To solve the problem that element characteristics are deteriorated by aluminum outdiffusion due to the exposure of an identification mark in a sapphire SOS substrate formed by laser irradiation. SOS基板のレーザ照射により形成される、識別マーク部のサファイア基板が露出部するため、アルミニウムのアウトディフュージョンにより素子特性が劣化する。 - 特許庁
To realize a high-speed response and high-sensitivity characteristics by solving a problem with formation of a p diffusion layer caused by outdiffusion in a circuit-built-in light receiving element of a PIN structure. PIN構造を有する回路内蔵受光素子において、アウトディフュージョンによるP拡散層の形成を解消し、高速応答、高感度特性を実現する。 - 特許庁