GATE ELECTRODE OF MULTIGATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME マルチゲート電界効果トランジスタのゲート電極およびその製造方法 - 特許庁
To provide a new gate electrode structure and a method of manufacturing the same, in a multigate field-effect transistor. マルチゲート電界効果トランジスタにおいて、新規なゲート電極構造と製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of uniformly operating a field effective transistor (FET) and suppressing the decline of a breakdown voltage by reducing the influence on the FET by the change of the width of a recess part due to crystal orientation in the FET having a crank type multigate structure. クランク型のマルチゲート構造を有する電界効果トランジスタ(FET)において、結晶方位によるリセス部の幅の変化がFETに与える影響を小さくして、FETを均一に動作させ、耐圧の低下を抑制する方法を提供する。 - 特許庁