An electrically pumped vertical resonator type surface emission laser A is formed on a semiconductor substrate, and a microcavity laser B having a microdisc structure or microcylinder structure or microring structure being pumped with laser light from the vertical resonator type surface emission laser A to emit light having a longer wavelength than the vertical resonator type surface emission laser is formed, in layer, on the vertical resonator type surface emission laser A. 半導体基板上に、電気的に励起される垂直共振器型面発光レーザAが形成され、垂直共振器型面発光レーザA上に、垂直共振器型面発光レーザAからのレーザ光で光励起されて垂直共振器型面発光レーザよりも長波長の光を放射するマイクロディスク構造またはマイクロシリンダ構造またはマイクロリング構造を有するマイクロキャビティレーザBが積層形成されている。 - 特許庁