A modifying layer 1c based on multiple photon absorption is formed by irradiating a laser beam 4 from a principal surface 1a of a bond wafer 1 such that a light condensing point P becomes a target depth d from the principal surface 1a, and scanning the bond wafer 1 from end to end. レーザ光4をボンドウェハ1の主面1aから、集光点Pが主面1aから目標の深さdとなるように照射し、ボンドウェハ1の端部から端部へ走査することにより、多光子吸収による改質層1cを形成する。 - 特許庁