An NMIS transistor 41 is composed of a second active area 2 which is formed at a distance from the first active area 1, and a second gate electrode 6 which is formed on a second active area 2, its one end is connected with the gate wiring 7, and another end has a second extrusion 9 extruding from the second active area 2 to the opposite side of the gate wiring 7. NMISトランジスタ41は、第1の活性領域1と間隔をおいて形成された第2の活性領域2と、該第2の活性領域2の上に形成され、一端がゲート配線7と接続され、他端が第2の活性領域2からゲート配線7の反対側に突き出す第2の突き出し部9を有する第2のゲート電極6とからなる。 - 特許庁