「nitrogen forms」を含む例文一覧(38)
- A manifold 108 forms a flow passage for the air, nitrogen and humidity.
マニホールド１０８は、空気、窒素及び水分の流路を形成する。 - 特許庁 - A high nitrogen gas concentration increases the nitrogen concentration at the surface of the valve spring and forms an Fe_2-_3N layer.
窒化ガスの濃度が高い場合には弁ばね表面の窒素濃度が高まり、Fe_2-3N層が形成される。 - 特許庁 - The nitrogen gas contains none of sulfur dioxide, ammonium, oxygen and the like which forms ammonium sulfate.
窒素ガス中には、硫酸アンモニウムを生成する二酸化硫黄、アンモニア、酸素などが含まれない。 - 特許庁 - In general formula (1), the group A has a substituent in which a nitrogen-containing heterocyclic ring forms a 5 to 7-membered ring.
（一般式（１）においてＡは、窒素を含む複素環が５〜７員環を形成する置換基を有する。） - 特許庁 - The intermediate layer does not substantially contain nitrogen which eventually forms the nitride with the oxidation-resistant layer if any.
中間層は、存在すれば耐酸化性層と窒化物を形成してしまう窒素を実質的に含まない。 - 特許庁 - A nitrogen generating device 10 forms a package type wherein an air compressor 12, an auto drain trap 14, an air filter 16, and a nitrogen generating part are contained in one and the same casing.
窒素発生装置１０は、空気圧縮機１２と、オートドレントラップ１４と、エアフィルタ１６と、窒素発生部１８とが同一の筐体内に収容されたパッケージ形の構成となっている。 - 特許庁 - The nitride film forms desirably by changing low-oxygen nitrogen gas having a ratio of the partial pressure of nitrogen to the partial pressure of oxygen of ≥20 into the reactor vessel and to change the nitrogen gas after the temperature in the central part of the sponge titanium reaches ≤200°C in the reactor vessel.
この窒化膜の形成を窒素分圧／酸素分圧の比が20以上である低酸素含有窒素ガスを反応容器内に導入して行い、さらに、反応容器内でスポンジチタン中心部の温度が200℃以下になった後、窒素ガスを導入するのが望ましい。 - 特許庁 - In the antimony precursor that forms a Ge-Sb-Te phase change film, the antimony precursor contains antimony, nitrogen and silicon.
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化膜形成用のアンチモン前駆体において、アンチモン前駆体は、アンチモン、窒素およびシリコンを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the nitriding method in which glow discharge is generated within a gas atmosphere including nitrogen by employing a sintered material as a cathode, the nitriding method of the invention is characterized in that the gas partial pressure of nitrogen-including gas, which forms the gas atmosphere including nitrogen, is equal to or less than 150 Pa.
本発明の窒化処理方法は、窒素が含まれるガス雰囲気中で焼結体を陰極としてグロー放電を生じさせる窒化処理方法において、窒素が含まれるガス雰囲気を構成する窒素を有するガスのガス分圧が１５０Ｐａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The crystal forming unit 100 forms a first GaN crystal by supplying nitrogen gas into melt mixture containing metal Na and metal Ga.
結晶作製装置１００は、金属Ｎａと金属Ｇａとを含む混合融液に窒素ガスを供給して第１のＧａＮ結晶を作製する。 - 特許庁 - Since nitrogen forms nuclei to suppress the growth of iron crystal grains, its strength and toughness are improved, and further, its adhesion with a brazing filler metal can be improved.
焼結時に窒素が核となって鉄結晶粒の成長が抑制されるため、強度とじん性が向上すると共に、ろう材との密着性を向上することができる。 - 特許庁 - The same plasma apparatus as one that forms the oxide film 14 is continuously used to generate nitrogen plasma 18 for nitriding the oxide film 14, and then to form an oxynitrided film 20.
この酸化膜１４を形成したのと同じプラズマ装置を連続して用い、窒素プラズマ１８を生成し、酸化膜１４を窒化し、酸窒化膜２０を形成する。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a wiring board which forms an electrolytic plating on a film covering an insulating substrate and including a nitrogen- containing organic compound having a plating accelerative action.
絶縁基板上に被覆した、メッキ促進作用のある含窒素有機化合物を含む皮膜上に、電解めっきを形成する配線基板の製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - The nitrogen monoxide measuring method includes a process (a) for bringing a compound which forms a triazole ring substantially under a neutrality condition under the presence of nitrogen monoxide or a derivative of the compound into reaction with nitrogen under the presence of an oxygen source, and a process (b) for measuring the fluorescence of the compound having a triazole ring created in the process or the fluorescence of its derivative.
一酸化窒素の測定方法であって、以下の工程：(a) 実質的に中性条件で一酸化窒素の存在下にトリアゾール環を形成する化合物またはその誘導体と一酸化窒素とを酸素源の存在下に反応させる工程；及び、(b) 上記工程で生成するトリアゾール環を有する化合物またはその誘導体の蛍光を測定する工程を含む方法。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method for steel which forms a nitrided layer containing high concentration N and having suppressed hardness and suppressed thickness of a nitrogen compound layer, and which provides steel properties excellent in wear resistance and fatigue properties.
高濃度のＮを有しかつ硬度や窒素化合物層厚さが抑制された窒化層を形成させ、耐摩耗性と疲労特性に優れた特性が得られる鋼材の表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - The space between the lower end of the outer cylinder 23 and the lower end of the inner cylinder 24 forms an anuular gas discharge port 31 surrounding the first and second treatment solution discharge ports 30 and 34 for discharging nitrogen gas.
外筒２３の下端と内筒２４の下端との間は、第１および第２処理液吐出口３０，３４を取り囲み、窒素ガスを吐出する円環状の環状気体吐出口３１となっている。 - 特許庁 - The composition for flame retardation comprises an inorganic ammonium phosphate or a metal salt of an inorganic phosphoric acid, a water-soluble organic substance, a flaky inorganic material and a nitrogen-containing compound, and forms a carbonized foam layer by the exposure to heat in combustion.
無機リン酸アンモニウムまたは無機リン酸の金属塩と、水溶性有機物質と鱗片状の無機物質と含窒素化合物からなり、燃焼に伴う熱を受けた際に発泡炭化層を形成する。 - 特許庁 - A silicon surface is sputtered, so that undulation recess portion forms periodical vertical portion of the same depth as the boundary of the silicon-insulator of an SOI material due to the uniform flow of nitrogen molecular ions in a ultra-high vacuum condition.
シリコン表面は、超真空中で窒素分子イオンの均一流により、起伏の波窪がＳＯＩ材料のシリコン−絶縁体の境界と同じ深さの周期的な波状起伏を形成するためにスパッタされる。 - 特許庁 - On the sintering, the nitrogen forms into nuclei, and the growth of crystals of the iron powder is suppressed, so that its strength and toughness are improved, and further, its adhesion with a surface treatment layer by plating, coating or steam treatment can be improved.
焼結時に窒素が核となって鉄粉の結晶の成長が抑制されるため、強度とじん性が向上すると共に、メッキ，コーティングやスチーム処理などによる表面処理層との密着性を向上することできる。 - 特許庁 - The heat treatment apparatus lifts a susceptor 73 and a heating plate 74 before performing heat treatment of a semiconductor wafer W after completing maintenance of the apparatus, and forms a gas stream of nitrogen gas toward a discharge passage 84 from an introduction passage 78.
装置のメンテナンスが終了した後、半導体ウェハーＷの熱処理を行う前にサセプタ７３および加熱プレート７４を上昇させるとともに、導入路７８から排出路８４に向けて窒素ガスの気流を形成する。 - 特許庁 - In the formula, X represents an atomic group that forms an aromatic chelate ligand together with a carbon atom and a nitrogen atom bonded with iridium, n is an integer of 2 or 3, and L represents a bidentate organic ligand wherein the atoms other than carbon atoms are bonded with iridium.
式中、Ｘはイリジウムに結合した炭素原子及び窒素原子と共に芳香族キレート配位子を形成する原子団を表し、ｎは２または３の整数であり、Ｌは炭素以外の原子がイリジウムに結合した二座の有機配位子を表す。 - 特許庁 - The device is provided with a soft spray nozzle 21 that forms the liquid drips by mixing the gas and the liquid and injects the liquid drips on the surface of the substrate, an etching liquid supplying pipe 220 and a rinsing liquid supplying pipe 221 to supply the etching liquid and the rinsing liquid each to the soft spray nozzle 21, and a nitrogen gas supplying pipe 222 to supply the nitrogen gas to the soft spray nozzle 21.
この装置は、気体と液体とを混合させて液滴を生成させ、この液滴を基板の表面にソフトスプレーノズル２１と、このソフトスプレーノズル２１にエッチング液およびリンス液をそれぞれ供給するエッチング液供給配管２２０およびリンス液供給配管２２１と、ソフトスプレーノズル２１に窒素ガスを供給する窒素ガス供給配管２２２とを備えている。 - 特許庁 - The method for controlling symbiotic efficiency between the leguminous plant and the root nodule bacterium comprises controlling symbiotic efficiency between the root nodule bacterium which infects the root of the leguminous plant, forms a root nodule and performs nitrogen fixation and the leguminous plant infected with the root nodule bacterium.
本発明のマメ科植物と根粒菌との共生効率の制御方法は、マメ科植物の根に感染して根粒を形成し、窒素固定を行う菌根菌と、該菌根菌が感染したマメ科植物との間の共生効率を制御する方法である。 - 特許庁 - To provide a new microorganism utilizing the racemic form or optically active isomeric forms of propionic acid amide as a sole nitrogen source and a new enzyme, and to provide a method for producing (S)- or (R)-3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-methylpropionic acid from a trifluoroacetoacetic acid ester.
プロピオン酸アミドのラセミ体形態または光学活性異性体形態を唯一の窒素源として利用する新規微生物および新規酵素、さらに、トリフルオロアセト−酢酸エステルから、(S)-または(R)-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - An agent for forming a film for a semiconductor device forms a film on the surface of copper applied on the surface of a semiconductor wafer as a conductive wiring, and contains a copper inhibitor containing a cyclic substance containing nitrogen or salt thereof as an effective component.
半導体ウェハ表面に導電配線として被着された銅の表面に被膜を形成する被膜形成剤であって、窒素含有環状物又はその塩の少なくとも１種からなる銅インヒビターを有効成分として含む半導体装置用の被膜形成剤を解決手段とする。 - 特許庁 - This composition for dyeing the keratin fiber, especially, the human keratin fiber including the hair, is prepared so that at least one para-phenylenediamine derivative which is substituted by a diazacyclohexane or diazacycloheptane ring and in which nitrogen in the 4-position forms a quaternary ammonium is contained in the composition as the oxidation base material.
ジアザシクロヘキサンまたはジアザシクロヘプタン環で置換された、少なくとも１つのパラ-フェニレンジアミン誘導体であって、その4位の窒素が第四級アンモニウムであるものを酸化ベースとして含む、ケラチン繊維、とりわけ髪などのヒトのケラチン繊維の染色のための組成物を調製する。 - 特許庁 - This method for obtaining an optically active propionic acid amide form and optically active propionic acid form includes obtaining microorganism utilizing the racemic form or optical active isomeric forms of the propionic acid amide as the sole nitrogen source, and acting the microorganism on the racemic form of the propionic acid amide.
プロピオンアミドのラセミ体形態またはその光学活性異性体形態を唯一の窒素源として利用する微生物を取得し、該微生物をプロピオン酸アミドのラセミ体形態に作用させることにより、光学活性プロピオン酸アミド形態及び光学活性プロピオン酸形態を取得する。 - 特許庁 - A plasma CVD device which forms a film by generating plasma by introducing a microwave into a processing container by a plane antenna having a plurality of holes forms the silicon nitride film which includes plenty of traps by performing plasma CVD, wherein the pressure in the processing container is set to 0.1 to 8 Pa, using a processing gas containing: a gas of a compound composed of silicon atoms and chlorine atoms; and a nitrogen gas.
複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置においてシリコン原子と塩素原子からなる化合物のガスと窒素ガスを含む処理ガスを用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上８Ｐａ以下の範囲内に設定してプラズマＣＶＤを行うことにより、多くのトラップを含む窒化珪素膜を成膜する。 - 特許庁 - To provide a treatment method which selectively uses a granule bacterium obtained from treatment of molasses-based food processing waste water especially as a denitrifying bacterium granule, cultivates and habituates the granule bacterium in industrial wastewater of high nitrogen concentration and high salts concentration, forms the highly active granule bacterium, and quickly denitrates as it is without dilution of the industrial wastewater of high nitrogen concentration and high salts concentration by the highly active granule bacterium.
特に脱窒菌グラニュールとして糖蜜系食品加工廃水の処理から得られたグラニュール菌を選択して使用し、該グラニュール菌を高窒素濃度及び高塩類濃度の産業廃水中で培養、馴化させ、高活性グラニュール菌を生成せしめ、前記高活性グラニュール菌により高窒素濃度及び高塩類濃度の産業廃水を希釈することなくそのまま迅速に脱窒することができる処理方法を提供する。 - 特許庁 - A carbonitriding is performed at a temperature of 920°C or higher and forms surface layers 8 with a carbon concentration of 0.7 to 1.3 wt.% and a nitrogen concentration of 0.15 to 0.3 wt.% and with carbide, nitride and carbonitride of a particle size of 0.1 μm or less of at least 400 particles/100 μm2 by deposition.
そして、９２０℃以上の温度で浸炭窒化を施して、表面層８の炭素濃度を０．７〜１．３重量％、窒素濃度を０．１５〜０．３重量％とし、粒径０．１μｍ以下の炭化物，窒化物，及び炭窒化物を合わせて少なくとも４００個／１００μｍ^2 表面層８に析出させた。 - 特許庁 - The light absorber comprises a metal coordination compound composed of an aromatic compound containing sulfur and/or nitrogen and a metal ion coordinatable with the aromatic compound, and has an average light transmittance of at most 50% within the wavelength region of 280-400 nm when it forms a layer having a thickness of 20 μm.
本発明の光線吸収剤は、硫黄及び／又は窒素を含む芳香族化合物と、該芳香族化合物に配位可能な金属イオンと、からなる金属配位化合物を含有し、膜厚２０μｍの層を形成したとき、波長域２８０〜４００ｎｍにおける光線透過率の平均値が５０％以下となる。 - 特許庁 - The cutter is equipped with a flaw forming means 4 which is installed relatively movably from the glass plate 2 and forms the slight flaw 2e on the glass plate 2 and a cooling medium contacting means 5 which is arranged relatively movably from the glass plate 2 and brings the cooling medium 55 such as liquid nitrogen, etc. into contact with the slight flaw 2e.
本切断装置は、ガラス板２に対して相対移動可能に設けられガラス板２に浅傷２ｅを形成する傷創成手段４と、ガラス板２に対して相対移動可能に設けられ浅傷２ｅに液体窒素などの冷却媒体５５を接触させる冷却媒体接触手段５とを具備している。 - 特許庁 - This strongly basic crosslinked resin has repeating units essentially having a cyclic amine structure, and the cyclic amine structure forms the main chain of the strongly basic crosslinked resin, and the repeating units having the cyclic amine structure has a substitute essentially having a hetero atom on the nitrogen atom in the cyclic amine structure.
環状アミン構造を有する繰り返し単位を必須とし、該環状アミン構造が主鎖を形成する強塩基性樹脂架橋体であって、該環状アミン構造を有する繰り返し単位は、該環状アミン構造が有する窒素原子に、ヘテロ原子を必須とする置換基を有する強塩基性樹脂架橋体。 - 特許庁 - This spray device is provided with an IPA mist forming part 34 which forms the IPA mist by making nitrogen gas mixture with liquid-phase IPA, and an IPA mist spray part 37 which has IPA mist jet nozzles on an IPA mist jet side and makes the mist formed in the forming part 34 jet toward a wafer through the jet nozzles.
窒素ガスと液相ＩＰＡとを混合させてＩＰＡミストを形成するＩＰＡミスト形成部３４と、ＩＰＡミスト噴射側にＩＰＡミスト噴射孔３ｄ，９３ｄを有し、ＩＰＡミスト形成部で形成されたミストをＩＰＡミスト噴射孔からウェハに向けて噴射させるＩＰＡミスト噴霧部３１，３７とを備える。 - 特許庁 - The epoxy resin composition used for semiconductor encapsulation comprises (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler, and (D) an organic compound having a sulfur atom and an alcoholic hydroxyl group, wherein the sulfur atom forms a monosulfide bond and the organic compound does not have a nitrogen-containing heterocycle.
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填材と、（Ｄ）硫黄原子とアルコール性水酸基を有する有機化合物であって、前記硫黄原子がモノスルフィド結合を形成しており、かつ含窒素複素環を有していない有機化合物と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This treatment method forms an insulating film on the surface of a substrate to be treated according to oxidizing and nitriding treatment and comprises steps of nitriding the surface of the substrate to be treated by irradiating the substrate to be treated with plasma containing nitrogen atoms, and oxidizing the nitrided surface of the substrate to be treated by irradiating the nitrided surface with plasma containing oxygen atoms.
被処理基体の表面に酸窒化処理により絶縁膜を形成する処理方法であって、前記被処理基体に窒素原子を含むプラズマを照射して前記被処理基体の表面を窒化するステップと、前記窒化された前記被処理基体の前記表面に酸素原子を含むプラズマを照射して酸化するステップとを有する方法を提供する。 - 特許庁 - The film formation liquid which forms the film for bonding copper to a photosensitive resin, comprises an aqueous solution including: an azole having only a nitrogen atom as a ring hetero atom; an acid having a logarithm of the reciprocal of an acid dissociation constant of 3 to 8 at 25°C; and a salt thereof, and has a pH of more than 4 and at most 7 at 25°C.
本発明の皮膜形成液は、銅と感光性樹脂を接着させるための皮膜を形成する皮膜形成液であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールと、２５℃における酸解離定数の逆数の対数値が３〜８の酸及びその塩とを含む水溶液からなり、２５℃におけるｐＨが４を超えて７以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - A cluster forms a bimolecular body formed of bimolecules of aryl amine compound arranged in parallel where a bisphenyl bond is formed of two aryl amines where one phenyl group and two aryl groups are bonded to nitrogen atom via each phenyl group, and the bimolecular body is coordinated to a metal oxide, and the luminous element has a layer including the cluster.
クラスターは１つのフェニル基と２つのアリール基が窒素原子に結合した２つのアリールアミンがそれぞれのフェニル基を介してビスフェニル結合を形成しているアリールアミン化合物の２分子が平行配列して２分子体を形成し、金属酸化物に前記２分子体が配位したことを特徴とするものであり、発光素子は該クラスターを含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁
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