refresh method thereof, and a memory system which prevents poor refresh in a common memory bank. 共有メモリバンクでのリフレッシュ不足を防止することのできるメモリ装置及びそのリフレッシュ方法並びにメモリシステムを提供する。 - 特許庁
The refresh control circuit supplies a refresh signal to at least one memory core, and operates a memory core for the prescribed period as a refresh core. リフレッシュ制御回路は、リフレッシュ信号をメモリコアの少なくとも1つに供給し、メモリコアをリフレッシュコアとして所定の期間動作させる。 - 特許庁
A refresh counter is arranged in the IF chip so as to perform the refresh control of the laminated memory. さらにIFチップにリフレッシュカウンタを備え、積層メモリのリフレッシュ制御を行う。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND REFRESH CONTROL METHOD OF THE SAME 半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁
REFRESH METHOD FOR MULTI-LEVEL NON-VOLATILE MEMORY AND DEVICE THEREFOR マルチレベル不揮発性メモリのリフレッシュ方法及び装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS SELF-REFRESH CONTROL METHOD 半導体記憶装置及びそのセルフリフレッシュ制御方法 - 特許庁
It might refresh his memory if he sees our faces. 私たちの顔 見たら 思い直すかもしれないじゃん。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
She looked at the picture to refresh her memory.
彼女は記憶を新たにするためにその写真を見た。 - Tanaka Corpus
She looked at the picture to refresh her memory. 彼女は記憶を新たにするためにその写真を見た。 - Tatoeba例文
APPARATUS AND METHOD FOR SETTING MEMORY TO SELF-REFRESH STATE メモリをセルフリフレッシュ状態にする装置および方法 - 特許庁
A refresh-signal is generated inside of a semiconductor memory 1, and refresh-operation is performed based on its refresh-signal. 半導体記憶装置1の内部でリフレッシュ信号を生成し、そのリフレッシュ信号に基づきリフレッシュ動作をおこなう。 - 特許庁
The refresh controller maintains the memory device at the refresh mode until the data processing system reenables the external refresh signal. リフレッシュ・コントローラは、データ処理システムが外部リフレッシュ信号をリイネーブルするまで、メモリ・デバイスをセルフリフレッシュ・モードに保つ。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device performing partial refresh in which a refresh target can be specified independently in accordance with respective situation of self-refresh and auto-refresh. セルフリフレッシュとオートリフレッシュのそれぞれの事情に応じ、独立にリフレッシュ対象が指定可能な部分的リフレッシュを行う半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
REFRESH METHOD OF NAND FLASH MEMORY, AND NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE NANDフラッシュメモリのリフレッシュ方法及びNAND型フラッシュメモリデバイス - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE IN WHICH REFRESH FLAG IS GENERATED AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM リフレッシュフラグを発生させる半導体メモリ装置及び半導体メモリシステム - 特許庁
To provide a memory control unit capable of efficient data transmission and reception, having a low power consumption mode such as self-refresh by means of a clock enable signal, in addition to refresh, in case that the memory being connected is a synchronous DRAM, and capable of efficiently performing the refresh and the self-refresh. 効率よくデータの送受信が可能であり、また、接続されるメモリが同期式のDRAMの場合、セルフリフレッシュを効率よく行い、低電力化を図る。 - 特許庁
This semiconductor memory device is provided with a refresh control part for performing a refresh operation of a memory cell array having dynamic memory cells. 半導体メモリ装置は、ダイナミック型のメモリセルを有するメモリセルアレイのリフレッシュ動作を実行するためのリフレッシュ制御部を備える。 - 特許庁
MEMORY SYSTEM FOR ENHANCING AVAILABILITY OF SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT, AND REFRESH METHOD FOR THE SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT 半導体メモリ装置の利用効率を高めるメモリシステム及び半導体メモリ装置のリフレッシュ方法 - 特許庁
DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY AND REFRESH CONTROL METHOD ダイナミック型半導体記憶装置及びリフレッシュ制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY, AND CONTROL METHOD FOR ITS REFRESH-OPERATION 半導体メモリ装置及びそのリフレッシュ動作の制御方法 - 特許庁
DYNAMIC SEMICONDUCTOR MEMORY WITH IMPROVED REFRESH MECHANISM 向上されたリフレッシュメカニズムを有するダイナミック半導体メモリ - 特許庁
DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND REFRESH CONTROL METHOD ダイナミック型半導体メモリおよびそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁
To hide apparently refresh-operation without utilizing a cache memory, in a semiconductor memory requiring refresh-operation. リフレッシュ動作が必要な半導体記憶装置において、キャッシュメモリを利用せずにリフレッシュ動作を見かけ上隠すこと。 - 特許庁
A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit. ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER FOR CONTROLLING REFRESH CYCLE OF MEMORY AND METHOD THEREOF メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法 - 特許庁
After refresh operation of a whole memory space is completed, the refresh instruction signal/SREF is negated. 全メモリ空間のリフレッシュ動作が完了した後、リフレッシュ指示信号/SREFをネゲートする。 - 特許庁
To obtain a semiconductor memory in which refresh-operation can be performed accurately for required refresh-objects. 必要なリフレッシュ対象につき的確にリフレッシュ動作を行える半導体メモリ装置を得る。 - 特許庁
The refresh generating circuit generates automatically a refresh signal for holding data of a memory cell. リフレッシュ発生回路は、メモリセルのデータを保持するためのリフレッシュ信号を自動で生成する。 - 特許庁
A refresh register stores an inhibiting block information which shows a memory block inhibiting the refresh operation. リフレッシュレジスタは、リフレッシュ動作を禁止するメモリブロックを示す禁止ブロック情報を記憶する。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes a first refresh cycle changing means 141 for changing the refresh cycle according to an auto-refresh mode without affecting the refresh cycle according to a self-refresh mode and a second refresh cycle changing means 142 for changing the refresh cycle according to the self-refresh mode without affecting the refresh cycle according to the auto-refresh mode. セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第1のリフレッシュ周期変更手段141と、オートリフレッシュモードによるリフレッシュ周期に影響を与えることなく、セルフリフレッシュモードによるリフレッシュ周期を変更する第2のリフレッシュ周期変更手段142を備える。 - 特許庁
A memory cell is refreshed successively for each of a plurality of memory cell blocks 2071-2074, and a refresh defect memory cell is also refreshed when the memory cell of the other memory cell blocks with the same row address as the refresh defect memory cell is to be refreshed when the refresh defect memory cell exists. 複数のメモリセルブロック207_1〜207_4毎にメモリセルを順次リフレッシュし、リフレッシュ欠陥メモリセルが存在する場合には、リフレッシュ欠陥メモリセルと同一のローアドレスを有する他のメモリセルブロックのメモリセルをリフレッシュする時にリフレッシュ欠陥メモリセルも共にリフレッシュする。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INTERNAL REFRESH STOP METHOD, COMPETITION PROCESSING METHOD OF EXTERNAL ACCESS AND INTERNAL REFRESH,COUNTER INITIALIZING METHOD, REFRESH ADDRESS DETECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH, AND EXECUTION SELECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH 半導体記憶装置、内部リフレッシュ停止方法、外部アクセスと内部リフレッシュとの競合処理方法、カウンタ初期化手法、外部リフレッシュのリフレッシュアドレス検出方法、及び外部リフレッシュ実行選択方法 - 特許庁
A refresh system circuit refreshes the memory cell selected according to the refresh address from the refresh address generation circuit, responsive to a refresh request issued by a refresh timer (85) at predetermined intervals. リフレッシュ系回路は、リフレッシュタイマ(85)から所定の周期で発行されるリフレッシュ要求に従って、リフレッシュアドレス発生回路からのリフレッシュアドレスに従って選択されたメモリセルのリフレッシュを行なう。 - 特許庁
Thus, a memory controller 35 starts the continuous refresh, and a refresh controller 34 prevents any refresh cycle from being generated in a prescribed time after the end of the continuous refresh. これにより、メモリコントローラ35は、連続リフレッシュを開始し、リフレッシュコントローラ34は、連続リフレッシュ終了後、所定時間にわたってリフレッシュサイクルを発生いさせない。 - 特許庁
A refresh request part 20 outputs a refresh issue request 130 that specifies whether to execute refresh of a semiconductor memory 3. リフレッシュ要求部20は、半導体メモリ3のリフレッシュを実行するか否かを指定するリフレッシュ発行要求130を出力する。 - 特許庁
The memory device completes refresh operations for the current refresh row before proceeding to perform self-refresh operations for new rows. 前記メモリ装置は、新しいロウに対してセルフリフレッシュ動作を行う前に前記現在リフレッシュロウに対するリフレッシュ動作を完了する。 - 特許庁
REFRESH CONTROL CIRCUIT FOR ELECTRICALLY REWRITABLE NON- VOLATILE MEMORY 電気的書換可能な不揮発性メモリのリフレッシュ制御回路 - 特許庁
practice intended to polish performance or refresh the memory 演技の腕を磨いたり、記憶を蘇らせたりするための練習 - 日本語WordNet
A refresh control circuit periodically executes the refresh operation of the memory blocks excluding a memory block corresponding to the inhibiting block information. リフレッシュ制御回路は、禁止ブロック情報に対応するメモリブロックを除くメモリブロックのリフレッシュ動作を周期的に実行する。 - 特許庁
When an IDR (Instantaneous Decoding Refresh) picture emerges, the long-term reference memory is refreshed by the IDR picture. IDR(Instantaneous Decoding Refresh)ピクチャが出現した場合には、長期間参照メモリは該IDRピクチャにリフレッシュされる。 - 特許庁
MEMORY DEVICE WHICH PERFORMS STABLE SELF-REFRESH OPERATION, AND CONTROL SIGNAL GENERATING METHOD OF SELF REFRESH CYCLE 安定したセルフリフレッシュ動作を行うメモリ装置及びセルフリフレッシュ周期の制御信号生成方法 - 特許庁
This semiconductor memory device is provided with an oscillator, a refresh timer, a MRS section, and a refresh control section. 本発明による半導体メモリ装置は、オシレータ、リフレッシュタイマ、MRS部及びリフレッシュ制御部を具備する。 - 特許庁
A refresh controller inhibits refresh operation of memory blocks set to be disabled by the mode setting part. リフレッシュ制御部は、モード設定部に非実行が設定されたメモリブロックのリフレッシュ動作を禁止する。 - 特許庁
The refresh control signal is outputted to the outside as a refresh flag while a memory cell is refreshed. リフレッシュ制御信号は、メモリセルがリフレッシュされる間にリフレッシュフラグとして外部に出力される。 - 特許庁
The memory section 20 includes a first memory 2, voltage developing circuit 5 and a refresh control circuit 40. メモリ部20は第1メモリ2、電圧生成回路5、リフレッシュ制御回路40を含む。 - 特許庁