「p-process」を含む例文一覧(658)

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  • No process with process ID p was found.
    プロセス ID がpのプロセスがない。 - JM
  • The shadow (D-P-S) processing procedure may comprise: a (D-P-S) generation process, a (D-P-S) evaluation process, and a (D-P-S) transportation process.
    前記D-P-S処理手順は、(D-P-S)生成工程、(D-P-S)評価工程、及び(D-P-S)搬送工程を有して良い。 - 特許庁
  • getsid(p) returns the session ID of the process with process ID p . (The session ID of a process is the process group ID of the session leader.
    getsid(p)はプロセス IDp を持つプロセスのセッション ID を返す(プロセスのセッション ID は セッションリーダーのプロセスグループ ID である)。 - JM
  • PROCESS FOR PRODUCING P-DICHLOROBENZENE
    ｐ−ジクロロベンゼンの製造方法 - 特許庁
  • PREPARATION PROCESS OF POLY(p-ANILINE)
    ポリ（ｐ−アニリン）類の製造方法 - 特許庁
  • The (D-P-S) generation process may comprise: a deposition process, an activation process, a deprotection process, a sidewall angle (SWA) correction process, and a double patterning (DP) developing process.
    前記(D-P-S)生成工程は、堆積工程、活性化工程、脱保護工程、側壁角(SWA)訂正工程、及び二重パターニング(DP)現像工程を有して良い。 - 特許庁
  • For example, to pass the PID of the process that is being dumped, specify %p in an argument.
    例えば、ダンプされるプロセスの PID を渡すには、引き数に%pを指定する。 - JM
  • p-CHANNEL MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS
    ｐチャネルＭＯＳトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
  • Process data from measuring instruments M1 to Mn for a plant P is output to a process data input means 1, and the process data input means 1 stores the process data in a process data storage means 2.
    プラントPの計測器Ｍ１…Ｍnからのプロセスデータはプロセスデータ入力手段１に出力され、プロセスデータ入力手段１は、これをプロセスデータ保存手段２に保存する。 - 特許庁
  • The selected nozzle 21s moved to the process position P supplies the process liquid to the substrate.
    処理位置Ｐに移動した選択ノズル２１ｓは処理液を基板に供給する。 - 特許庁
  • A processing section 15 applies a folding process to a paper bundle P.
    処理部１５は、用紙束Ｐに対して折り処理を施す。 - 特許庁
  • A plasma etching apparatus 1 comprises a process chamber 2 and an evacuation system P which is connected to the process chamber 2.
    プラズマエッチング装置１は、処理室２と、処理室２に接続された排気装置Ｐとを備える。 - 特許庁
  • Then a second process difference between a resist dimension by a lithographic process and a process dimension by a dry etching process is calculated in a P-gate portion.
    次に、Ｐ型ゲート部に対して、リソグラフィ工程によるレジスト寸法とドライエッチ工程による加工寸法との第２の加工差を算出する。 - 特許庁
  • The forming method of the nitride-based semiconductor device comprises a process for forming a p-type contact layer 8, a process for heat- treating the p-type contact layer 8, and a process for forming a p-side electrode 13 on the p-type contact layer 8 thereafter.
    この窒化物系半導体素子の形成方法は、ｐ型コンタクト層８を形成する工程と、ｐ型コンタクト層８を熱処理する工程と、その後、ｐ型コンタクト層８上にｐ側電極１３を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
  • The p-th processing section inputs (p-1)th process data output by the (p-1)th processing section, calculates and outputs the hash value corresponding to the input data, on the basis of the input (p-1)th process data.
    第ｐ処理部は第ｐ−１処理部の出力した第ｐ−１処理データを入力し、入力した第ｐ−１処理データに基づいて、入力したデータに対応するハッシュ値を算出して出力する。 - 特許庁
  • The image forming apparatus uses a P sensor used for the process control, as the optical sensor.
    光学式センサとして、プロセスコントロールで用いられるＰセンサを使用する。 - 特許庁
  • A process chamber P performs dry etching of the carried wafer for a given time.
    プロセスチャンバーＰは、搬送されたウェーハを所与の時間だけドライエッチングする。 - 特許庁
  • The method for purifying p-phenylenediamine includes a process for distilling crude p-phenylenediamine in the presence of a reducing inorganic compound to obtain p-phenylenediamine.
    還元性無機化合物の存在下、粗ｐ−フェニレンジアミンを蒸留してｐ−フェニレンジアミンを得る工程を有するｐ−フェニレンジアミンの精製方法である。 - 特許庁
  • A process with process ID p exists, but it is not in the same session as the calling process, and the implementation considers this an error.
    プロセス IDpのプロセスは存在するが、呼び出し元のプロセスと同じセッションではなく、さらに実装がこの状態をエラーと判断した場合。 - JM
  • The encoding process includes deciding whether it is an I-type or P-type encoding.
    エンコーディング処理は、Ｉタイプ又はＰタイプエンコーディングかを判断することを含む。 - 特許庁
  • This paper post processing device receives plural sheets of paper P printed and delivered from an image forming device, on a tray 14, aligns end parts of the paper sheets P, performs the tail end process on the paper sheets P, and delivers the paper sheets P.
    画像形成装置により印刷され搬送された複数の用紙Ｐをトレイ１４で受け取り、用紙Ｐの端部を揃え、用紙Ｐに後処理を施して排出する用紙後処理装置。 - 特許庁
  • For processing, two P-P compression values, 6 samplings, and 18 pieces of partial operation data are stored in the memory from two pieces of instantaneous data obtained by (k) for each sampling section as a process unit.
    処理にあたって、処理単位である各サンプリング区間毎に、ｋ個づつ得られる２個の瞬時データから、２個のP-P圧縮値、６個のサンプリング数、１８個の部分演算データをメモリに格納する。 - 特許庁
  • FORMATION PROCESS OF AS-GROWN-P-TYPE ACTIVE GROUP III-V NITRIDE COMPOUND
    ａｓ−ｇｒｏｗｎｐ型活性ＩＩＩ−Ｖ族窒化化合物の形成工程 - 特許庁
  • The first p-type impurity region can be formed in the same process as forming a guard ring.
    第１ｐ型不純物領域は、ガードリングと同一工程にて形成できる。 - 特許庁
  • This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.
    脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも１個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも１種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁
  • To provide a method for producing glucose-1-phosphate G-1-P by which a large amount of the G-1-P can be obtained without using a complicated process.
    煩雑な工程を要さず、より大量のＧ−１−Ｐを得ることができるＧ−１−Ｐの製造法を提供する。 - 特許庁
  • The p type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce a p type diffusion layer and solar cells having the p type diffusion layer.
    このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁
  • Gas cavities P in the intermediate 11 are impregnated with a lubricant (a first impregnating process).
    この中間体１１の気孔Ｐに潤滑油を含浸させる（第一の含浸工程）。 - 特許庁
  • The ballistic electrons pass through a carrier recombination process in the p-type semiconductor layer 40 to emit light.
    そしてｐ型半導体層４０中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。 - 特許庁
  • PROCESS FOR PRODUCING P-DOPED AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFERS FROM SILICON
    ｐ−ドープされかつエピタキシャル被覆された、シリコンからなる半導体ウェハの製造方法 - 特許庁
  • If you encounter errors during the upgrade process, you can use the -f option to upgrade/rebuild all ports:
    ports ではなく packages を用いてインストールを行ないたい場合には、 -P オプションを使ってください。 - FreeBSD
  • A process ST11 calculates a reliability evaluation point P of a field motion vector.
    プロセスＳＴ１１によりフィールド動きベクトルの信頼性評価点Ｐの演算を行う。 - 特許庁
  • This exposure method, which transfers the pattern of a mask M onto the substrate P, includes a register process for registering the mask M and the substrate P and an addition process for adding the information of the register result in the register process onto the substrate P.
    マスクＭのパターンを基板Ｐ上に転写する露光方法において、前記マスクＭと前記基板Ｐとを位置合わせする位置合わせ工程と、前記位置合わせ工程における位置合わせ結果の情報を前記基板Ｐ上に付ける付加工程とを有する。 - 特許庁
  • A process liquid is coated by pressing a coating roller 32A against a surface of paper P to be transported by a process liquid coating drum 31.
    処理液塗布ドラム３１によって搬送される用紙Ｐの表面に塗布ローラ３２Ａを押し当てて、処理液を塗布する。 - 特許庁
  • This processing method of the laminate P is equipped with a process for irradiating the substrate P1 with a laser beam 5 to form a material modified part 7 and a process for applying stress F to the laminate P to form divided pieces Q.
    基板Ｐ１にレーザ光５を照射させて、材料変質部７を形成する工程と、積層体Ｐに応力Ｆを加えて分割片Ｑを形成する工程と、を備えている。 - 特許庁
  • The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.
    また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁
  • In this case, the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108b is conducted in the same process as the doping of the p-type impurity to a gate electrode 108c of a p-type MOS transistor 109c.
    その際、Ｐ型不純物のゲート電極１０８ｂへの導入は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０９ｃのゲート電極１０８ｃへの導入と同一の工程において行う。 - 特許庁
  • A metal pipe material P is used as a starting material, and after the pipe material P is worked to have a prescribed length in a first process, the fitting is molded by applying plastic working to the pipe material P.
    金属製のパイプ材Ｐを出発原料とし、第一工程にてそのパイプ材Ｐを所定の長さに加工した後、該パイプ材Ｐに塑性加工を施して成形するようにした。 - 特許庁
  • A test lot P is selected from a batch A which finished a process 2, an epitaxial growth process and the test lot P is subjected to a process 3 to a final inspection process precedent to other lots of the batch A, and a finished product of a semiconductor laser device is manufactured.
    エピタキシャル成長工程である工程２を終えたバッチＡから、先行ロットＰを選択し、この先行ロットＰを、バッチＡの他のロットに先行して工程３から最終検査工程までを進ませて、半導体レーザ装置の完成品を製作する。 - 特許庁
  • To provide an organic photocatalyst the production process of which can be simplified and to provide a p-n junction particle and a method for producing the p-n junction particle.
    製造プロセスの簡便化を実現可能な有機光触媒、並びにｐ−ｎ接合型粒子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • In the temperature reducing process after growing a contact layer 509 of p-type GaAs, supply of the material gas, which contains AsH3, is stopped, and only the carrier gas is supplied.
    p型GaAsコンタクト層５０９成膜後の降温過程においては、AsH_3を含む原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみを供給する。 - 特許庁
  • In the preliminary drying process, the paint P is heated to 220°C at a gentle temperature rate of increase, so that the liquid constituent in the paint P is evaporated.
    仮乾燥工程では、塗料Ｐを緩やかな温度上昇率で２２０℃まで加熱して塗料Ｐ中の液体成分を蒸発させる。 - 特許庁
  • To provide a new process for producing p-dichlorobenzene, which satisfies both of high p-dichlorobenzene selectivity and a high chlorine conversion rate.
    高いｐ−ジクロロベンゼン選択率と高い塩素転化率の両方を同時に満足するｐ−ジクロロベンゼンの新規な製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An optical character reader 30 detects the account number from the form (P), and executes the identification process to the form (P) by use of the form definition 20.
    光学的文字読取装置３０は、帳票（Ｐ）より口座番号を検出し、帳票定義２０を用いて帳票（Ｐ）を識別処理する。 - 特許庁
  • In this example, the novelty of the invention is denied when known specific protein Z manufactured by process Q is identical to the protein manufactured by process P, regardless of the novelty of process P.
    例1の場合、製造方法Ｑにより製造される公知の特定のタンパク質Ｚが、製造方法Ｐにより製造されるタンパク質と同一の物である場合には、方法Ｐが新規であるか否かにかかわらず、新規性が否定される。 - 特許庁
  • Consequently, a p-type conductivity is sufficiently secured without performing the anneal process.
    これによると、アニール工程を行うことなくＰ型導電性を十分に確保することができる。 - 特許庁
  • Luminance detection image data is read in p-pixel unit in a luminescent spot search process (step S702).
    輝点検索処理の際に、輝度検出画像データをｐ画素単位で読み出す（ステップＳ７０２）。 - 特許庁
  • A difference value P' obtained by subtracting the mean value MS from the maximum value Max is found (process 8).
    前記最大値Ｍａｘ から平均値ＭＳを減算した差分値Ｐ’を求める（処理８）。 - 特許庁
  • The heating and fixing process of the toner image onto the paper P is conducted at a fixing section 45.
    そして、定着部４５にて転写紙Ｐに対するトナー像の加熱定着処理を施す。 - 特許庁
  • N-ALKYLPOLYHYDROXYLATED SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, DYE COMPOSITION CONTAINING THE SAME, PROCESS AND USE THEREOF
    Ｎ−アルキルポリヒドロキシル化第二パラ‐フェニレンジアミン、これを含む染料組成物、これらのプロセスと使用 - 特許庁
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