「multiple quantum well」を含む例文一覧(162)
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多重量子井戸赤外線検出器 - 特許庁 - MULTIPLE QUANTUM WELL TYPE INFRARED-RAY SENSOR
多重量子井戸型赤外光センサ - 特許庁 - MODULATION-DOPED MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER
変調ドープ多重量子井戸半導体レーザ - 特許庁 - Each gain region includes a quantum well consisting of multiple quantum well layers.
各利得領域は、複数の量子井戸層からなる量子井戸を含む。 - 特許庁 - The multiple quantum well layer 22 has a first quantum well layer 221 and a second quantum well layer 222.
多重量子井戸層２２は、第１量子井戸層２２１および第２量子井戸層２２２を有する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF STRAIN MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE
歪多重量子井戸構造の製造方法 - 特許庁 - UNIPOLAR MULTIPLE QUANTUM WELL DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
ユニポーラ多重量子井戸デバイスとその製造方法 - 特許庁 - Therein, the thickness of a quantum well layer of the multiple quantum well layer of the light deflection part 3 is set so as to become thinner than the thickness of a quantum well layer of a multiple quantum well layer of the laser part 2.
そして光偏向部３の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さは、レーザ部２の多重量子井戸層の量子井戸層の厚さより薄くなるように設定されている。 - 特許庁 - MULTIPLE QUANTUM WELL LASER HAVING SELECTIVELY DOPED BARRIER
選択ド—プされた障壁を有する多量子井戸レ—ザ - 特許庁 - MONOLITHIC MULTICOLORED MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE
モノリシックのマルチカラーの多重量子井戸半導体発光ダイオード - 特許庁 - The light emitting layer 10 has a multiple quantum well structure which is constructed with an AlGaN with Al component of 50% or more as a multiple-quantum well layer.
発光層１０は、Ａｌ組成が５０％以上のＡｌＧａＮ層を量子井戸層とした多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser having a multiple quantum well structure (MQN).
多重量子井戸構造（ＭＱＮ）の半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - LIGHT EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE
多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁 - LIGHT-EMITTING DIODE HAVING ACTIVE REGION OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE
多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード - 特許庁 - The active layer 4 has a multiple quantum well structure or single quantum well structure in which a well layer 7 is sandwiched between barrier layers 6.
また、活性層４は、井戸層７をバリア層６で挟んだ単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構造とされる。 - 特許庁 - The multiple quantum well active layer 3 has two quantum well layers 3a, barrier layers 3b formed on both sides of each quantum well layer 3a, and guide layers 3c and 3d.
多重量子井戸活性層３は、２層の量子井戸層３ａと、各量子井戸層３ａの両側に設けられた障壁層３ｂと、ガイド層３ｃ，３ｄを有している。 - 特許庁 - A first magnetic semiconductor multiple quantum well structure 2, a non-magnetic semiconductor quantum well structure 3 and a second magnetic semiconductor multiple quantum well structure 4 are formed in this order on a semiconductor substrate 1.
半導体基板１上に、第１の磁性半導体多重量子井戸構造２、非磁性半導体量子井戸構造３、及び第２の磁性半導体多重量子井戸構造４を順次形成する。 - 特許庁 - The active layer 103 is provided with a distortion multiple quantum well structure.
活性層１０３は歪多重量子井戸構造を有するものである。 - 特許庁 - A well layer in an active region of the multiple quantum well is formed by a GaInNas layer.
多重量子井戸の活性領域の井戸層はＧａＩｎＮＡｓ層で形成されている。 - 特許庁 - The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.
発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁 - The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times.
多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。 - 特許庁 - The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.
発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF THE STRUCTURE
歪多重量子井戸構造の歪量測定方法及び作製方法 - 特許庁 - The active layer 10 has a multiple quantum well structure for which an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer are stacked.
活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁 - The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.
深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁 - To provide a light-emitting device using an active layer having a multiple quantum well.
多重量子井戸を有する活性層を使用する発光デバイスを提供する。 - 特許庁 - Each multiple quantum well step inclination layer 20, 22, 27, 29 substantially has an energy gap between the energy gaps of two layers which sandwich each multiple quantum well step inclination layer 20, 22, 27, 29.
各多重量子井戸ステップ傾斜層20,22,27,29はその実質的なエネルギーギャップとして該各多重量子井戸ステップ傾斜層20,22,27,29を挟む２層のエネルギーギャップの間の値を有する。 - 特許庁 - A multiple quantum well operates by the transition between subbands and forms the unipolar multiple quantum well oscillator for discharging electromagnetic waves at a specified oscillation frequency.
多重量子井戸が、サブバンド間遷移によって動作し、かつ指定された発振周波数の電磁波を放出するユニポーラ多重量子井戸発振器を形成する。 - 特許庁 - The InGaAsP strained quantum well active layer has: a multiple quantum well structure having an InGaAsP barrier layer 40 and an InGaAsP well layer 42 alternately laminated; and InGaAsP guide layers 44 and 46 between which the multiple quantum well structure is sandwiched.
ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。 - 特許庁 - Further, the saturable absorption region consists of a uniform multiple quantum well structure where the quantum energy levels of the each well layer are equal to each other.
また、可飽和吸収領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁 - The gain region consists of a different level multiple quantum well structure where a plurality of quantum energy levels of each well layer are existent.
利得領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が複数存在する異準位多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁 - To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer.
多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - SINGLE-MODE LASER DIODE USING STRAIN COMPENSATED MULTIPLE QUANTUM WELL AND ITS MANUFACTURING METHOD
ストレイン補償多重量子井戸を用いる単一モード型レーザダイオード及びその製造方法 - 特許庁 - A current is applied on the multiple quantum well layers in its thickness direction by a pair of electrodes.
一対の電極が、多重量子移動層に、その厚さ方向の電流を流す。 - 特許庁 - Thus, stress reducing in a lateral direction can be operated in a part near the multiple quantum well active layer 105 even if the multiple quantum well active layer 105 generates heat.
これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 - 特許庁 - A quantum containment can be reduced by adjusting a thickness of the InAlGaN well layer in a multiple quantum well structure of an active layer.
活性層の多重量子井戸構造におけるＩｎＡｌＧａＮ井戸層の厚みを調整することによって、量子閉じ込め性を弱めることができる。 - 特許庁 - To enable a multiple quantum well to suppress the occurrence of a characteristic change due to the dispersion of Au by applying an extremely simple alteration to the structure of a multiple quantum well infrared ray detector and to enable the improvement of element characteristics distribution, regarding the multiple quantum well infrared ray detector.
多重量子井戸赤外線検出器に関し、多重量子井戸赤外線検出器の構造に極めて簡単な改変を加えることで多重量子井戸がＡｕの拡散で特性変化を生じることを抑止できるようにし、素子特性分布を改善できるようにする。 - 特許庁 - The active region 105 has multiple-quantum well structure and its absorption end wavelength is 1.55μm.
活性領域は多重量子井戸構造を有しその吸収端波長は１．５５μｍである。 - 特許庁 - The optical wavelength transforming equipment is provided with an electroabsorption modulator 1 having a multiple quantum well structure and a polarizer 2.
多重量子井戸構造の電界吸収形光変調器１と偏光子２とを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor laser device 100 is provided with a multiple quantum well-separated and entrapped heterostructure.
本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ構造を有している。 - 特許庁 - The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm.
活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。 - 特許庁 - As a result, when biased of the whole multiple quantum well layer is carried out forward or backward, high speed translocation of carriers (usually holes) is enabled by tunnel effect, from energy level of one quantum well layer which is adjacent to the quantum dot to energy level of adjacency quantum well of the other side through energy level in the quantum dot.
多重量子井戸層全体を，順方向ないし逆方向にバイアスしたとき，量子ドットに接する一方の量子井戸層のエネルギー準位から，量子ドット内エネルギー準位を経由して，他方の隣接量子井戸のエネルギー準位へ，トンネル効果でキャリヤ（通常は正孔）を高速に移動させることが可能となる。 - 特許庁 - A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a quantum well layer (MQW: multiple quantum well) 14 composed of GaN and GaNP, and a GaN layer 16, are made to grow on a board 10 in increasing order.
基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁 - The exiting light from the exit end face of the multiple quantum well layers is propagated by a second optical system.
第２の光学系が、多重量子井戸層の出射端面から出力された出力光を伝搬させる。 - 特許庁 - The active region may include multiple quantum wells separated by barrier layers, and the p-type extension penetrates at least one of the quantum well layers.
活性領域は、バリア層によって離間された複数の量子井戸を含んでおり、また前記ｐ型伸長部は、該量子井戸層の少なくとも一つを貫通している。 - 特許庁 - Since the width of the insulator mask 16 is reduced by etching while etching the multiple quantum well layer 12, the quantum wire 17 having a desired width is formed.
多重量子井戸層１２のエッチング中に、絶縁体マスク１６の幅がエッチングにより細くなるので、所望の幅を有する量子細線１７が形成される。 - 特許庁 - An MQW (Multiple Quantum Well) absorption layer 5 is constructed with eight layers of well layers 5A respectively with 10 nm thickness and barrier layers 5B respectively with 5 nm thickness.
ＭＱＷ吸収層５は、各々の厚さが１０ｎｍである８層の井戸層５Ａと各々の厚さが５ｎｍである障壁層５Ｂで構成される。 - 特許庁 - The multiple quantum well layer 28 is constituted by laminating a plurality of barrier layers 33, and well layers 34 having a band gap smaller than that of the barrier layer 33 alternately.
障壁層３３と、障壁層３３よりもバンドギャップの小さな井戸層３４とを複数層交互に積層して多重量子井戸層２８を構成する。 - 特許庁 - In order to correct the variation in the refractive index Δn of the multiple quantum well (MQW) structure body more precisely, the bulk semiconductor layers at the absorbing layers are formed on both sides of the upper and lower faces of the multiple quantum well structure body.
ＭＱＷ構造体の屈折率変化量Δｎの補正を一層正確に実施するには、上記吸収層において、上記バルク半導体層を、上記多重量子井戸構造体の上面及び下面側の両方に形成する。 - 特許庁 - Signal light is guided by a first optical system to enter the multiple quantum well layers through its entrance end face.
第１の光学系が、多重量子井戸層の入射端面から該多重量子井戸層内に信号光を入射させる。 - 特許庁
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