The semiconductor laser device has a normalizedcoefficient of coupling of 0.8 or below. 本発明の半導体レーザ素子は、0.8未満の規格化結合係数を有している。 - 特許庁
To solve a problem, in a conventional DFB laser element having a diffraction grating disposed on the surface, that it is difficult to satisfy two contradictory conditions: to set a normalizedcouplingcoefficient KL to a suitable value and to achieve good high speed modulation characteristics. 表面に回折格子を配置した従来のDFBレーザ素子においては、規格化結合係数κLを好適な値にすることと、良好な高速変調特性を得ることとを両立させることが困難である。 - 特許庁