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このような構成によれば、基底準位^３Ｈ_6の電子を効率的に発光準位^３Ｈ_４に励起して発光に関与させることができるので、１４７０ｎｍ近傍で、従来に比べて広帯域で高出力のＡＳＥ光源が実現できる。 - 特許庁 - The adhesive composition is configured such that the followings are contained in an adhesive: a carbon nano material having an average outer circumferential diameter of 1 to 1,000 nm and an average length of 0.01 to 100 μm; and an epoxy group-containing compound that has viscosity at 23°C of 7,000 to 18,000 mPa_s.
粘着剤中に、平均外周径が１〜１０００ｎｍ、平均長さが０．０１〜１００μｍであるカーボンナノ材料および２３℃のおける粘度が７０００〜１８０００ｍＰａ・ｓであるエポキシ基含有化合物が含有されてなる粘着剤組成物。 - 特許庁 - This controller computes the rotational angle acceleration α of a drive shaft, from the number Nm of revolutions of a motor attached to the drive shaft (S100 and S102), and decides whether a vehicle is in a slippage state by the idling of a driving wheel, based on the rotational angle acceleration α(S104).
駆動軸に取り付けられたモータの回転数Ｎｍから駆動軸の回転角加速度αを計算し（Ｓ１００，Ｓ１０２）、回転角加速度αに基づいて車両が駆動輪の空転によるスリップ状態にあるか否かを判定する（Ｓ１０４）。 - 特許庁 - In the case of designing a reticule aligning a 70 nm line 12A at an upper right end of the chip for which the chips are present in all directions, back-scattering from a large pattern 11 of the chips present at upper, upper right and right parts of the line 12A is taken into consideration, and the reticule pattern is designed.
八方にチップの存在するチップの右上端の70nmライン１２Ａを露光するレチクルを設計する場合、ライン１２Ａの上方、右上方、右方にあるチップの大パターン１１からの後方散乱を考慮して、レチクルパターンを設計するようにする。 - 特許庁 - A substrate 21 is prepared by cutting into thin pieces an assembly of optical fibers 15 made of quartz glass or a polymer, a whole cut surface thereof is covered with an organic material or an inorganic material, the surface roughness thereof is finished into 300 nm or less, and pixels PX are formed thereon.
石英ガラス又はポリマーからなる光ファイバー１５の集合体を薄く切断して基板２１を作製し、この切断面内全体を有機材料又は無機材料で覆い、表面粗度を３００ｎｍ以下に仕上げ、この上に画素ＰＸを形成する。 - 特許庁 - In a diamond single crystal base material on whose surface the diamond single crystal is synthesized from the gas phase and epitaxially grown, the value of P-V (Peak to Valley) of the unevenness existing in the surface and having at least a period of 200nm or less is set to be ≤4 nm.
表面に、ダイヤモンド単結晶が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくダイヤモンド単結晶基材において、表面に存在している少なくとも２００ｎｍ以下の周期を有する凹凸のＰ−Ｖを４ｎｍ以下に設定する。 - 特許庁 - The vapor-phase growth carbon fiber has such an agglomerate-like structure that minute fibers are entangled with one another and agglomerated and is characterized in that the void to be measured as pores each having 20 nm to 4 μm pore diameter is ≥2.4 ml/g when the pore volume is measured by a mercury penetration method.
微細な繊維が絡み合って集合した凝集体構造を有し、水銀加入法による細孔容量測定において、孔径２０ｎｍ〜４μｍの範囲の細孔として測定される空隙を２．４ｍｌ／ｇ以上有する気相成長炭素繊維。 - 特許庁 - In the electrophotographic photoreceptor using a laser whose oscillation wavelength is in the range of 380-500 nm as a light source for exposure, an N,N-bisenamine compound of formula (1) is contained as a charge transfer material in a photosensitive layer on an electrically conductive support.
発振波長が３８０〜５００ｎｍの範囲にあるレーザを露光光源として使用される電子写真感光体において、導電性支持体上の感光層に、電荷移動物質として下記一般式（１）で表されるＮ，Ｎ−ビスエナミン化合物を含有せしめる。 - 特許庁 - The polishing composition for a silicon wafer containing silica of average particle size of 5 to 500 nm and concentration of 0.05 to 30 wt% to the entire polishing composition, alkali of concentration of 0.01 to 10 wt% to the entire polishing composition, aminopolysulfonic acid and water, is provided.
平均粒子径５〜５００ｎｍで研磨組成物全量に対する濃度が０．０５〜３０質量％のシリカ、研磨組成物全量に対する濃度が０．０１〜１０質量％の塩基性物質、アミノポリホスホン酸及び水を含むシリコンウェハー用研磨組成物とする。 - 特許庁 - This woven fabric for the polishing fabric is characterized by containing polyester multi-filament yarns A having a single filament diameter of 50 to 1,500 nm in the woven fabric, having a cover factor CF of 2,500 to 4,000, and having a woven fabric thickness in a range of 0.15 to 0.40 mm.
織物に単繊維径５０〜１５００ｎｍのポリエステルマルチフィラメント糸Ａが含まれ、かつ該織物のカバーファクターＣＦが２５００〜４０００の範囲内であり、かつ織物の厚みが０．１５〜０．４０ｍｍの範囲内であることを特徴とする研磨布用織物。 - 特許庁 - The particle for inspection is an aggregate particle of primary solid particles of an average particle size of 20 nm or smaller and composed of an aggregate particle of a particle size of 0.05 μm or larger and an aspect ratio (major axis length/minor axis length) of 1.0-1.4.
平均粒子径が２０ｎｍ以下の固体の１次粒子から構成された凝集体粒子であって、粒子径が０．０５μｍ以上、長短度（長軸長／短軸長）が１．０〜１．４である凝集体粒子から成るエアフィルター検査用粒子である。 - 特許庁 - To provide an adhesive agent composition that is little in the initial color change and the amount of change of the light transmittance (496 nm) after agitation of the adhesive agent, free of secondary agglomeration at the finish of the blending, and excellent in visible light transmittance, heat resistance and resistance to moist heat, and to provide an adhesive sheet member.
粘着剤攪拌後の初期色調変化、光線透過率変化量（４９６ｎｍ）が小さく、ブレンド終了時の二次凝集がなく、可視光透過率、耐熱性、耐湿熱性に優れた粘着剤組成物および粘着シート部材を提供すること。 - 特許庁 - This organic polymer composition comprising an organic polymer and fine light-transmitting particles for adjusting the refractive index of the organic polymer is characterized in that the average particle diameter of the fine light-transmitting particles is ≤20 nm.
本発明の有機高分子組成物は、有機高分子と、この有機高分子の屈折率を調整するための光透過性微粒子とを含有してなる有機高分子組成物であって、光透過性微粒子の平均粒径は２０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The Sn or Sn alloy plating film 2 is formed on one surface of a copper foil or a copper alloy foil 1 where a resin layer or a film 4 is laminated, wherein surface roughness Ra of the plating film when a non-contact type surface roughness meter is used is ≥0.5×10^2 nm.
樹脂層又はフィルム４を積層した銅箔又は銅合金箔１の他の面に形成され、非接触式の表面粗さ計を使用した場合の表面粗さＲａが０．５×１０^2ｎｍ以上であるＳｎ又はＳｎ合金めっき被膜２である。 - 特許庁 - When the superior device can be manufactured by using the object, having surface roughness Ra of 15 nm or less as measured via a bonding part of the bonded substrate is utilized for manufacturing the ink jet head, the head with high-density and a large area having proper characteristics can be obtained.
接合された基板の接合部を介して測定された表面粗度Raが15ｎｍ以下のものを用いることにより、より優れたデバイスを作製することが出来、インクジェットヘッド作製に利用した場合、高密度・大面積な特性の良いヘッドを得ることが出来る。 - 特許庁 - The dispersion of the metallic nanoparticles includes the metallic nanoparticles with an average particle size of 1 to 100 nm, and at least one organic compound selected from ethers, ketones and esters (hereafter referred to as "organic compound X").
本発明は、平均粒子径が１ｎｍ〜１００ｎｍである金属ナノ粒子と、エーテル類、ケトン類およびエステル類から選ばれる少なくとも1種の有機化合物（以下、「有機化合物Ｘ」とも称する）とを含有することを特徴とする金属ナノ粒子分散体である。 - 特許庁 - When a DVD provided with a DVD substrate 2 having a thickness t_1 of 0.6 mm is installed in an optical disk apparatus, a light beam 4 having a wavelength λ_1=655 nm is used as the luminous flux of a numerical aperture NA=0.63 condensed on an information recording surface 2a on the DVD substrate 2.
ＤＶＤ基板２の厚さｔ_1が0．6ｍｍであるＤＶＤが光ディスク装置に装着されたときには、波長λ_1＝655ｎｍの光ビーム４が開口数ＮＡ＝0.63の光束として用いられ、ＤＶＤ基板２の情報記録面２ａに集光される。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a transparent electroconductive film that has five or more protrusions with a height of 20 nm or higher per unit square micrometer on the surface, and satisfies resistivity, heat resistance and moisture resistance, which are required to the transparent electroconductive film used for a touch panel.
表面に２０ｎｍ以上の突起を１μｍ^２あたり５個以上有し、かつ、タッチパネル用の透明導電膜に要求される抵抗率、耐熱性、耐湿性を満足する透明導電膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a non-resonant two-photon absorption recording material, which can perform non-resonant two-photon absorption recording by use of a recording light in a wavelength region shorter than 700 nm, and which has sufficient recording and reproducing characteristics; and to provide a non-resonant two-photon absorption compound usable therefor.
７００ｎｍよりも短波長の領域の記録光を用いて非共鳴２光子吸収記録でき、かつ十分な記録再生特性を有する２光子吸収記録材料及びそれに使用可能な２光子吸収化合物を提供する。 - 特許庁 - This magnetic recording medium is constituted so that a magnetic layer which contains at least magnetic powder and a binder and has 0.15 μm or thinner thickness is formed on a nonmagnetic support, a hard carbon film having 5-30 nm thickness is formed on the magnetic layer and a lubricating layer is formed on the hard carbon film.
非磁性支持体上に少なくとも磁性粉末と結合剤とを含む０．１５μm 以下の厚みの磁性層を設けた磁気記録媒体において、この磁性層上に５〜３０nmの厚みの硬質炭素膜を設け、さらにその上に潤滑層を設ける。 - 特許庁 - The magnetic recording medium has a magnetic layer containing the magnetic powder and a bonding agent on a non-magnetic substrate and the magnetic powder has 5-200 nm particle size and consists of rare earth elements and transition metal elements consisting essentially of iron.
非磁性支持体上に磁性粉末および結合剤を含有する磁性層を有する磁気記録媒体であって、前記磁性粉末が粒子サイズ５〜２００ｎｍの範囲からなり、かつ希土類元素と鉄を主体とする遷移金属元素からなる磁気記録媒体。 - 特許庁 - A cold rolling stock made of an age hardenable copper alloy is subjected to severe strain working using an ARB (Accumulative Roll-Bonding) process, and is thereafter subjected to aging heat treatment and cold rolling, so as to have the average crystal grain size of ≤200 nm.
時効硬化性銅合金からなる冷間圧延材をＡＲＢ（Ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ Ｒｏｌｌ−Ｂｏｎｄｉｎｇ）法を用いて強ひずみ加工を施した後に、時効熱処理及び冷間圧延加工を施すことにより、平均結晶粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - A gate insulation film 52 of a TFT 12 includes a laminate structure of a first insulation film 52A made of silicon nitride (SiN), a first light-absorbing layer 52B made of a material for absorbing light of ≤420 nm wavelength, and a second insulation layer 53B made of silicon dioxide (SiO_2).
ＴＦＴ１２のゲート絶縁膜５２を、窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる第１絶縁膜５２Ａと、４２０ｎｍ以下の光を吸収する材料よりなる第１光吸収層５２Ｂと、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2 ）よりなる第２絶縁膜５３Ｂとの積層構造とする。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1.
ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。 - 特許庁 - This fluorescence detecting system emits an excitation light L1 with a wavelength of 750 nm to a part 1 to be tested of a subject previously administered with the fluorescent chemical agent, and captures the image of the chemical agent fluorescence emitted from the fluorescent chemical agent with a CCD image pickup device 107 to acquire the fluorescence image information.
予め蛍光薬剤が投与された被検体の被検部１へ波長７５０ｎｍの励起光Ｌ１を照射し、蛍光薬剤から発せられる薬剤蛍光をＣＣＤ撮像素子１０７で撮像して蛍光画像情報を取得する。 - 特許庁 - A polyester film for a polarization plate has a inclination angle of 30 to 60 degrees with respect to the film longitudinal direction of a main orientation axis, an in-plain retardation of the film of 2000 nm or less and a oligomer deposition amount on the surface of the film of 8 mg/m^2 or less.
主配向軸のフィルム長手方向に対する傾きが３０〜６０度であり、フィルムの面内リターデーションが２０００ｎｍ以下であり、フィルムの表面オリゴマー析出量が８ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする偏光板用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - In the diamond polycrystalline substance scriber 1 having the cutting edge 4 of a diamond polycrystalline substance at the tip, the cutting edge 4 is made of the sintered body 3 of fine diamond particles, and each of the diamond particles has a particle size of 80 nm-1 μm.
ダイヤモンド多結晶体からなる刃４を先端に有するスクライバー１において、該刃４がダイヤモンド微粒子の焼結体３からなり、該ダイヤモンド微粒子が各々８０ｎｍ乃至１μｍの粒径を有することを特徴とする、ダイヤモンド多結晶体スクライバーである。 - 特許庁 - The polyester film which is intended for use as an interlayer for laminated glass and is highly adhesive to polyvinyl butyral has a crosslinked primer layer on at least one side of the polyester film, wherein the crosslinked primer layer is formed from a composition comprising a silane coupling agent and alkaline inorganic fine particles having an average particle size of 1-150 nm.
ポリエステルフィルムの少なくとも片面にシランカップリング剤及び平均粒子径１〜１５０ｎｍのアルカリ性無機微粒子を含む組成物から形成された架橋プライマー層を有するポリビニルブチラール易接着性合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - To provide an oblique entrance type multilayer diffraction grating spectroscope which has high diffraction efficiency and high heat resistance in an X-ray range having the energy of 1-3 keV (the wavelength: 0.4-1.2 nm) and in which a multilayer film is applied to a diffraction grating and the total reflection of an obliquely-entranced X-ray is utilized.
1-3keV（波長：0.4-1.2nm）のエネルギーをもつX線領域において、高い回折効率および高い耐熱性をもつ、回折格子に多層膜を適用した斜入射による全反射を利用した斜入射型の多層膜回折格子分光器を提供する。 - 特許庁 - The coating for forming a transparent electroconductive film comprises at least fine powders of an electroconductive oxide having a primary particle size of 100 nm or less, a low-boiling point solvent easily dispersing the fine powders of the electroconductive oxide, a high-boiling point solvent hardly dispersing the fine powders of the electroconductive oxide, and a binder.
１次粒子径が 100ｎｍ以下の導電性酸化物微粉末と、該導電性酸化物微粉末の易分散性低沸点溶媒と、前記導電性酸化物微粉末の難分散性高沸点溶媒と、バインダーとを少なくとも含有するように構成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a magnetic disk furnished with a lubrication layer having a high sticking property capable of suppressing migration even at a high speed rotation of ≥5,400 rpm, while fly-stiction trouble, corrosion trouble, etc., are prevented even at the extremely small flying height of ≤10 nm.
１０nm以下の極狭浮上量においてもフライスティクション障害や腐食障害などが防止でき、５４００ｒｐｍ以上の高速回転においても、マイグレーションを抑制し得る付着性の高い潤滑層を備えた磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the light-shielding/light-transmitting layer 3, a light transmittance Tw1 keeping the liquid absorbed and a light transmittance Td1 keeping the liquid non-absorbed in an arbitrary wavelength of 300-400 nm are defined as follows; Td1<Tw1, 0.2≤Tw1≤100, 0≤Td1≤80.
前記遮光性−透光性層３が、３００〜４００ｎｍ内の任意の波長において、吸液状態の光透過率Ｔｗ１及び非吸液状態の光透過率Ｔｄ１が、Ｔｄ１＜Ｔｗ１、０．２≦Ｔｗ１≦１００、０≦Ｔｄ１≦８０である。 - 特許庁 - To provide an inorganic phosphor particle which has a luminescence center in a red region where the luminous wavelength peak is 580 nm or more and from which sufficient luminous efficiency is obtained, and to provide an alternating current-distributed inorganic EL device and a direct current thin film-type inorganic EL device each using the same.
発光波長ピークが５８０ｎｍ以上の赤色域に発光中心を有し、十分な発光効率が得られる無機蛍光体粒子、それを用いる交流分散型無機ＥＬ素子および直流薄膜型無機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - This antifogging film comprises (A) a composite water-absorbent film formed from a mixture comprising a polyvinyl acetal resin having a degree of acetalization of 10 mol% or lower and a hydrolyzate or partial hydrolyzate of an alkylsilyl isocyanate and (B) a water-permeable protective film formed thereon with a thickness of 3-10 nm.
アセタール化度が１０モル％以下のポリビニルアセタアール樹脂とアルキルシリルイソシアネートの加水分解物もしくは部分加水分解物が混在されてなる吸水性複合膜と、その上層に透水性を有する膜厚３〜１０ｎｍの保護膜とを積層すること。 - 特許庁 - A modified silica gel is prepared by substituting the hydroxyl groups or hydrogen atoms of 0.1-3.0 pieces/nm^2 silanol groups among the silanol groups present on the surface of the silica gel are replaced with an alkylsilyl group, an alkoxy group, an alkoxy group having a hydroxyl group, an aminoalkyl group or an amino group to be used as the adsorbent.
シリカゲルの表面に存在するシラノール基のうち、０．１〜３．０個／ｎｍ^２のシラノール基の水酸基又は水素を、アルキルシリル基，アルコキシ基，水酸基を有するアルコキシ基，アミノアルキル基，又はアミノ基に置換した変性シリカゲルを吸着剤として用いる。 - 特許庁 - This can realize a high workability of resist stripping at a high etching rate of 500 nm/min in etching speed within a range of 150-250°C in substrate temperature when a density of hydrogen radical (H^*) is appropriately selected in a range of 10^13 cm^-3 to 10^15 cm^-3 in high density.
これにより、水素ラジカル（Ｈ^*）の密度が１０^13cm^-3〜１０^15cm^-3の高密度の範囲で適宜選定すると、基板温度１５０〜２５０℃の範囲でエッチング速度５００ｎｍ／ｍｉｎ．以上の高エッチングレートによるレジスト剥離の高作業性を実現することができる。 - 特許庁 - Pure water or a liquid of a fluorine-containing liquid compound or the like which has the refractive index nearly the same as the refractive index of the prism material, is transparent to the light of 200 to 340 nm in wavelength and is not deteriorated in the transmittance with lapse of time is packed into the container described above.
上記容器内にはプリズム材料の屈折率とほぼ同一の屈折率を持ち、波長２００ｎｍ〜３４０ｎｍの光を透過し、かつ透過率が経時劣化しない純水あるいはフツ素を含有する液状化合物等の液体が充填される。 - 特許庁 - A first concave part 3 for embedding a thin rectangular-shaped write pole 6 whose fore end has a width of 50 to 500 nm, and a second concave part 4 for embedding a back end 7 with a large area are formed through mutually different masking processes in an embedded insulating film 2.
先端部となる幅が５０乃至５００ｎｍの細い矩形状のライトポール６を埋め込むための第１の凹部３と大面積の後端部７を埋め込むための第２の凹部４とを埋込絶縁膜２に形成する際に、互いに別のマスク工程で形成する。 - 特許庁 - Such an embodiment or the like that an top of the projecting part has ≥2 nm radius of curvature, that a ratio [(B/A)×100] of a contact area B of the top of the projecting part with a body transferred to a bottom area A of the projecting part is 10 to 90% is preferable.
該凸部における頂部の曲率半径が２ｎｍ以上である態様、該凸部の底面積Ａと、凸部における頂部の被転写体との接触面積Ｂとの比率〔（Ｂ／Ａ）×１００〕が、１０％〜９０％である態様などが好ましい。 - 特許庁 - In the surface-treated glass, a plurality of recessed parts are provided on the surface, and the surface except areas where the recessed parts are formed in the glass surface is made flat, and further, the average opening diameter of the recessed parts is within a range of 10 nm to 1 μm in the cross-sectional view.
ガラス表面に複数の凹部が設けられ、前記ガラス表面のうち前記凹部の形成領域を除く面が平坦面とされ、前記凹部を断面視したときの平均開口径が１０ｎｍ以上１μｍ以下の範囲である表面処理ガラスを採用する。 - 特許庁 - The electrophotographic device is made to have similar constitution, abrasion loss X [nm/rotation] per one rotation of the photoreceptor is set to ≤0.003×D/S, when it is defined that the outside diameter of the photoreceptor is D [mm] and the moving speed of the surface of the photoreceptor is S [mm/sec].
また、電子写真装置を上記と同様の構成とし、感光体の外径Ｄ［ｍｍ］、感光体表面の移動速度Ｓ［ｍｍ／ｓｅｃ］とした時に、感光体１回転当りの摩耗量Ｘ［ｎｍ／回転］が０．００３×Ｄ／Ｓ以下とする。 - 特許庁 - The conductive composition contains 0.1-10.0 pts.wt. metal oxide particle, which has BET value of 20-200 m^2/g or has an average particle diameter of 5-60 nm, and has a melting point of not lower than 1,500°C, based on 100 pts.wt. metal used as a conductor for electronic components.
電子部品用導体として使用される金属１００重量部に対して、ＢＥＴ値が２０〜２００ｍ^２／ｇもしくは平均粒径が５〜６０ｎｍで融点が１５００℃以上である金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量部含有する。 - 特許庁 - Borosilicate glass comprising SiO_2, Al_2O_3, B_2O_3, Na_2O, K_2O, Li_2O and TiO_2, which is composed so that transmissivity of ultraviolet rays having a wavelength of 245 nm or less becomes 2 % or less is used for a material of a glass bulb 2 having an outer diameter of 12 mm or less.
外直径が１２ｍｍ以下のガラスバルブ２の材料に、波長２４５ｎｍ以下の紫外線の透過率が２％以下となるように組成したＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、Ｌｉ_２Ｏ、ＴｉＯ_２からなる硼珪酸ガラスを用いるようにする。 - 特許庁 - The information recording carrier read by an optical means and consisting of at least a Substrate, a recording layer and a resin layer is characterized in that the plane of the recording layer coming in contact with the resin layer has ≤5 nm surface roughness Rσ.
光学的手段によって読み取られる情報記録担体であって、支持体と、記録層と、樹脂層とから少なくともなり、前記樹脂層と接する前記記録層の平面の表面粗さＲσが、５ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録担体。 - 特許庁 - The insulating film left on the bottom surface of the hole is removed by allowing pulse laser beams of the wavelength of ≤ 850 nm and the pulse width of ≤ 100 ps to be incident on the bottom surface of the hole under the condition that the fluence per pulse in the bottom surface of the hole is ≥ 0.5 J/cm^2.
穴の底面に、波長８５０ｎｍ以下、パルス幅１００ｐｓ以下のパルスレーザビームを、穴の底面における１パルスあたりのフルエンスが０．５Ｊ／ｃｍ^２以上になる条件で入射させて、該穴の底面に残っている絶縁膜を除去する。 - 特許庁 - It is capable of manufacturing a silicon carbide nanowire of a cubic system which has a diameter of 80-300 nm and a bamboo-like shape of a length of several hundreds μm by heating the above mixture of powder in an inert gas stream at 1,300-1,400°C for 40 min-2 h.
上記粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３００〜１４００℃で、４０分〜２時間加熱することにより、直径が８０〜３００ｎｍで、長さ数百μｍの竹状形態を有する立方晶系炭化珪素ナノワイヤーを製造することができる。 - 特許庁 - To provide a method of reusing coating surface treating component particles by separating coating surface treatment particles and floating solid matter from a washing water after a coating surface treatment for producing a coating surface treatment film having a thickness of several tens nm, by using a filter membrane.
濾過膜を用いて、膜厚が数十ｎｍの塗装下地処理被膜を生成する塗装下地処理の後の水洗水から塗装下地処理成分粒子と浮遊固形物とを分離し、塗装下地処理成分粒子を再利用する方法を提供する。 - 特許庁 - The resist film after pre-exposure heat treatment in lithographic processes has ≤350 nm film thickness and 2.00 to 10.0 vol.% solvent content remaining in the resist film with respect to the resist film, and manufacturing method of the resist film.
リソグラフィー工程に於ける露光前加熱処理後のレジスト膜に於いて、レジスト膜の膜厚が、３５０ｎｍ以下であり、且つレジスト膜中に残留する溶剤量が、レジスト膜に対して２．００〜１０．０体積％の範囲にあるレジスト膜及びその形成方法。 - 特許庁 - This method comprises the steps of causing titanium dioxide to absorb an organic compound and projecting light of wavelengths of 200-780 nm onto the resultant product in an oxygen-free atmosphere to decompose 30-90 wt.% of the adsorbed organic compound oxidatively.
二酸化チタンに有機化合物を吸着させ、次いで無酸素雰囲気中で２００〜７８０ｎｍの波長を持つ光を照射して、吸着した該有機化合物の３０〜９０重量％を酸化分解させることを特徴とする脱酸素剤の製造方法。 - 特許庁 - The fluorite having refractive-index uniformity of ≤5×10^-6 and birefringence of ≤5 nm is produced by providing a fluid circulation path in the inside of a crucible-supporting shaft for changing temperature in the furnace, resulting in increasing rate of boundary-less crystals in a crucible descending method.
本発明は坩堝降下法において、坩堝支持軸内部に炉内の温度を変化させるための流体循環路を設けによりバウンダリーレスの向上及び屈折率均質性が5×10^-6以下でありかつ複屈折率が5nm以下の蛍石の製造する構成とする。 - 特許庁
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