「multiple gap state」を含む例文一覧(4)

  • And, the multiple Hall elements 20 are supported in a state of being located in the respective gap parts 11 of the multiple magnetic cores 10.
    さらに、複数のホール素子20は、複数の磁性体コア10各々のギャップ部11に位置する状態で支持される。 - 特許庁
  • The multiple magnetic cores 10 are supported in a state where hollow parts 12 thereof are overlapped at an interval along a center straight line 9 forming a current passage route, and where directions of respective gap parts 11 relative to the hollow parts 12 in the multiple magnetic cores 10 are different.
    複数の磁性体コア10は、それらの中空部12が電流通過経路をなす中心直線9に沿って間隔を空けて重なり、かつ、複数の磁性体コア10における中空部12各々に対するギャップ部11各々の方向が異なる状態で支持される。 - 特許庁
  • To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.
    有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸(MQW)層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なX線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁
  • In the solid-state image pickup element sequentially provided with an undercoat layer 13 and multiple micro lenses, the microlens has a resin layer 12 which is selectively made thin on a microlens pattern 11 selectively thick on the gap between the microlens patterns and has an infrared ray absorbing function applied, and disposed thereon.
    アンダーコート層13、複数のマイクロレンズを順次に備えた固体撮像素子において、マイクロレンズパターン11上では選択的に薄く、マイクロレンズパターン間ギャップ上では選択的に厚く赤外線吸収機能を有する樹脂層12を被覆配設したマイクロレンズであること。 - 特許庁

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