「mobilities」を含む例文一覧(21)
- It is interesting that the reversal of mobilities happened.
モバイル性の逆転が起こったことは面白い。 - Weblio Email例文集 - To provide a semiconductor device improving mobilities of electrons and holes as the temperature rises.
温度が上昇するほど電子又はホールの移動度を向上できる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The combining means includes at least two movable parts, and the first movable part 9 and the second movable part 10 have different freedoms of mobilities.
結合手段は少なくとも２つの可動部を含み、第１の可動部９と第２の可動部１０の可動自由度が異なる。 - 特許庁 - Yellow, magenta, and cyan electrophoretic particles with mutually different mobilities and particle diameters are mixed into a dispersion medium 7 inside the microcapsule 4.
マイクロカプセル４内の分散媒体７中には、移動度及び粒径が異なるイエロー、マゼンタ、シアンの電気泳動粒子が混入されている。 - 特許庁 - With such a constitution, carrier mobilities flowing through the channels are improved to provide a semiconductor device with higher operation characteristics.
このような構成とすることで、チャネルを流れるキャリア移動度が向上し、より動作特性の高い半導体装置を提供できる。 - 特許庁 - Size and shape of the structure are set so as to balance carrier mobilities between the p-channel MOS transistor and the n-channel MOS transistor.
その際、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor device composed of complementary field effect transistors each improved in mobilities of both carriers of a positive hole and an electron by a simplified process.
簡単なプロセスで正孔と電子の両方のキャリアの移動度を向上させた相補の電界効果トランジスタからなる半導体装置を製造する。 - 特許庁 - Such SOFs may possess long-range molecular order (periodic) and consequent exceptional (hole/electron) mobilities.
このようなＳＯＦは、広い範囲にわたって規則的な（周期的な）分子を有していてもよく、その結果、非常に優れた（正孔／電子）移動性をもっていてもよい。 - 特許庁 - To provide a display device having pixel transistors and driving transistors for driving the pixel transistors respectively formed on an identical substrate, adapted to raise mobilities in the active regions of the driving transistors and achieve speed-up thereof.
画素トランジスタ及びこれを駆動する駆動トランジスタが夫々同じ基板上に形成された表示装置において、駆動トランジスタの活性領域の移動度を高め、その高速化を図る。 - 特許庁 - The TFT array having a plurality of TFTs each for driving a plurality of associated current-driven display elements includes at least two TFTs having different carrier mobilities for each of the display elements.
電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、１つの表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つのＴＦＴを備える。 - 特許庁 - When an OK button 76 is clicked after designation of the mobilities R_f1, R_f2, a load amount for realizing a suitable degree of separation (for example, Rs=1) is calculated relative to columns (S, M, L, etc.) of each size, and displayed on a result display domain 75.
移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2の指定後にＯＫボタン７６をクリックすると、各サイズのカラム（Ｓ，Ｍ，Ｌ，・・・）について、好適な分離度（例えば、Ｒs＝１）を実現するための負荷量が計算されて結果表示領域７５に表示される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device configured such that a microfabricated MOSFET can have an insulating film buried in an element isolation region without forming a void or seam, and mobilities of carriers can be improved, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
微細化したＭＯＳＦＥＴにおいて、ボイドやシームの発生無しに素子分離領域に絶縁膜を埋め込むことができ、キャリアの移動度向上が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.
電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and the manufacturing method thereof wherein for n-channel and p-channel MOSFETs, different substrate-structure from each other are so realized by a single substrate as to make possible the nearly equal improvements to each other of their mobilities.
１つの基板で、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴとｐチャネルＭＯＳＦＥＴに対して、異なる基板構造を実現して同程度の移動度向上を達成することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Input of the mobilities R_f1, R_f2 can be performed also by performing drag movement by a mouse of spot figures 82a, 82b to a position corresponding to a result of the thin-layer chromatography on a figure 81 on a thin layer plate drawn in a spot designated domain 74.
なお、この移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2の入力は、スポット指示領域７４に描画される薄層板の図形８１上で、薄層クロマトグラフィの結果に応じた位置にスポット図形８２ａ，８２ｂをマウスでドラッグ移動することで行うこともできる。 - 特許庁 - When executing a condition determination support program of a personal computer for controlling the liquid chromatograph, a window 71 is displayed on a display, and mobilities R_f1, R_f2 of each component measured by a prior thin-layer chromatography are inputted from text boxes 72, 73 by a user.
液体クロマトグラフの制御用パソコンの条件決定支援プログラムは、実行されるとディスプレイにウインドウ７１を表示し、事前の薄層クロマトグラフィで実測された各成分の移動度Ｒ_f1，Ｒ_f2をユーザにテキストボックス７２，７３から入力させる。 - 特許庁 - To provide a structure capable of efficiently forming a transistor, preferably, provided with tensile strain and a transistor preferably given compression strain on the same substrate, when inparting strain on a semiconductor layer for improving the mobilities of the transistors, and to provide a manufacturing method therefor.
半導体装置において、トランジスタの移動度を向上するために半導体層に歪を与える際、引っ張り歪を与えるのが好ましいトランジスタと、圧縮歪を与えるのが好ましいトランジスタとを同一基板上で効率良く形成するための構成および作製方法を提供する。 - 特許庁 - The mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT are measured and 3 mobilities, Coulomb scattering mobility μ (Coulomb), phonon scattering mobility μ (phonon) and surface roughness scattering μ (surface), and an effective electric field Eeff are calculated from the measured mobility μ and the Vg-Id characteristic of the TFT.
該ＴＦＴの移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性を測定し、測定された移動度μおよびＶｇ−Ｉｄ特性からクーロン散乱移動度μ(Ｃoulomb)、フォノン散乱移動度μ(phonon)、そして表面ラフネス散乱μ(surface)の３つの移動度と実効電界Ｅeffを算出する。 - 特許庁 - The transistor includes: a channel layer composed of upper and lower layers having different mobilities and composed of different oxides; source and drain electrodes which are disposed so as to be in contact with the channel layer at both opposite ends, respectively; and a gate configured to apply an electric field to the channel layer.
トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。 - 特許庁 - To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.
歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁 - While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.
探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁
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