「p32」を含む例文一覧(19)
- When there is no scene change point P32 within the fixed range, the temporary division point P11 is determined as being a division point (B).
一定範囲内にシーン・チェンジ・ポイントP32が存在しない場合には仮分割ポイントＰ11が分割ポイントと決定される（Ｂ）。 - 特許庁 - Ground terminals P12, P22, P32 and P42 are respectively connected to ground.
なお、グランド端子Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２，Ｐ４２はそれぞれグランドに接続される。 - 特許庁 - A band limiting part 14 limits the band of passing data for each of ports P31, P32 and P33.
帯域制限部１４は、ポートＰ３１，Ｐ３２，Ｐ３３毎に通過するデータの帯域を制限する。 - 特許庁 - The luminance of the pixels P32 is compensated by a method of amplifying and applying a driving signal etc.
画素Ｐ３２の輝度は、駆動信号を増幅して印加するなどの方法で補償される。 - 特許庁 - A display panel 30 has pixels P32, adjacent to a joined surface 36, formed having smaller display areas than other pixels P20 and P30.
表示パネル３０では、接合面３６に隣接する画素Ｐ３２が、他の画素Ｐ２０，Ｐ３０と比較して表示領域の面積が小さく形成されている。 - 特許庁 - Thereafter, the parameter is read from the storage device 34 and inputted to an image processing means 35 as the changed parameter P32 of the device concerned.
その後、記憶装置３４からパラメータを読み出して当該装置の変更されたパラメータＰ３２として画像処理手段３５に入力する。 - 特許庁 - A pad other than a pad p32 is selected as a pad for forming a bump on a third input/output cell.
第３の入出力セルにおいてはバンプを形成するパッドとして、パッドｐ３２以外のパッドを選択する。 - 特許庁 - An audio pack P32 directly before a video pack P31 is storing audio frame data x-3, x-2, and the former half part of x-1.
光ディスクには、ビデオストリームとオーディオストリームとが多重化されたVOBが記録されている。 - 特許庁 - A lead CP2 of the secondary coil C2 is connected to a pin terminal P32 that passes over the surface of the insulating member S1.
２次コイルＣ２の引き出し線ＣＰ２は絶縁用部材Ｓ１の表面上を通ってピン端子Ｐ３２に接続する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a plurality of pads P11, P12, P21, P22, P31 and P32 formed on the same plane of a semiconductor chip, and wires W1, W2 and W3 connecting between the pads P11 and P12, between the pads P21 and P22, and between the pads P31 and P32.
半導体チップの同一平面に複数個形成されたパッドＰ１１、Ｐ１２，Ｐ２１、Ｐ２２，Ｐ３１、Ｐ３２と、パッドＰ１１とＰ１２、パッドＰ２１とＰ２２、パッドＰ３１とＰ３２の間を接続したワイヤＷ１、Ｗ２、Ｗ３を備えている。 - 特許庁 - The base metal supporting process P3 is constituted of a solution treatment process P31 for immersing the raw photocatalyst material in a base metal compound solution by a photo precipitation method, an ultraviolet treatment process P32 for irradiating the photocatalyst material on which the base metal is supported in the process P31 with ultraviolet rays and a drying process P33 for drying the photocatalyst material treated in the process P32.
卑金属担持工程Ｐ３は光析出法により、原光触媒材料を卑金属化合物溶液に浸漬する溶液処理工程Ｐ３１と、工程Ｐ３１において卑金属が担持された光触媒材料に紫外光を照射する紫外線処理工程Ｐ３２と、工程Ｐ３２により処理された光触媒材料を乾燥する乾燥工程Ｐ３３と、から構成する。 - 特許庁 - A parking mode determining part, after setting the parking target positions p31, p32, p33, determines a parking mode and a parking target position P3 corresponding to the parking mode.
駐車形態決定部は駐車目標位置ｐ３１、ｐ３２、ｐ３３の設定後、乗員によるステアリングの操作に基づいて、駐車形態及び駐車形態に対応する駐車目標位置Ｐ３を決定する。 - 特許庁 - A parking target position setting part temporarily sets vehicle parking target positions p31, p32, p33 for each parking mode at a predetermined stopping position P1.
駐車目標位置設定部は所定の停止位置Ｐ１において車両の駐車目標位置ｐ３１、ｐ３２、ｐ３３を駐車形態ごとに仮設定する。 - 特許庁 - The image processing means 35 selectively uses an existing parameter P31 and the changed parameter P32 to perform the image processing of image data D30 read from the storage device 34.
画像処理手段３５は、既存のパラメータＰ３１と変更されたパラメータＰ３２とを選択的に使用して、記憶装置３４から読み出した画像データＤ３０に対して画像処理を施す。 - 特許庁 - When input voltages INN and INP are respectively inputted to the respective gates of MOS transistors P31 and P32, output currents I3 and I4 are outputted according to the difference between the both input voltages.
ＭＯＳトランジスタＰ３１、Ｐ３２の各ゲートに入力電圧ＩＮＮ、ＩＮＰがそれぞれ入力されると、その両入力電圧の差に応じて出力電流Ｉ３、Ｉ４が出力される。 - 特許庁 - Each of first to third unit circuits includes first P channel transistors (P11, P21, and P31), second P channel transistors (P12, P22, and P32), first N channel transistors (N11, N21, and N31), and second N channel transistors (N12, N22, and N32).
第１〜第３単位回路の各々は、第１のＰチャネルトランジスタ（Ｐ11，Ｐ21,Ｐ31）、第２のＰチャネルトランジスタ（Ｐ12,Ｐ22,Ｐ32）、第１のＮチャネルトランジスタ（Ｎ11,Ｎ21，Ｎ31）、および第２のＮチャネルトランジスタ（Ｎ12，Ｎ22，Ｎ32）を備える。 - 特許庁 - A parallel position calculation means calculates a position P31 or P32 where a direction of an own vehicle gets in parallel with the direction to the target parking zone at first when the own vehicle travels on the predicted course t_2 or t_3 based on the direction of the target parking zone O.
平行地点算出手段が、目標駐車領域Ｏの向きに基づき、予想進路ｔ_２又はｔ_３上を自車両が走行した場合、最初に前記自車両の向きが、目標駐車領域の向きと平行になる地点Ｐ_３１又はＰ_３２を算出する。 - 特許庁 - Capacitor electrodes for jump coupling P131, P132 face to capacitor electrodes P11, P12, P31, P32, and a direction extending from the capacitor electrodes to the inductor electrodes of the second-stage LC parallel resonator is reverse to those of the first-stage parallel resonator and the third-stage LC parallel resonator.
飛び結合用キャパシタ電極Ｐ１３１，Ｐ１３２はキャパシタ電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ３１，Ｐ３２と対向し、二段目のＬＣ並列共振器のキャパシタ電極からインダクタ電極の延びる方向は一段目と三段目のＬＣ並列共振器とは逆である。 - 特許庁 - The magnetostrictive torque sensor manufacturing method comprises: a magnetostrictive film formation process P1 for forming magnetostrictive films 14A, 14B on a rotating shaft 11 of a magnetostrictive torque sensor; a magnetic anisotropy addition process P2 for adding magnetic anisotropy MM to the magnetostrictive films formed in the magnetostrictive film formation process P1; and a demagnetization process P32 for demagnetizing the rotating shaft 11.
この磁歪式トルクセンサの製造方法は、磁歪式トルクセンサの回転軸１１に磁歪膜１４Ａ，１４Ｂを形成する磁歪膜形成工程Ｐ１と、この磁歪膜形成工程Ｐ１で形成された磁歪膜に磁気異方性ＭＭを付加する磁気異方性付加工程Ｐ２と、上記の回転軸１１を消磁する消磁工程Ｐ３２とを有するように構成される。 - 特許庁
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