「parasitically」を含む例文一覧(10)
- a mushroom that grows parasitically on the bodies of insects and spiders, called 'tochukaso'
冬虫夏草というキノコ - EDR日英対訳辞書 - bristly fly whose larvae live parasitically in caterpillars and other insects
幼虫が毛虫と他の昆虫において寄生的に生きる剛毛が密集したハエ - 日本語WordNet - An electrical device having an enclosure in which noise is parasitically induced in a wire located in the interior of the enclosure is disclosed.
内部に配置されたワイヤに寄生的にノイズが誘導されるエンクロージャを有する電気装置を開示する。 - 特許庁 - any of various worms living parasitically in intestines of vertebrates having a retractile proboscis covered with many hooked spines
多くの鉤針で覆われた引っ込められる吻を持つ脊椎動物の腸内に寄生する様々なぜん虫類各種 - 日本語WordNet - To roughly uniform level shifts to be generated on pixel potentials due to parasitic capacitance existing parasitically at scanning lines within a display surface.
走査信号線に寄生的に存在する寄生容量に起因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均一にする。 - 特許庁 - To roughly uniformize level shift arising in a pixel potential due to parasitic capacitance parasitically existing in a scanning signal line within a display surface.
走査信号線に寄生的に存在する寄生容量に起因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均一にする。 - 特許庁 - To nearly uniform a level shift caused in pixel potential due to parasitic capacitance existing parasitically to a scan signal line in a display surface.
走査信号線に寄生的に存在する寄生容量に起因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均一にする。 - 特許庁 - Also, a select gate transistor comprises a main transistor S2, and transistors S1 and S3 parasitically formed on the drain side and the source side of the main transistor S2, respectively.
寄生トランジスタは、例えば、フローティングゲート電極のエッジ部とソース／ドレイン領域の間のスペースからなるオフセット領域に形成される。 - 特許庁 - To approximately make level shifts which occur in pixel potentials caused by a parasitic capacitance that parasitically exists in a scanning signal line, uniform within a display screen.
走査信号線に寄生的に存在する寄生容量に起因して画素電位に生じるレベルシフトを表示面内で略均一にする。 - 特許庁 - In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.
相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁
