「normal potential」を含む例文一覧(172)
1 2 3 4 次へ＞- a normal gene that has the potential to become an oncogene
腫瘍形成遺伝子へとなる可能性を持つ正常遺伝子 - 日本語WordNet - Consequently, a normal word line activating circuit holds the potential level of the defective normal-word line NWL0, at a precharge potential level VBL.
その結果、ノーマルワード線活性化回路は不良ノーマルワード線ＮＷＬ０の電位レベルをプリチャージ電位レベルＶＢＬに保持する。 - 特許庁 - The variable-potential driving voltage is low-potential driving voltage in a normal mode and is either high-potential driving voltage or low-potential driving voltage in a simultaneous mode.
可変電位駆動電圧は、通常モードで低電位駆動電圧とし、一斉モードでは高電位駆動電圧又は低電位駆動電圧を取り得る。 - 特許庁 - Since the potential of the signal electrode is lowered, as compared with that of normal display time, the potential at the non-selection is set to V_CH2 which is lower than that of normal display.
このとき、信号電極電位は通常表示時より下がるので、非選択時電位も通常表示時よりも低いＶ_ＣＨ２とする。 - 特許庁 - To provide potential for an ostomate to return to various normal form.
オストメイトに、種々の正常な状態に戻るための可能性を提供する。 - 特許庁 - Here, since a difference between normal electrode potential of nickel and chromium and normal electrode potential of titanium is smaller than a difference between the normal electrode potential of nickel and chromium and normal electrode potential of iridium, the electric corrosion can be prevented as compared with a case where the first lead electrode 911 containing nickel and chromium contacts a first upper electrode 81 containing iridium.
ここで、ニッケルおよびクロムとチタンとの標準電極電位差が、ニッケルおよびクロムとイリジウムとの標準電極電位差より小さいので、ニッケルおよびクロムを含む第１リード電極９１１がイリジウムを含む第１上電極８１と接触している場合と比較して電食を生じにくくできる。 - 特許庁 - A potential being higher than that of a normal bit line can be applied to a dummy bit line by providing a pad applying a potential to a normal bit line and a pad applying a potential to a dummy bit line.
ウェハテスト時にノーマルビット線に電位を印加するパッドとダミービット線に電位を印加するパッドとを設けることにより、ノーマルビット線より高い電位をダミービット線に印加することができる。 - 特許庁 - In the common potential inverting circuit 1 which performs normal rotation and inversion of common potential of liquid crystal, a standard potential supply means 2 for supplying a prescribed potential level and a vibrational potential supply means which is connected with the standard potential supply means via a capacitor 7 and which supplies high level potential and low level potential.
液晶の共通電位の正転及び反転を行う共通電位反転回路１において、所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段２と、基準電位供給手段とコンデンサー７を介して接続されると共に、ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段とを備える。 - 特許庁 - A substrate potential generating circuit 31 sets in a normal operation state the potential of a power supply line 41 at VPERI and sets in a stand-by state the potential of the power supply line 41 at a certain volt higher than VPERI, which is set in a normal operation state, by ΔVbp.
基板電位生成回路３１は、通常動作時は、電源線４１の電位をＶＰＥＲＩとし、待機状態では、電源線４１の電位を、通常動作時の電位ＶＰＥＲＩよりもΔＶｂｐだけ高くする。 - 特許庁 - A source potential generating circuit 32 sets in a normal operation state the potential of a power supply line 42 at VPERI and sets in a stand-by state the potential of the power supply line 42 at a certain volt lower than VPERI, which is set in a normal operation state, by ΔVsp.
また、ソース電位生成回路３２は、通常動作時は、電源線４２の電位をＶＰＥＲＩとし、待機状態では、電源線４２の電位を、通常動作時の電位ＶＰＥＲＩからΔＶｓｐだけ低くする。 - 特許庁 - A substrate potential of the pull-up NMOS transistor QHN is set to a higher potential level than that of a normal state at the time of outputting high level data.
プルアップＮＭＯＳトランジスタＱＨＮの基板電位は、ハイレベルデータ出力時においては、通常時よりも高い電位レベルに設定される。 - 特許庁 - During a normal transfer operation, a pulse changing between a low potential VL and a high potential VM is applied to an electrode as a vertical transfer pulse.
通常転送動作時には、低電位ＶＬと高電位ＶＭとの間を変化するパルスが、垂直転送パルスとして電極に印加される。 - 特許庁 - Then, the controller calculates an operation reaction command value and a repulsive force for braking/driving force correction based on the contact risk potential and the normal risk potential.
そして、接触リスクポテンシャルおよび通常リスクポテンシャルのそれぞれに基づいて、操作反力指令値および制駆動力補正用の反発力を算出する。 - 特許庁 - A latch circuit is provided in a far edge of a main word line, and potential beyond a disconnection point is fixed to high potential so that a normal word line is not influenced.
メインワード線の遠端にラッチ回路を設け、断線箇所から先に電位が、ハイ電位に固定されるようにし、正常なワード線に影響しないようにする。 - 特許庁 - The reference voltage generating unit generates normal reference voltage which does not depend on a potential of the external power source during normal operation, and generates first burn-in reference voltage depending on a potential of the external power source and second burn-in reference voltage having a potential being same as the normal reference voltage during burn-in acceleration test.
そして，参照電圧生成ユニットは，通常動作時において，外部電源の電位に依存しない通常参照電圧を生成し，バーイン加速試験時において，外部電源の電位に依存する第１のバーイン参照電圧と通常参照電圧と同じ電位を有する第２のバーイン参照電圧とを生成する。 - 特許庁 - Then, the electrode images in the defective state and the potential images in the normal state are alternately displayed on a display.
そして、故障状態の電位像と正常状態の電位像とを交互にディスプレイに表示する。 - 特許庁 - At a normal state, V_1 is maintained at reference bias potential V_b0 of V_OUT+ and V_OUT-.
正常状態では、Ｖ_１はＶ_ＯＵＴ＋及びＶ_ＯＵＴ−の基準バイアス電位Ｖ_ｂ０に保たれる。 - 特許庁 - Therefore, in normal operation in the SSTL mode, the reference potential VREF0 is a voltage generated by the reference potential generating circuit, and the reference potential VREF is 1.5 V supplied to the pad PAD1.
従って、ＳＳＴＬモードにおける通常動作では、基準電位ＶＲＥＦ０は基準電位発生回路が発生した電圧、基準電位ＶＲＥＦはパッドＰＡＤ１に供給された１．５Ｖとなる。 - 特許庁 - When noise occurs in the wiring through which a current flows and the potential is deviated from the potential in the normal range at the time of writing a signal from a current source to the current source circuit, a current is supplied from a position other than the current source and the potential of the wiring can be quickly returned to the potential in the normal range.
本発明は、電流源から電流源回路に書き込みを行っているときに電流が流れる配線にノイズがのり正常の範囲の電位からはずれたときに、電流源とは別のところから電流を供給し、配線の電位を素早く正常の範囲の電位に戻すことができる。 - 特許庁 - Then, the potential of a signal line on the boundary line of the block fluctuates once by receiving the goading of the potential, but, thereafter, when the line receives the normal polarity inversion time and then, since a correct potential is impressed on the signal line, the fluctuation of the potential of the signal line is recovered.
この予行の極性反転によりブロックの境界線上の信号線は電位の突き上げを受けて一旦電位が揺動するが、その後、正規の極性反転時期を迎えることで正しい電位が印加され、揺動が修復される。 - 特許庁 - At this time, when the potential at the connection terminal 31 is higher than the threshold, the microcomputer 35 operates in a normal mode.
このとき、接続端子３１の電位が閾値以上の場合、マイクロコンピュータ３５は通常モードで動作する。 - 特許庁 - A cation constituting the molten salt 20 has a normal electrode potential baser that of W in the molten salt 20.
溶融塩２０を構成するカチオンは、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも卑である。 - 特許庁 - Thereby, potential difference between the potential of the pixel electrode having the adjacent defect and the potential of the normal pixel electrode is made high and the detection of the short circuit defect between the pixel electrodes adjacent across the source line is made easy.
これによって、隣接欠陥を有する画素電極の電位と正常な画素電極の電位との電位差を大きくし、ソースラインを挟んで隣接する画素電極間の短絡欠陥の検出を容易とする。 - 特許庁 - This controller calculates a contact risk potential and a normal risk potential in respective regions where the possibility of the contact of its own vehicle with a front obstacle is high and low.
コントローラは、自車両と前方障害物との接触の可能性が高い領域と低い領域でそれぞれ接触リスクポテンシャルと通常リスクポテンシャルを算出する。 - 特許庁 - It is biased so that the reverse flow preventing transistor 12 may be turned on in a normal state that an input terminal 102 becomes high potential and the reference voltage terminal 106 becomes low potential.
入力端子１０２が高電位、基準電圧端子１０６が低電位となる正常状態において逆流防止トランジスタ１２がオンするようにバイアスする。 - 特許庁 - The mask layer 103 is a metal or an insulated body having a normal electrode potential nobler than that of W in the molten salt 20.
マスク層１０３は、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも貴な金属または絶縁体である。 - 特許庁 - To provide a method for producing an imidazolium salt exhibiting liquid state in a temperature range near normal temperature and having low reduction potential.
常温付近の温度域で液状を示し、かつ還元電位の低いイミダゾリウム塩の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Namely, the motor driving circuit includes a normal rotation FET 23b for shortcircuting the terminals of the motor 11 and a Zener diode 51 for operating the normal rotation FET 23b when a potential in one terminal of the motor 11 exceeds a first preset reference potential.
即ち、モータ１１端子同士を短絡させる正転ＦＥＴ２３ｂと、モータ１１における一端子の電位が予め設定された第１基準電位を超えると、正転ＦＥＴ２３ｂを作動させるツェナーダイオード５１と、を備えている。 - 特許庁 - At a primary checking time, a check signal for switching an electric potential when the sensor internal state is normal to/from an electric potential when the sensor internal state is abnormal is inputted into each comparator 45(1)-45(n).
そして、プライマリチェック時に、比較器４５（１）〜（ｎ）に対して、センサ内部状態が正常であるときの電位と異常であるときの電位を切り替えるチェック信号を入力する。 - 特許庁 - A dummy cell circuit has at least one normal dielectric capacitor, and a potential applied to these terminals has special relation.
ダミーセル回路は、少なくとも１個の常誘電体キャパシタを有し、これらの端子に印加される電位を特別の関係とする。 - 特許庁 - When the temperature is normal temperature and the firing potential is a regular value, the priming discharge starts at the time of t_1.
温度が常温であり、放電開始電圧が通常の値であるときは、プライミング放電の開始時刻は時刻ｔ_１となる。 - 特許庁 - To provide a normal temperature melting salt with low reduction potential not corroding an aluminum material at a positive electrode side, and to provide a lithium secondary battery using the normal temperature melting salt as an electrolyte.
還元電位が低く、二次電池の正極側においてアルミニウム材料を腐食しない常温溶融塩と、該常温溶融塩を電解液とするリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁 - During normal operation, the substrate potential of the object transistor is made at the same as the substrate potential of the non-object transistor to use the transistor, and in performing the scan test, for the substrate potential of the object transistor, back bias is applied to the side of raising the threshold of the transistor to perform the test.
通常動作時には、対象トランジスタの基板電位を、非対象トランジスタの基板電位と同電位にして使用し、スキャンテスト実施時には、対象トランジスタの基板電位を、トランジスタの閾値が上昇する側にバックバイアスを印加してテストする。 - 特許庁 - The signal lines on the boundary lines of the blocks are subjected to thrust up of the potential by the rehearsal polarity inversion and the potential once rocks but when the normal polarity inversion period comes around thereafter, the correct potential is applied and the rocking is restored.
この予行の極性反転によりブロックの境界線上の信号線は電位の突き上げを受けて一旦電位が揺動するが、その後、正規の極性反転時期を迎えることで正しい電位が印加され、揺動が修復される。 - 特許庁 - The risk potential calculation means calculates risk potential based on the signal compensated by the signal compensation means when it is determined that a running condition is normal by the running condition determining means.
リスクポテンシャル算出手段は、走行状態判定手段によって走行状態が定常であると判定された場合、信号補正手段によって補正された信号に基づいてリスクポテンシャルを算出する。 - 特許庁 - The potential difference across a normal energy storage capacitor C_2 reaches to a prescribed voltage, before the potential difference across a lock-preventing time setting capacitor C_3 exceeds a prescribed voltage Vcc_2.
正常なエネルギ蓄積用コンデンサＣ2 では、同時に昇圧開始されるロック防止時間設定用コンデンサＣ3 の両端電圧が所定電圧Ｖcc2 を越えるまでに、その両端電圧が所定電圧に到達する。 - 特許庁 - Additionally, as the water in the emulsion fuel, normal water or favorably the water a reduction electric potential of which is less than -100 mv is used.
また、エマルジョン燃料中の水としては、通常の水、又は好ましくは還元電位が−１００ｍｖ以下の水が使用される。 - 特許庁 - Memory cell power source wirings LMG11-LMG24 for supplying a ground potential are provided corresponding to each column of a normal memory cell array.
正規メモリセルアレイの各列に対応して、接地電位を供給するためのメモリセル電源配線ＬＭＧ１１〜ＬＭＧ２４が設けられる。 - 特許庁 - Next, a normal syntax analysis regarding the first segment of the text is formed by using the potential new entry (step 307).
次に、その可能な新しいエントリを使用して、テキストの第１のセグメントに関する正常な構文解析が形成される（ステップ３０７）。 - 特許庁 - To collect toner having a normal polarity and toner having a polarity different from the normal polarity from the surface of an intermediate transfer body, and to prevent the lowering of cleaning ability by the influence of potential by electrostatic charge.
正常極性のトナー及び正常極性とは異なる極性のトナーを中間転写体表面から回収でき、かつ、帯電している電位の影響によるクリーニング能力の低下を防止する。 - 特許庁 - The threshold of the two-terminal element 100 is set so as to become greater than the maximum value of the absolute value in substantial pixel potential at normal operation.
二端子素子１００の閾値が、通常動作時の実質的な画素電位の絶対値の最大値よりも大きくなるように設定されている。 - 特許庁 - The circuit 5 is connected to the second NMOS transistor, with the potential of the gate set to the ground level at normal operation.
第２のゲート電位制御回路５は、第２のＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、通常動作時にそのゲートの電位を接地レベルにする。 - 特許庁 - Actuating MEMS elements with potential differences higher than those used during normal display data writing may also be utilized.
標準の表示データ書き込みの期間に用いられた電位差よりも高い電位差でＭＥＭＳ素子を作動させることも利用されることができる。 - 特許庁 - A write-buffer 101 drives potential levels of a pair of I/O lines 24, 25 in accordance with write-in data externally given in normal operation.
ライトバッファ１０１は、通常動作においての外部から与えられた書込みデータに応じて、Ｉ／Ｏ線対２４，２５の電位レベルを駆動する。 - 特許庁 - To reduce leakage current and through current by stabilizing the potential of artificial power supply lines both in normal mode and standby mode.
通常モード時及びスタンバイモード時のいずれにおいても疑似電源線の電位を安定化し、リーク電流及び貫通電流の低減を図る。 - 特許庁 - Actuating MEMS elements with potential differences higher than those used during normal display data writing may also be utilized.
標準の表示データ書き込みの期間に用いられた電位差よりも高い電位差でＭＥＭＳ素子を作動させることも利用されるかもしれない。 - 特許庁 - In this method, a test current ICnorm is measured by using a normal PMOS gate potential Gp1 as a PMOS gate potential Gp which performs on/off control on PMOS transistors MP1 and MP2 in a prescribed period in a first step S1.
ステップＳ１で、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及びＭＰ２を所定周期でオン／オフ制御するＰＭＯＳゲート電位ＧｐとしてノーマルＰＭＯＳゲート電位Ｇｐ１を用いて、テスト電流ＩＣｎｏｒｍを測定する。 - 特許庁 - The flame-retardant resin composition comprises (A) a thermoplastic resin, (B) a stabilized red phosphorus, and (C) a compound having a normal electrode potential at 25°C in an aqueous solution system of ≥+0.4 V.
（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）安定化赤リン、（Ｃ）水溶液系 ２５℃の標準電極電位が＋０．４Ｖ以上の化合物からなる難燃性樹脂組成物。 - 特許庁 - A means is provided for differentiating the standard electric potential between a first operation mode in a normal operation and a second operation mode in an operation margin test.
通常動作時における第１の動作モードと、動作マージン試験時における第２の動作モードとで、基準電位を異ならせる手段を設けた。 - 特許庁 - Two development biases of a normal bias in which |Vmin-Vb| (herein, Vmin: development voltage, Vb: background part potential) is large and a fog prevention bias in which it is small are applied as the development bias.
現像バイアスとして，｜Ｖｍｉｎ−Ｖｂ｜が大きい通常バイアスと｜Ｖｍｉｎ−Ｖｂ｜が小さいカブリ防止バイアスとの２通りの現像バイアスを適用する。 - 特許庁
